目前全球能生產5nm工藝製程光刻機的唯有荷蘭的ASML，其大部分產能都給了晶片代工巨頭臺積電，由於ASML所製造的光刻機含有大量的美國零件與技術，在晶片禁令的限制之下，我們是一機難求。
美國晶片禁令之後，任正非曾感慨，「我們的海思可以設計出全球最頂尖的晶片，但國內卻沒有相應的光刻製造設備」。
顯而易見，我國若想在高端智能領域實現晶片自主，就必須突破高端光刻技術。
需要強調的是，光刻技術的研發堪比原子彈，在沒有外力的情況下，閉門造車的難度可想而知。
面對這樣的情況，中國工程院士張鈸教授表示，「我們（中國科技）必須要選擇新燈塔、新航道」。
果然，近日中科院宣布了一項重大的技術突破，被業內人士定義為中國芯彎道超車的轉折點。
據路透社消息，中科院開發完成了全球首個8英寸石墨烯晶圓，不管是在尺寸還是在性能上，都非常完美，除了中國之外，現在還沒有任何國家能夠做到。
要知道石墨烯晶圓是生產碳基晶片的必備基礎材料，碳基晶片與美國斷供我們的矽基晶片有著本質的區別，兩者相比，碳基晶片不管是穩定性或者是傳輸效率，都遠超矽基晶片，科學家們的實驗表明，同等工藝水平，碳基晶片的整體性能是矽基晶片的十倍。
最關鍵的一點是， 碳基晶片的製造，對光刻設備的要求沒有那麼高，我國的上海微電子在今年8月份就已經完成了28nm工藝製程光刻機的開發，這個純國產的光刻機，在工藝技術水平上，已經滿足了製造碳基晶片的基本條件。這意味著，將來我國碳基晶片的量產，完全繞開了ASML的EUV光刻機。
目前制約我國大規模量產碳基晶片的難點有三個，分別是純度問題、碳納米管的聚集趨勢、成本問題。
純度問題、聚集趨勢方面，我國已有實質性的改進，北大的彭練矛教授一直致力於碳基晶片相關領域的研究，已經能在1微米空間裡放下100至200根碳納米管，直徑為1.45±0.23nm，只需假以時日，便可以完善。
成本問題才是關鍵，因為不管是矽基晶片或是碳基晶片的研發，最終目的都是投入商用，矽基晶片技術已經非常成熟，價格基本全球穩定。
然而碳基晶片方面，製造碳納米管的成本現在已經非常昂貴了，一旦商用，勢必會大幅度提升智能產品的價格，以手機為例，5千塊錢的5nm矽基晶片手機和2萬元的5nm碳基晶片手機，消費者會怎麼選？
21世紀是碳時代，因為5nm、3nm甚至2nm的矽基晶片已經逼近物理極限，儘管碳基晶片還有相應的許多難題，但已然成為時代的主流。
碳時代，在中科院以及許多中國科學家們的努力之下，我國已經實現領跑，隨著相關工藝技術的日趨成熟，碳基晶片勢必會完成對矽晶片（美科技晶片）的替代，實現中國芯的同時，我們也將從被動挨打的角色轉變為規則的制定者。
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