透明導電膜,你真的了解嗎?

2021-01-19 勢銀膜鏈


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透明導電膜(Transparent Conductive Oxide,TCO)是在可見光範圍內具有高透明率具有導電特性的一種薄膜,為晶粒尺寸數百納米的多晶層,主要用於光電器件如液晶顯示器的透明電極、觸控螢幕、薄膜太陽能電池的透明電極等。


上述透光度和導電性是兩個相互牽制的指標,一般來講,導電性提高,透光度就會下降,反之也一樣。


目前常見的透明導電薄膜包括ITO(Indium Tin Oxides錫摻雜三氧化銦)、GZO(Gallium Zinc Oxides鎵摻雜氧化鋅)、AZO(Aluminum Zinc Oxides鋁摻雜氧化鋅)等,這些氧化物只吸收紫外光,不吸收可見光,是「透明」的導電膜。


透明導電膜材料的研究起步於19世紀末,當時是在光電導材料上塗上很薄的金屬薄膜;到了1950年,第二種透明導電膜In2O3被製成,ITO導電膜開始在透明導電膜方面得到普遍應用;在最近20年裡,透明導電膜應用主要以ITO材料為主,而在製程上以磁控濺鍍工藝為主。



透光度和導電性:魚與熊掌不可兼得


透明導電膜的性能指標主要有兩個:透光度和導電性。


以目前透明導電膜的主流材料——ITO導電膜為例,影響ITO薄膜導電性能的幾個因素包括:ITO薄膜的面電阻(γ)、膜厚(d)和電阻率(ρ),這三者之間的相互關係是:γ=ρ/d,即為了獲得不同面電阻的ITO薄膜,實際上就是要獲得不同的膜厚和電阻率。


從上述公式可以看到,ITO薄膜的導電性要好(即面電阻值要低),在電阻率一定的情況下(電阻率是製備工藝的關鍵,難度較大),膜厚要增加,這樣會導致ITO薄膜的透光性能下降,反之亦然。


所以,ITO薄膜電阻率的大小是ITO薄膜製備工藝的關鍵,要獲得好的透光度和導電性,就需要儘量小的電阻率(ρ)。


影響電阻率(ρ)大小的因素主要包括載流子濃度、載流子遷移率等,載流子濃度或載流子遷移率越大,薄膜的電阻率就越小。


在控制條件上,載流子濃度可以通過調節ITO沉積材料的錫含量和氧含量來實現,而載流子遷移率則與ITO薄膜的結晶狀態、晶體結構等相關,可以通過調節薄膜沉積時的沉積溫度、濺射電壓和成膜條件等來實現。



透明導電膜的應用


透明導電膜下遊應用非常廣泛,主要用於光電器件如液晶顯示器的透明電極、觸控螢幕、薄膜太陽能電池的透明電極等領域。


根據NanoMarket在2010年的預測,僅液晶顯示器的透明電極、觸控螢幕、薄膜太陽能電池的透明電極等高端應用對透明導電膜的需求到2017年將達到5億平方米,透明導電膜的市場將由2010年的24億美元增長到2017年的76億美元,年均複合增長率為17.9%,而整個透明導電膜的市場規模則遠超百億美元規模。


液晶顯示器的透明電極:液晶顯示器之所以能顯示特定的圖形,主要是將導電玻璃上的透明導電膜蝕刻製成特定形狀的電極,在這些電極上加適當電壓信號後,使具有偶極矩的液晶分子在電場作用下特定的方面排列,進而顯示出與電極波長相對應的圖形。


目前液晶顯示器的透明電極以ITO膜的透光率和導電性能最好,而且容易在酸液中蝕刻出微細圖形。


觸控螢幕是最近幾年透明導電膜發展最大的動力來源,由於進入門檻低、靈敏度差、使用壽命短,電阻觸控螢幕走向衰落已成定局,目前性能更優的投射式電容屏是主流。


透明導電膜在太陽能領域的應用主用用於薄膜太陽能電池的透明電極,有別於LCD中以ITO為主要的透明電極材料,太陽能電池的透明電極材料是以氧化錫(SnO2)或氧化鋅(ZnO)為主,主要基於太陽能電池和LCD在製程和材料特性需求上有所不同。



