格林達:金屬銅、鉬以及合金製程蝕刻過程中電化學機理研究光刻膠用...

格林達:金屬銅、鉬以及合金製程蝕刻過程中電化學機理研究光刻膠...

同花順金融研究中心10月27日訊，有投資者向格林達提問，貴公司：公司在半導體材料研發方面，具體的項目有哪些，請詳細介紹一下！謝謝！公司回答表示，感謝關注。「半導體集成電路級高純綠色四甲基氫氧化銨顯影液專用化學品開發」，「金屬銅、鉬以及合金製程蝕刻過程中電化學機理研究」和「光刻膠用顯影液（極大規模集成電路用）」等均為目前正在從事的相關研發項目。具體請查閱公司招股說明書和相關披露。謝謝。來源: 同花順金融研究中心

淺談PCB設計上的光刻膠蝕刻

打開APP 淺談PCB設計上的光刻膠蝕刻上海韜放電子發表於 2020-12-31 11:38:58 　　大型PCB製造商使用電鍍和蝕刻工藝在板上生產走線

光刻膠的分類和技術趨勢

鑑於光刻膠的這種特性，可以用來在納米級的晶片上蝕刻線路圖。我們可以在矽晶圓片上布置一層僅幾納米厚的金屬層，然後在上面塗一層光刻膠。然後我們可以用光把掩膜板，也就是類似「底片」上的電路圖，照射到光刻膠上，讓需要蝕刻的部位受光，需要保留的部位不受光，這就是所謂的「光刻」工藝。接著，用顯影液把受光的區域洗掉，掩膜板上設計好的線路圖就這麼「複製」到矽晶圓片上了。

生產晶片用的蝕刻機和光刻機有什麼區別?

於是在長期的探索中，科學家就找到了兩種物質：一種我們比較熟悉——金屬，另一種是光刻膠。這兩種物質有什麼奇特的地方呢?又跟晶片製造有什麼關係呢?　　簡單說，光刻膠可以被光侵蝕掉，但是化學物質沒法侵蝕掉它;金屬不會被光侵蝕掉，而化學物質卻可以侵蝕掉它。

一文看懂光刻膠

2019年中國光刻膠市場本土企業銷售規模約70億元，全球佔比約 10%，發展空間巨大。目前，中國本土光刻膠以PCB用光刻膠為主，平板顯示、半導體用光刻膠供應量佔比極低。中國本土光刻膠企業生產結構可以如圖所示。

光刻膠:晶片產業鏈形成的關鍵原料

光刻膠是利用光化學反應經光刻工藝將所需要的微細圖形從掩模版轉移到待加工基片上的圖形轉移媒介。作用原理是利用紫外光、準分子雷射、電子束、離子束、X 射線等光源的照射或輻射,使其溶解度發生變化的耐蝕刻薄膜材料。

被日美高度壟斷的光刻膠行業,「國產化」企業都有哪些?

接著，再用化學品將多餘的部分溶解清洗掉，於是就形成了與光掩膜完全對應的電路圖，後面通過蝕刻將所需要的圖形加工到矽片上，於是矽片上的電路圖就出來了。光刻膠目前能應用在模擬半導體、發光二極體、微機電系統、太陽能光伏、微流道和生物晶片、光電子器件以及封裝上面。2. 分類光刻膠的技術複雜，品種較多。根據其化學反應機理和顯影原理，可分負性膠和正性膠兩類。

半導體材料行業專題報告:光刻膠,高精度光刻關鍵材料

另外，光刻膠的技術要求高，所有的技術指標都必須達標，因此除上述三個硬性指標外，好的光刻膠還必須具有強蝕刻阻抗性、高純度、低溶解度、高粘附性、小的表面張力、低成本、長壽命周期以及較高的玻璃化轉換溫度。光刻膠應用領域寬闊，半導體光刻膠尤為重要光刻膠經過幾十年不斷的發展和進步，應用領域不斷擴大。

光刻機VS蝕刻機:同是晶片製造機,命運分兩極

這倆機器最簡單的解釋就是光刻機把電路圖投影到覆蓋有光刻膠的矽片上面，刻蝕機再把剛才畫了電路圖的矽片上的多餘電路圖腐蝕掉，這樣看起來似乎沒什麼難的，但是有一個形象的比喻，每一塊晶片上面的電路結構放大無數倍來看比整個北京都複雜，這就是這光刻和蝕刻的難度。

光刻作為製造半導體微圖形工藝核心,國產光刻膠發展現新機?

