真茂佳推出數十款MOS,20W-120W快充產品都可用

2020-12-04 電子發燒友

真茂佳推出數十款MOS，20W-120W快充產品都可用

深圳真茂佳半導體 發表於 2020-12-02 09:58:34

深圳真茂佳半導體有限公司是一家以技術、市場為導向技術領先的功率半導體國家高新技術企業。

公司設計團隊來自國內外頂尖功率半導體IDM企業的核心設計人員，並擁有至少15年以上設計經驗；其中海外設計人員長期從事汽車級MOSFET產品的設計開發，也是少數最早參與車用Trench MOSFET和Double gate MOSFET的設計人員之一。

公司中低壓MOS涵蓋N型和P型，反壓覆蓋-12V至200V，導通電阻低至1mΩ以下。針對電源領域尤其是PD電源和快充領域公司主推SpeedFET系列產品，該系列產品擊穿電壓30V-150V、導通0.65-15mΩ、驅動電壓均支持4.5V。該系列產品有比肩世界一流產品的優值（Qg*Rdson、Qgd*Rdson）和比導通電阻（Rdson*Area）。

公司針對PD電源和快充領域主推650-700V高壓MOS，器件使用業內領先的超結技術，同樣實現了業內領先的優值（Qg*Rdson）和比導通電阻（Rdson*Area）。為了提升器件可靠性，器件集成了ESD保護功能，有效減少了外部幹擾對器件的損害，提升了器件裝配和使用過程中的可靠性。同時器件集成可調Rg電阻能夠有效控制器件的開關速度，解決了超結器件使用過程中經常遇到的EMI問題。通過優化漂移區N和P柱的摻雜分布實現了高EAS特性，有效提升了器件的抗衝擊能力。

核心競爭力介紹：

通過柵極自鉗位專利技術，使得器件使用過程中產生的VGS尖峰電壓實現了行業最低水平。通過屏蔽柵阻尼網絡專利技術可以使器件使用過程的Vds尖峰控制在較低水平。

通過優化器件的縱向摻雜分布使器件的電容曲線平滑，有效提升了EMI能力。針對同步整流應用，優化了寄生二極體的反向恢復特性。

通過提高二極體的軟恢復因子，可以有效抑制尖峰提升EMI能力。

聯繫方式：

電話：0755-21006030

E-Mail：Contact@zmjsemi.com

真茂佳將在12月18日參加充電頭網2020（冬季）USB PD＆Type-C亞洲展，展位號A08，感興趣的小夥伴可前往展臺進一步交流。

溫馨提示

充電頭網

2020（冬季） USB PD＆Type-C亞洲展

將在12月18日於中國-深圳舉辦

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