隨著FTTH的蓬勃發展，PLC(Planar Lightwave Circuit,平面光路)已經成為光通信行業使用頻率最高的詞彙之一，而PLC的概念並不限於我們光通信人所熟知的光分路器和AWG，其材料、工藝和應用多種多樣，本文略作介紹。
1.平面光波導材料
PLC光器件一般在六種材料上製作，它們是：鈮酸鋰（LiNbO3）、Ⅲ-Ⅴ族半導體化合物、二氧化矽（SiO2）、SOI（Silicon-on-Insulator, 絕緣體上矽）、聚合物（Polymer）和玻璃，各種材料上製作的波導結構如圖1所示，其波導特性如表1所示。
圖1. PLC光波導常用材料
表1. PLC光波導常用材料特性
鈮酸鋰波導是通過在鈮酸鋰晶體上擴散Ti離子形成波導，波導結構為擴散型。InP波導以InP為稱底和下包層，以InGaAsP為芯層，以InP或者InP/空氣為上包層，波導結構為掩埋脊形或者脊形。二氧化矽波導以矽片為稱底，以不同摻雜的SiO2材料為芯層和包層，波導結構為掩埋矩形。SOI波導是在SOI基片上製作，稱底、下包層、芯層和上包層材料分別為Si、SiO2、Si和空氣，波導結構為脊形。聚合物波導以矽片為稱底，以不同摻雜濃度的Polymer材料為芯層，波導結構為掩埋矩形。玻璃波導是通過在玻璃材料上擴散Ag離子形成波導，波導結構為擴散型。
2.平面光波導工藝
以上六種常用的PLC光波導材料中，InP波導、二氧化矽波導、SOI波導和聚合物波導以刻蝕工藝製作，鈮酸鋰波導和玻璃波導以離子擴散工藝製作，下面分別以二氧化矽波導和玻璃波導為例，介紹兩類波導工藝。
二氧化矽光波導的製作工藝如圖2所示，整個工藝分為七步：
1)採用火焰水解法（FHD）或者化學氣相澱積工藝（CVD），在矽片上生長一層SiO2，其中摻雜磷、硼離子，作為波導下包層，如圖2（b）所示；
2)採用FHD或者CVD工藝，在下包層上再生長一層SiO2，作為波導芯層，其中摻雜鍺離子，獲得需要的折射率差，如圖2（c）所示；
3)通過退火硬化工藝，使前面生長的兩層SiO2變得緻密均勻，如圖2（d）所示。
4)進行光刻，將需要的波導圖形用光刻膠保護起來，如圖2（e）所示；
5)採用反應離子刻蝕（RIE）工藝，將非波導區域刻蝕掉，如圖2（f）所示；
6)去掉光刻膠，採用FHD或者CVD工藝，在波導芯層上再覆蓋一層SiO2，其中摻雜磷、硼離子，作為波導上包層，如圖2（g）所示；
7)通過退火硬化工藝，使上包層SiO2變得緻密均勻，如圖2（h）所示。
二氧化矽波導工藝中的幾個關鍵點：
1)材料生長和退火硬化工藝，要使每層材料的厚度和折射率均勻且準確，以達到設計的波導結構參數，儘量減少材料內部的殘留應力，以降低波導的雙折射效應；
2)RIE刻蝕工藝，要得到陡直且光滑的波導側壁，以降低波導的散射損耗；
3)RIE刻蝕工藝總會存在Undercut，要控制Undercut量的穩定性，作為布版設計時的補償依據。
圖2. 二氧化矽光波導的製作工藝
玻璃光波導的製作工藝如圖3所示，整個工藝分為五步：
1)在玻璃基片上濺射一層鋁，作為離子交換時的掩模層，如圖3（b）所示；
2)進行光刻，將需要的波導圖形用光刻膠保護起來，如圖3（c）所示；
3)採用化學腐蝕，將波導上部的鋁膜去掉，如圖3（d）所示；
4)將做好掩模的玻璃基片放入含Ag+－Na+離子的混合溶液中，在適當的溫度下進行離子交換，如圖3（e）所示，Ag+離子提升折射率，得到如圖3（f）所示的溝道型光波導；
5)對溝道型光波導施以電場，將Ag+離子驅向玻璃基片深處，得到掩埋型玻璃光波導，如圖3（g）所示。
圖3. 玻璃光波導的製作工藝
3.平面光波導的應用
鈮酸鋰晶體具有良好的電光特性，在電光調製器中應用廣泛。InP材料既可以製作光有源器件又可以製作光無源器件，被視為光有源/無源器件集成的最好平臺。SOI材料在MEMS器件中應用廣泛，是光波導與MEMS混合集成的優良平臺。聚合物波導的熱光係數是SiO2的32倍，應用在需要熱光調製的動態器件中，可以大大降低器件功耗。玻璃波導具有最低的傳輸損耗和與光纖的耦合損耗，而且成本低廉，是目前商用光分路器的主要材料。二氧化矽光波導具有良好的光學、電學、機械性能和熱穩定性，被認為是無源光集成最有實用前景的技術途徑。
圖4. 基於鈮酸鋰光波導的電光調製器
圖5. 基於玻璃光波導的光分路器
圖6. 基於聚合物光波導的熱光開關陣列
圖7. 基於聚合物光波導的VOA
圖8. 基於二氧化矽光波導的AWG