MOS管的封裝類型,這篇文章說得太全了

導語：MOS管的封裝類型，常常影響著電路的設計方向，甚至是產品性能走向；但面對形色各異的封裝，我們該如何辨別？主流企業的封裝又有什麼特點？

在完成MOS管晶片在製作之後，需要給MOS管晶片加上一個外殼，這就是MOS管封裝。該封裝外殼主要起著支撐、保護和冷卻的作用，同時還可為晶片提供電氣連接和隔離，從而將MOS管器件與其它元件構成完整的電路。

而不同的封裝、不同的設計，MOS管的規格尺寸、各類電性參數等都會不一樣，而它們在電路中所能起到的作用也會不一樣；另外，封裝還是電路設計中MOS管選擇的重要參考。封裝的重要性不言而喻，今天我們就來聊聊MOS管封裝的那些事。

按照安裝在PCB板上的方式來劃分，MOS管封裝主要有兩大類：插入式(Through Hole)和表面貼裝式(Surface Mount)。

插入式就是MOSFET的管腳穿過PCB板的安裝孔並焊接在PCB板上。常見的插入式封裝有：雙列直插式封裝（DIP）、電晶體外形封裝（TO）、插針網格陣列封裝（PGA）三種樣式。

插入式封裝

表面貼裝則是MOSFET的管腳及散熱法蘭焊接在PCB板表面的焊盤上。典型表面貼裝式封裝有：電晶體外形（D-PAK）、小外形電晶體（SOT）、小外形封裝（SOP）、方形扁平式封裝（QFP）、塑封有引線晶片載體（PLCC）等。

表面貼裝式封裝

隨著技術的發展，目前主板、顯卡等的PCB板採用直插式封裝方式的越來越少，更多地選用了表面貼裝式封裝方式。

DIP封裝有兩排引腳，需要插入到具有DIP結構的晶片插座上，其派生方式為SDIP（Shrink DIP），即緊縮雙入線封裝，較DIP的針腳密度高6倍。

DIP封裝結構形式有：多層陶瓷雙列直插式DIP、單層陶瓷雙列直插式DIP、引線框架式DIP（含玻璃陶瓷封接式、塑料包封結構式、陶瓷低熔玻璃封裝式）等。DIP封裝的特點是可以很方便地實現PCB板的穿孔焊接，和主板有很好的兼容性。

但由於其封裝面積和厚度都比較大，而且引腳在插拔過程中很容易被損壞，可靠性較差；同時由於受工藝的影響，引腳一般都不超過100個，因此在電子產業高度集成化過程中，DIP封裝逐漸退出了歷史舞臺。

屬於早期的封裝規格，例如TO-3P、TO-247、TO-92、TO-92L、TO-220、TO-220F、TO-251等都是插入式封裝設計。

TO-3P/247：是中高壓、大電流MOS管常用的封裝形式，產品具有耐壓高、抗擊穿能力強等特點。

TO-220/220F：TO-220F是全塑封裝，裝到散熱器上時不必加絕緣墊；TO-220帶金屬片與中間腳相連，裝散熱器時要加絕緣墊。這兩種封裝樣式的MOS管外觀差不多，可以互換使用。

TO-251：該封裝產品主要是為了降低成本和縮小產品體積，主要應用於中壓大電流60A以下、高壓7N以下環境中。

TO-92：該封裝只有低壓MOS管（電流10A以下、耐壓值60V以下）和高壓1N60/65在採用，目的是降低成本。

近年來，由於插入式封裝工藝焊接成本高、散熱性能也不如貼片式產品，使得表面貼裝市場需求量不斷增大，也使得TO封裝發展到表面貼裝式封裝。TO-252（又稱之為D-PAK）和TO-263（D2PAK）就是表面貼裝封裝。

