蹭蹭蹭！8寸晶圓需求超載而供應吃緊的消息沸沸揚揚， 三季度的緊缺會否影響接下來年底交期我們不得而知!
所有的激蕩都有跡可循！8英寸晶圓產能緊缺始於2019年多攝像頭手機帶動CMOS圖像傳感器需求提升。今年以來，5G手機滲透率快速提升，電源管理晶片需求從每臺手機1-2顆提高到每臺手機最高10顆，導致需求大幅增加也是必然。
而受疫情影響，全球在家辦公、在線教育增多，使得筆記本電腦、平板類產品需求增長，從而拉動驅動晶片及其他半導體產品需求增長，疊加三季度是旺季，使得本次8英寸晶圓代工景氣度遠超往年。
8寸晶圓的主要下遊需求主要來自功率器件、電源管理IC、CMOS圖像傳感晶片、指紋識別晶片和顯示驅動IC、MOSFET等，從行業發展驅動的角度看，近期5G通訊、消費電子終端多元化、汽車電動化以及工業網際網路都在帶動著模擬晶片和功率器件的持續需求發酵。
MOSFET主要有歐美、日韓、國產系列，從市場份額來看，安世半導體（nexperia）的汽車MOS管全球第二，小信號MOS管全球第三；從製造速度來看，AOS是中國國內第一家使用12寸晶圓生產製造功率MOSFET的公司；當然，在功率半導體領域活躍的還有眾多潛力無限的國產品牌，比如民族品牌LRC。
但由於MOSFET廠投片量通常較少且價格不如其他晶片好，在產能不足時，晶圓廠為讓產能分配最佳化且利潤最大化，MOSFET往往成為第一個受影響的對象。
MOSFET是指金屬-氧化物半導體場效應電晶體，即金氧半場效電晶體（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效電晶體（field-effect transistor）。
說了辣麼多，
重點來了，
在當下搶手的MOSFET中，
這些超高性價比原廠你不能錯過！
L2N7002系列·小信號MOFET
380 mAmps, 60 Volts N–Channel
特性：
①材料符合RoHS要求且不含滷素
②S-前綴，用於汽車和其他需要獨特站點和控制更改要求的應用；符合AEC-Q101標準並具有PPAP功能。
③ESD保護
④低RDS（on）
⑤封裝規格：SOT-23；SC-70；SC-74；SC-88等
應用：
低壓側負荷開關；電平轉換電路；DC-DC轉換器；可攜式應用程式，例如DSC，PDA，手機等
LN450系列/L2SK3018WT1G
Single N−Channel,SOT−23
特性：
①領先的平面技術，可實現低柵極電荷/快速切換
②額定電壓為2.5 V的低壓柵極驅動器
③SOT-23表面貼裝，佔地面積小
④符合AEC-Q101標準並具有PPAP功能（S-前綴產品）
應用：
可攜式負載/電源開關；負載/電源開關，用於計算；DC-DC轉換
AOB/AOT系列 N-Channel MOSFET（MV MOSFETs）
特性：
①使用Trench MOSFET技術，經過獨特的優化，可提供最有效的高頻開關性能。
②RDS（ON），Ciss和Coss的極低組合
③傳導和開關功率損耗都被最小化。
應用：
消費類電子，電信，工業電源和LED背光的升壓轉換器和同步整流器
AOD950A70/AOI950A70
700V, a MOS5 TM N-Channel Power Transistor
特性：
①低RDS（ON）
②優化的開關參數可提供更好的EMI性能
③增強的體二極體，具有堅固性和快速的反向恢復能力
應用：
用於SMPS充電器，適配器，照明的反激式
AOD1R4A70 / AOI1R4A70
700V, a MOS5 TM N-Channel Power Transistor
特性：
①專有的aMOS5TM技術
②低RDS（開）
③優化的開關參數可提供更好的EMI性能
④增強的體二極體，具有魯棒性和快速的反向恢復能力
應用：
用於SMPS的反激式;充電器,適配器,照明
BUK9系列邏輯級車規MOSFET
採用TrenchMOS技術的塑料封裝中的邏輯級N通道增強模式場效應電晶體（FET） 該產品經過設計並符合適用於汽車關鍵應用的AEC標準。
特性：
①符合AEC-Q101標準
②重複雪崩等級
③適用於高溫環境
④175°C時具有VGS（th）額定值大於0.5 V的真邏輯電平門
應用：
12 V汽車系統；電機，燈具和電磁閥控制；變速箱控制；超高性能電源開關
BUK7系列 標準車規MOSFET
採用TrenchMOS技術的LFPAK56（Power SO8）封裝中的標準級N溝道MOSFET。該產品經過設計並符合AEC Q101標準，適用於高性能汽車應用。
特性：
①雙MOSFET
②符合Q101
③重複雪崩等級
④額定溫度為175°C，適用於高溫環境
⑤標準電平門，在175°C時VGS（th）大於1 V
應用：
12 V汽車系統；電機，燈具和電磁閥控制；變速箱控制；超高性能電源開關
BUK6系列中級車規MOSFET
採用TrenchMOSFET技術的中功率DFN2020MD-6（SOT1220）表面安裝器件（SMD）塑料封裝中的N溝道增強模式場效應電晶體（FET）
特性：
①擴展溫度範圍Tj = 175°C
②側面可潤溼側面用於光學焊料檢查
③靜電放電（ESD）保護> 2 kV HBM（H2類）
④溝槽式MOSFET技術
⑤符合AEC-Q101
應用：
繼電器驅動器；高速線路驅動器；低側負載開關；開關電路
市場變幻莫測
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也很必要吶
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