透明導電膜市場需求的三個維度


目前ITO導電膜主要用於液晶顯示器的透明電極、觸控螢幕(TP)及薄膜太陽能電池的電極等領域,雖然產品下遊應用領域非常廣泛,但我們認為目前ITO導電膜的需求增量主要來自下遊觸控螢幕行業的發展,伴隨最近幾年觸控螢幕行業需求的爆發性增長,上遊ITO導電膜的需求也隨之快速增長。


而根據NanoMarket在2010年的預測,上述高端應用對透明導電膜的需求到2017年將達到5億平方米,透明導電膜的市場將由2010年的24億美元增長到2017年的76億美元,年均複合增長率為17.9%,整個透明導電膜的市場規模遠超百億美元規模。



新型透明導電膜


依據Touch Display Research在2015年的報告得知,非ITO透明導電膜之市場將逐漸地上升,其趨勢如圖所示。


預計在2018年取代ITO的透明導電膜市場高達40億美元的規模;當到2022年時,則將超過百億美元,此龐大的市場規模主要來自軟性觸控、軟性顯示器、軟性太陽能電池與其他軟性電子元件未來幾年蓬勃發展的趨勢。


Touch Display Research預測非ITO透明導電膜市場趨勢圖


GZO透明導電膜


Ga摻雜ZnO(GZO)透明導電薄膜可以用於各種電子器件,例如太陽能電池、平板顯示器、光伏器件等,是最有前景的透明導電氧化物(TCO)之一。


去年4月20日,化學工業日報就提到,中家製造所展開柔性GZO(鎵添加酸化亞鉛)透明導電薄膜的商業應用。


GZO透明導電膜


ZnO基薄膜


目前,ZnO基薄膜的研究進展迅速,材料性能已可與ITO相比擬,從原料看,ZnO使用的是Zn,其產量遠高於ITO所使用的In,材料成本低。


 ZnO基導電膜中以AZO薄膜的研究最為廣泛,它的突出優勢是原料易得,製造成本低廉,無毒,易於實現摻雜,且在等離子體中穩定性好,因而有可能成為ITO的替代產品。


另外,GZO與ITO同為無機材料,電阻值、光穿透率表現相近,且價格極具吸引力,也是目前被看好的替代方案之一。


業界如臺灣工研院已攜手臺灣設備廠啟動GZO薄膜試產,可將厚度僅0.1毫米(mm)的GZO塗布於玻璃上,並將鎖定軟性背板,推行與卷對卷(Roll to Roll )製程相容的解決方案,目前主要還是良率的問題。


導電高分子


隨著性能的不斷提高,導電高分子材料被不斷用於電子器件的生產當中,其能用印刷技術製造,且能應用在彎曲性電子產品上。


在眾多導電高分子材料中,目前受關注度最高的是PEDOT(聚乙撐二氧噻吩),像普利司通(Bridgestone)2009年發布的電子紙試製品上就採用了PEDOT類高分子,科研人員特別是日本研究機構一致在致力於PEDOT類導電高分子的研究,目前唯一的難點在於如何同時確保透光性和導電性。


碳納米管

 

碳納米管作為一維納米材料,重量輕,六邊形結構連接完美,具有許多異常的力學、電學和化學性能,是納米的延伸技術,包括納米Ag線技術、石墨烯薄膜等等。


目前在納米Ag線技術較成熟的以美商康世醫療(Carestream Advanced Materials)的FLEXX透明導電薄膜為主,具備高撓曲性、低阻值、高透光率等優勢,能作為取代ITO導體材料,還有一些廠商嘗試利用納米印刷技術將Ag絲在薄膜上印刷圖案來作為透明電極使用,這些廠商包括大日本印刷和富士膠片。


韓國三星集團聯合一些科研機構在2010年用石墨烯薄膜製做了30英寸的柔性透明電極。


來源:薄膜新材網整合

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