TO封裝產品外觀

TO252/D-PAK是一種塑封貼片封裝，常用於功率電晶體、穩壓晶片的封裝，是目前主流封裝之一。

採用該封裝方式的MOSFET有3個電極，柵極（G）、漏極（D）、源極（S）。

其中漏極（D）的引腳被剪斷不用，而是使用背面的散熱板作漏極（D），直接焊接在PCB上，一方面用於輸出大電流，一方面通過PCB散熱；所以PCB的D-PAK焊盤有三處，漏極（D）焊盤較大。其封裝規範如下：

TO-252/D-PAK封裝尺寸規格

TO-263是TO-220的一個變種，主要是為了提高生產效率和散熱而設計，支持極高的電流和電壓，在150A以下、30V以上的中壓大電流MOS管中較為多見。

除了D2PAK（TO-263AB）之外，還包括TO263-2、TO263-3、TO263-5、TO263-7等樣式，與TO-263為從屬關係，主要是引出腳數量和距離不同。

TO-263/D2PAK封裝尺寸規格

PGA（Pin Grid Array Package）晶片內外有多個方陣形的插針，每個方陣形插針沿晶片的四周間隔一定距離排列，根據管腳數目的多少，可以圍成2～5圈。安裝時，將晶片插入專門的PGA插座即可，具有插拔方便且可靠性高的優勢，能適應更高的頻率。

PGA封裝樣式

其晶片基板多數為陶瓷材質，也有部分採用特製的塑料樹脂來做基板，在工藝上，引腳中心距通常為2.54mm，引腳數從64到447不等。

這種封裝的特點是，封裝面積（體積）越小，能夠承受的功耗（性能）就越低，反之則越高。這種封裝形式晶片在早期比較多見，且多用於CPU等大功耗產品的封裝，如英特爾的80486、Pentium均採用此封裝樣式；不大為MOS管廠家所採納。

SOT（Small Out-Line Transistor）是貼片型小功率電晶體封裝，主要有SOT23、SOT89、SOT143、SOT25（即SOT23-5）等，又衍生出SOT323、SOT363/SOT26（即SOT23-6）等類型，體積比TO封裝小。

SOT封裝類型

SOT23是常用的三極體封裝形式，有3條翼形引腳，分別為集電極、發射極和基極，分別列於元件長邊兩側，其中，發射極和基極在同一側，常見於小功率電晶體、場效應管和帶電阻網絡的複合電晶體，強度好，但可焊性差，外形如下圖(a)所示。

SOT89具有3條短引腳，分布在電晶體的一側，另外一側為金屬散熱片，與基極相連，以增加散熱能力，常見於矽功率表面組裝電晶體，適用於較高功率的場合，外形如下圖(b)所示。

SOT143具有4條翼形短引腳，從兩側引出，引腳中寬度偏大的一端為集電極，這類封裝常見於高頻電晶體，外形如下圖(c)所示。

SOT252屬於大功率電晶體，3條引腳從一側引出，中間一條引腳較短，為集電極，與另一端較大的引腳相連，該引腳為散熱作用的銅片，外形如下圖(d)所示。

常見SOT封裝外形比較

主板上常用四端引腳的SOT-89 MOSFET。其規格尺寸如下：

SOT-89 MOSFET尺寸規格（單位：mm）

SOP（Small Out-Line Package）是表面貼裝型封裝之一，也稱之為SOL或DFP，引腳從封裝兩側引出呈海鷗翼狀(L字形)。材料有塑料和陶瓷兩種。

SOP封裝標準有SOP-8、SOP-16、SOP-20、SOP-28等，SOP後面的數字表示引腳數。MOSFET的SOP封裝多數採用SOP-8規格，業界往往把「P」省略，簡寫為SO（Small Out-Line）。

SOP-8封裝尺寸

SO-8為PHILIP公司率先開發，採用塑料封裝，沒有散熱底板，散熱不良，一般用於小功率MOSFET。

後逐漸派生出TSOP（薄小外形封裝）、VSOP（甚小外形封裝）、SSOP（縮小型SOP）、TSSOP（薄的縮小型SOP）等標準規格；其中TSOP和TSSOP常用於MOSFET封裝。

