半導體雷射器原理

2020-11-23 電子產品世界

  導讀:半導體雷射器原理聽起來很高大上的樣子,其實就是雷射二極體,是採用半導體材料作為工作物質而產生受激發射的一類雷射器。想要更多了解半導體雷射器,需要從以下的幾個方面,小編和大家一起學習,機遇對於有準備的頭腦有特別的親和力O(∩_∩)O~

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  半導體雷射器是指以半導體材料為工作物質的雷射器,又稱半導體雷射二極體(LD),

  是20世紀60年代發展起來的一種雷射器。半導體雷射器具有體積小,重量輕,運轉可靠,耗電少,效率高等有點,廣泛應用於光纖通信、光碟、雷射印表機、雷射掃描器、雷射指示器(雷射筆),軍事領域,如雷射制導跟蹤、雷射雷達、雷射引信、光測距、雷射通信電源、雷射模擬武器等。

  半導體雷射器一種在電流注入下能夠發出相干輻射光(相位相同、波長基本相同、強度較大)的光電子器件,其結構如下圖所示。外形及大小與小功率半導體三極體差不多,僅在外殼上多一個雷射輸出窗口。夾著結區的P區與N區做成層狀,結區厚為幾十微米,面積約小於1mm2。

  半導體雷射器是一種相干輻射光源,主要是依靠注入載流子工作的,要使它能產生雷射,必須具備三個基本條件:

  1) 通過高濃度參雜PN結的正向注入形成載流子分布發轉,使受激輻射佔優勢,即高能態粒子數足夠的大於處於低能態的粒子數;

  2) 有一個合適的諧振腔能夠起到反饋作用,使受激輻射光子增生,從而產生雷射震蕩;

  3) 正向電流密度達到或者超過閥值,即增益至少等於損耗,以使光子增益等於或大於光子的損耗。

  簡單來講,工作三要素:受雷射輻射、諧振腔、增益大於等於損耗。

4. 半導體雷射器原理—工作原理

  半導體雷射器工作原理是通過一定的激勵方式,在半導體物質的能帶(導帶與價帶)之間,或者半導體物質的能帶與雜質(受主或施主)能級之間,實現非平衡載流子的粒子數反轉,當處於粒子數反轉狀態的大量電子與空穴複合時,便產生受激發射作用,產生雷射。半導體雷射器產生激勵的方式主要有以下三種,即電注入式、光泵式和高能電子束激勵式:

  1) 電注入式半導體雷射器一般是由GaAS(砷化鎵)、InAS(砷化銦)、Insb(銻化銦)等材料製成的半導體面結型二極體,沿正向偏壓注入電流進行激勵,在結平面區域產生受激發射。

  2) 光泵浦激勵式半導體雷射器一般用N型或P型半導體單晶(GaAS、InAs、InSb等)作為工作物質,以其它雷射器發出的雷射作光泵激勵。

  3) 高能電子束激勵式半導體雷射器一般用N型或者P型半導體單晶(PbS、CdS、ZhO等)作為工作物質,通過由外部注入高能電子束進行激勵。

  以上是關於半導體雷射器的一些簡單的介紹,希望對大家有幫助,相關的知識還有很多很多,小編精心選取了四篇關於半導體雷射器的文章,希望大家多多學習,強化對半導體雷射器的了解。。。

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