魅族65W氮化鎵充電器內置9顆真茂佳MOS

近日，魅族發布了一款65W三口氮化鎵快充充電器。據了解，這是目前手機品牌中首款基於國產氮化鎵功率器件開發的GaN充電器，對國產氮化鎵快充技術的發展起到了積極地推動作用。

此外，充電頭網通過拆解還了解到，深圳真茂佳半導體有限公司也是魅族65W三口氮化鎵充電器主力供應商，該產品內置了9顆真茂佳ZM062N03M MOS管。

魅族65W三口氮化鎵充電器

充電頭網通過拆解分析得知，魅族65W氮化鎵快充充電器內部採用開關電源+DC-DC二次降壓輸出架構，開關電源部分採用英諾賽科InnoGaN開關管，二次降壓部分設有三路獨立輸出，每一路輸出均採用了三顆真茂佳MOS，一共9顆。

魅族65W三口氮化鎵充電器的兩路USB-C輸出配置完全一致，每一路設有三顆真茂佳ZM062N03M，其中兩顆用於配合南芯SC8002實現降壓輸出，另外一顆則作為VBUS開關管。

USB-A口同樣採用了三顆真茂佳ZM062N03M，兩顆配合降壓輸出，另一顆用作VBUS開關管。

從產品規格書中可以看到，真茂佳ZM062N03M一款30V的NMOS管，具有極低的RDS(ON)，是負載開關和電池保護應用的理想選擇。此前該型號MOS就已被優勝仕18W 1A1C USB PD快充充電器採用，並獲得良好的客戶反饋；本次獲得魅族氮化鎵快充供應鏈的認可並成為其主力供應商，也進一步佐證了真茂佳MOS優良性能。

關於真茂佳

深圳真茂佳半導體有限公司是一家以技術、市場為導向技術領先的功率半導體國家高新技術企業。創始團隊具有20年以上的半導體製造管理、市場開發經驗，核心研發人員均擁有至少15年以上功率半導體器件的設計經驗；其中海外設計人員長期從事汽車級MOSFET產品的設計開發，也是國際上少數最早參與車用Trench MOSFET和Double gate MOSFET的設計人員之一。

公司基於汽車功率半導體器件平臺技術打造高可靠性產品，目前主要產品有溝槽MOSFET（20-200V）、SGT MOSFET（30-150V）、超級結MOSFET（600-900V）、集成快恢復二極體MOSFET（500-600V）。