常用於MOS管的SOP派生規格

QFP（Plastic Quad Flat Package）封裝的晶片引腳之間距離很小，管腳很細，一般在大規模或超大型集成電路中採用，其引腳數一般在100個以上。

用這種形式封裝的晶片必須採用SMT表面安裝技術將晶片與主板焊接起來。該封裝方式具有四大特點：

①適用於SMD表面安裝技術在PCB電路板上安裝布線；

②適合高頻使用；

③操作方便,可靠性高；

④晶片面積與封裝面積之間的比值較小。

與PGA封裝方式一樣，該封裝方式將晶片包裹在塑封體內，無法將晶片工作時產生的熱量及時導出，制約了MOSFET性能的提升；而且塑封本身增加了器件尺寸，不符合半導體向輕、薄、短、小方向發展的要求；另外，此類封裝方式是基於單顆晶片進行，存在生產效率低、封裝成本高的問題。

因此，QFP更適於微處理器/門陳列等數字邏輯LSI電路採用，也適於VTR信號處理、音響信號處理等模擬LSI電路產品封裝。

QFN（Quad Flat Non-leaded package）封裝四邊配置有電極接點，由於無引線，貼裝表現出面積比QFP小、高度比QFP低的特點；其中陶瓷QFN也稱為LCC（Leadless Chip Carriers），採用玻璃環氧樹脂印刷基板基材的低成本塑料QFN則稱為塑料LCC、PCLC、P-LCC等。

是一種焊盤尺寸小、體積小、以塑料作為密封材料的新興表面貼裝晶片封裝技術。

QFN主要用於集成電路封裝，MOSFET不會採用。不過因Intel提出整合驅動與MOSFET方案，而推出了採用QFN-56封裝（「56」指晶片背面有56個連接Pin）的DrMOS。

需要說明的是，QFN封裝與超薄小外形封裝(TSSOP)具有相同的外引線配置，而其尺寸卻比TSSOP的小62%。根據QFN建模數據，其熱性能比TSSOP封裝提高了55%，電性能(電感和電容)比TSSOP封裝分別提高了60%和30%。最大的缺點則是返修難度高。

採用QFN-56封裝的DrMOS

傳統的分立式DC/DC降壓開關電源無法滿足對更高功耗密度的要求，也不能解決高開關頻率下的寄生參數影響問題。

隨著技術的革新與進步，把驅動器和MOSFET整合在一起，構建多晶片模塊已經成為了現實，這種整合方式同時可以節省相當可觀的空間從而提升功耗密度，通過對驅動器和MOS管的優化提高電能效率和優質DC電流，這就是整合驅動IC的DrMOS。

瑞薩第2代DrMOS

經過QFN-56無腳封裝，讓DrMOS熱阻抗很低；藉助內部引線鍵合以及銅夾帶設計，可最大程度減少外部PCB布線，從而降低電感和電阻。

另外，採用的深溝道矽(trench silicon)MOSFET工藝，還能顯著降低傳導、開關和柵極電荷損耗；並能兼容多種控制器，可實現不同的工作模式，支持主動相變換模式APS（Auto Phase Switching）。

除了QFN封裝外，雙邊扁平無引腳封裝（DFN）也是一種新的電子封裝工藝，在安森美的各種元器件中得到了廣泛採用，與QFN相比，DFN少了兩邊的引出電極。

PLCC（Plastic Quad Flat Package）外形呈正方形，尺寸比DIP封裝小得多，有32個引腳，四周都有管腳，引腳從封裝的四個側面引出，呈丁字形，是塑料製品。

其引腳中心距1.27mm，引腳數從18到84不等，J形引腳不易變形，比QFP容易操作，但焊接後的外觀檢查較為困難。PLCC封裝適合用SMT表面安裝技術在PCB上安裝布線，具有外形尺寸小、可靠性高的優點。