曝光區域的光刻膠發生化學變化，在隨後的化學顯影過程中被去除。最後掩模的圖案就被轉移到了光刻膠膜上。而在隨後的蝕刻或離子注入工藝中，會對沒有光刻膠保護的矽片部分進行刻蝕，最後洗去剩餘光刻膠。這時光刻膠的圖案就被轉移到下層的薄膜上，這種薄膜圖案化的過程經過多次迭代，聯同其他多個物理過程，便產生集成電路。

TFT-LCD open cell製程介紹

首先在玻璃基板上塗布一層金屬，然後塗上光阻膠，最後通過暴光、顯影、蝕刻和除膠而形成gate metal。塗布的金屬材料主要成分為：鈦（TI）、鋁（AL）、鉬（MO）和鉻（CR）以及其混合物。首先在a-si上塗布一層金屬材料來作為source metal和drain metal，然後在金屬材料上塗布光阻膠並通過暴光、顯影、蝕刻和除膠而形成所需形狀。Source metal和drain metal主要成分為：鈦（TI）、鋁（AL）、鉬（MO）和鉻（CR），這與gate metal相同。

90%市場被國外廠商壟斷光刻膠國產化急需提速!-半導體,光刻膠,CPU...

具體來說，在光刻前首先對於晶圓表面進行清洗，主要採用相關的溼化學品，包括丙酮、甲醇、異丙醇、氨水、雙氧水、氫氟酸、氯化氫等。晶圓清洗以後用旋塗法在表面塗覆一層光刻膠並烘乾以後傳送到光刻機裡。在掩模版與晶圓進行精準對準以後，光線透過掩模版把掩模版上的圖形投影在光刻膠上實現曝光，這個過程中主要採用掩模版、光刻膠、光刻膠配套以及相應的氣體和溼化學品。

有人說我國光刻機突破5nm製程,實際是沒搞懂光刻機和蝕刻機區別

我以前寫過一篇介紹晶片生產過程的小文章，《通俗的說一說：一堆沙子是如何變成晶片的》，有興趣的朋友可以看看。晶片製程過程大致可以分為以下幾個步驟：生產單晶矽-->光刻-->蝕刻-->摻雜-->鍍銅-->拋光-->測試-->切割-->封裝。

新材料專題報告之溼電子化學品行業深度研究

光刻工序中，基片前處理、勻膠、顯影和剝離步驟需要使用溼電子化學品。光刻所涉及到的光刻膠配套試劑包括用於光刻膠稀釋用溶劑、塗膠前用於基片表面處理的表面處理劑（如六甲基二矽胺烷）、曝光之後的顯影劑（四甲基氫氧化銨水溶液）、去除基片上殘餘光刻膠的去膠劑（包括硫酸、過氧化氫、N-甲基吡咯烷酮及混合有機溶劑組成的去膠劑、剝離液等）。

半導體國產化投資機會系列二:光刻膠,半導體製程關鍵材料

本文將會為大家介紹半導體製程中最為關鍵材料，光刻膠。2019年下半年，日本限制對韓國的半導體的相關原材料的出口，其中包括了最重要的就是光刻膠。韓國是全球最大的半導體生產國之一，三星、SK海力士兩家公司就控制了全球超過50%的快閃記憶體、超過75%的內存生產，大量進口日本的原材料，日本政府希望用這些公司卡韓國脖子。

蝕刻機和光刻機的區別

這倆機器最簡單的解釋就是光刻機把電路圖投影到覆蓋有光刻膠的矽片上面，刻蝕機再把剛才畫了電路圖的矽片上的多餘電路圖腐蝕掉，這樣看起來似乎沒什麼難的，但是有一個形象的比喻，每一塊晶片上面的電路結構放大無數倍來看比整個北京都複雜，這就是這光刻和蝕刻的難度。

一個讓韓國喝了一壺的產業光刻膠國產替代龍頭戰略配置時機來臨

2020年2月27日，雅克科技子公司斯洋國際與LG 化學籤署協議，購買LG化學下屬的彩色光刻膠事業部的部分經營性資產，主要包括與彩色光刻膠業務相關的部分生產機器設備、存貨、智慧財產權類無形資產、經營性應收帳款等。通過併購掌握彩色光刻膠和TFT-PR光刻膠的技術面板光刻膠可分為 LCD 用膠和 OLED 用膠。

四部門強推,光刻膠迎來利好,相關領域標的有望受益

來源：一財網9月23日午後，光刻膠概念直線拉升，截至發稿，捷捷微電漲逾14%，格林達漲停，金力泰、高盟新材、容大感光等多股紛紛跟漲。近日，發改委等四部委印發《關於擴大戰略性新興產業投資壯大新增長點增長極的指導意見》。

新知丨日韓之爭被作「殺手鐧」,氟化氫、光刻膠、氟聚醯亞胺是什麼...

首先半導體行業使用的氫氟酸是指高純度的電子級氟化氫，電子級就是金屬雜質含量小於100ppb（十億分之一）的中小規模集成電路及電子元件加工工藝。　　在半導體製造工藝中，氟化氫主要用於去除不必要化學物質、等離子刻蝕、光刻膠圖案等。目前半導體製造主流的兩種蝕刻技術分別是「乾式蝕刻」和「溼式蝕刻」。

探討PCB光刻膠專用化學品行業基本概況

幹膜光刻膠是由預先配製好的液態光刻膠（Photoresist）在精密的塗布機上和高清潔度的條件下均勻塗布在載體聚酯薄膜（PET膜）上，經烘乾、冷卻後，再覆上聚乙烯薄膜（PE膜），收卷而成卷狀的薄膜型光刻膠。