PLCC封裝是比較常見，用於邏輯LSI、DLD(或程邏輯器件)等電路，主板BIOS常採用的這種封裝形式，不過目前在MOS管中較少見。

PLCC封裝樣式

由於CPU的低電壓、大電流的發展趨勢，對MOSFET提出輸出電流大，導通電阻低，發熱量低散熱快，體積小的要求。MOSFET廠商除了改進晶片生產技術和工藝外，也不斷改進封裝技術，在與標準外形規格兼容的基礎上，提出新的封裝外形，並為自己研發的新封裝註冊商標名稱。

1、瑞薩（RENESAS）WPAK、LFPAK和LFPAK-I封裝

WPAK是瑞薩開發的一種高熱輻射封裝，通過仿D-PAK封裝那樣把晶片散熱板焊接在主板上，通過主板散熱，使小形封裝的WPAK也可以達到D-PAK的輸出電流。WPAK-D2封裝了高/低2顆MOSFET，減小布線電感。

瑞薩WPAK封裝尺寸

LFPAK和LFPAK-I是瑞薩開發的另外2種與SO-8兼容的小形封裝。LFPAK類似D-PAK，但比D-PAK體積小。LFPAK-i是將散熱板向上，通過散熱片散熱。

瑞薩LFPAK和LFPAK-I封裝

2、威世（Vishay）Power-PAK和Polar-PAK封裝

Power-PAK是威世公司註冊的MOSFET封裝名稱。Power-PAK包括有Power-PAK1212-8、Power-PAK SO-8兩種規格。

威世Power-PAK1212-8封裝

威世Power-PAK SO-8封裝

Polar PAK是雙面散熱的小形封裝，也是威世核心封裝技術之一。Polar PAK與普通的so-8封裝相同，其在封裝的上、下兩面均設計了散熱點，封裝內部不易蓄熱，能夠將工作電流的電流密度提高至SO-8的2倍。目前威世已向意法半導體公司提供Polar PAK技術授權。

威世Polar PAK封裝

3、安森美（Onsemi）SO-8和WDFN8扁平引腳（Flat Lead）封裝

安美森半導體開發了2種扁平引腳的MOSFET，其中SO-8兼容的扁平引腳被很多板卡採用。安森美新近推出的NVMx和NVTx功率MOSFET就採用了緊湊型DFN5(SO-8FL)和WDFN8封裝，可最大限度地降低導通損耗，另外還具有低QG和電容，可將驅動器損耗降到最低的特性。

安森美SO-8扁平引腳封裝

安森美WDFN8封裝

恩智浦（原Philps）對SO-8封裝技術改進為LFPAK和QLPAK。其中LFPAK被認為是世界上高度可靠的功率SO-8封裝；而QLPAK具有體積小、散熱效率更高的特點，與普通SO-8相比，QLPAK佔用PCB板的面積為6*5mm，同時熱阻為1.5k/W。

恩智浦LFPAK封裝

恩智浦QLPAK封裝

意法半導體功率MOSFET晶片封裝技術有SO-8、PowerSO-8、PowerFLAT、DirectFET、PolarPAK等，其中PowerSO-8正是SO-8的改進版，此外還有PowerSO-10、PowerSO-20、TO-220FP、H²PAK-2等封裝。

意法半導體Power SO-8封裝

6、飛兆（Fairchild）半導體Power 56封裝

Power 56是Farichild的專用稱呼，正式名稱為DFN 5×6。其封裝面積跟常用的TSOP-8不相上下，而薄型封裝又節約元件淨空高度，底部Thermal-Pad設計降低了熱阻，因此很多功率器件廠商都部署了DFN 5×6。

Fairchild Power 56封裝

Direct FET能在SO-8或更小佔位面積上，提供高效的上部散熱，適用於計算機、筆記本電腦、電信和消費電子設備的AC-DC及DC-DC功率轉換應用。與標準塑料分立封裝相比，DirectFET的金屬罐構造具有雙面散熱功能，因而可有效將高頻DC-DC降壓式轉換器的電流處理能力增加一倍。

Direct FET封裝屬於反裝型，漏極（D）的散熱板朝上，並覆蓋金屬外殼，通過金屬外殼散熱。Direct FET封裝極大地改善了散熱，並且佔用空間更小，散熱良好。

國際整流器Direct FET封裝

IR Direct FET封裝系列部分產品規格

除了外部封裝，基於電子製造對MOS管的需求的變化，內部封裝技術也在不斷得到改進，這主要從三個方面進行：改進封裝內部的互連技術、增加漏極散熱板、改變散熱的熱傳導方向。

TO、D-PAK、SOT、SOP等採用焊線式的內部互連封裝技術，當CPU或GPU供電發展到低電壓、大電流時代，焊線式的SO-8封裝就受到了封裝電阻、封裝電感、PN結到PCB和外殼熱阻等因素的限制。

SO-8內部封裝結構

這四種限制對其電學和熱學性能有著極大的影響。隨著電流密度的提高，MOSFET廠商在採用SO-8尺寸規格時，同步對焊線互連形式進行了改進，用金屬帶、或金屬夾板代替焊線，以降低封裝電阻、電感和熱阻。

標準型SO-8與無導線SO-8封裝對比

國際整流器（IR）的改進技術稱之為Copper Strap；威世（Vishay）稱之為Power Connect技術；飛兆半導體則叫做Wireless Package。新技術採用銅帶取代焊線後，熱阻降低了10-20%，源極至封裝的電阻降低了61%。

國際整流器的Copper Strap技術

威世的Power Connect技術

飛兆半導體的Wirless Package技術

標準的SO-8封裝採用塑料將晶片包圍，低熱阻的熱傳導通路只是晶片到PCB的引腳。而底部緊貼PCB的塑料外殼是熱的不良導體，故而影響了漏極的散熱。

技術改進就是要除去引線框下方的塑封化合物，方法是讓引線框金屬結構直接或加一層金屬板與PCB接觸，並焊接到PCB焊盤上，這樣就提供了更多的散熱接觸面積，把熱量從晶片上帶走；同時也可以製成更薄的器件。

威世Power-PAK技術

威世的Power-PAK、法意半導體的Power SO-8、安美森半導體的SO-8 Flat Lead、瑞薩的WPAK/LFPAK、飛兆半導體的Power 56和Bottomless Package都採用了此散熱技術。

Power-PAK的封裝雖然顯著減小了晶片到PCB的熱阻，但當電流需求繼續增大時，PCB同時會出現熱飽和現象。所以散熱技術的進一步改進就是改變散熱方向，讓晶片的熱量傳導到散熱器而不是PCB。

瑞薩LFPAK-i封裝

瑞薩的LFPAK-I封裝、國際整流器的Direct FET封裝均是這種散熱技術的典型代表。

未來，隨著電子製造業繼續朝著超薄、小型化、低電壓、大電流方向的發展，MOS管的外形及內部封裝結構也會隨之改變，以更好適應製造業的發展需求。另外，為降低電子製造商的選用門檻，MOS管向模塊化、系統級封裝方向發展的趨勢也將越來越明顯，產品將從性能、成本等多維度協調發展。

而封裝作為MOS管選型的重要參考因素之一，不同的電子產品有不同的電性要求，不同的安裝環境也需要匹配的尺寸規格來滿足。實際選用中，應在大原則下，根據實際需求情況來做抉擇。

有些電子系統受制於PCB的尺寸和內部的高度，如通信系統的模塊電源由於高度的限制通常採用DFN5*6、DFN3*3的封裝；在有些ACDC的電源中，使用超薄設計或由於外殼的限制，適於裝配TO220封裝的功率MOS管，此時引腳可直接插到根部，而不適於使用TO247封裝的產品；也有些超薄設計需要將器件管腳折彎平放，這會加大MOS管選用的複雜度。

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