格林達:金屬銅、鉬以及合金製程蝕刻過程中電化學機理研究 光刻膠...

2020-12-06 同花順財經

同花順金融研究中心10月27日訊，有投資者向格林達提問， 貴公司：公司在半導體材料研發方面，具體的項目有哪些，請詳細介紹一下！謝謝！

公司回答表示，感謝關注。「半導體集成電路級高純綠色四甲基氫氧化銨顯影液專用化學品開發」，「金屬銅、鉬以及合金製程蝕刻過程中電化學機理研究」和「光刻膠用顯影液（極大規模集成電路用）」等均為目前正在從事的相關研發項目。具體請查閱公司招股說明書和相關披露。謝謝。

來源: 同花順金融研究中心

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  • 一文看懂光刻膠
    在光刻和蝕刻生產環節中，光刻膠塗覆於晶體薄膜表面，經曝光、顯影和蝕刻等工序將光罩（掩膜版）上的圖形轉移到薄膜上，形成與掩膜版對應的幾何圖形。在大規模集成電路的製造過程中，一般要對矽片進行超過十次光刻。在每次的光刻和刻蝕工藝中，光刻膠都要通過預烘、塗膠、前烘、對準、曝光、後烘、顯影和蝕刻等環節，將光罩（掩膜版）上的圖形轉移到矽片上。
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    接著，再用化學品將多餘的部分溶解清洗掉，於是就形成了與光掩膜完全對應的電路圖，後面通過蝕刻將所需要的圖形加工到矽片上，於是矽片上的電路圖就出來了。光刻膠目前能應用在模擬半導體、發光二極體、微機電系統、太陽能光伏、微流道和生物晶片、光電子器件以及封裝上面。2. 分類光刻膠的技術複雜，品種較多。根據其化學反應機理和顯影原理，可分負性膠和正性膠兩類。
  • 生產晶片用的蝕刻機和光刻機有什麼區別?
    於是在長期的探索中，科學家就找到了兩種物質：一種我們比較熟悉——金屬，另一種是光刻膠。這兩種物質有什麼奇特的地方呢?又跟晶片製造有什麼關係呢?　　簡單說，光刻膠可以被光侵蝕掉，但是化學物質沒法侵蝕掉它;金屬不會被光侵蝕掉，而化學物質卻可以侵蝕掉它。
  • 半導體材料行業專題報告:光刻膠,高精度光刻關鍵材料
    在一次晶片製造中，往往要對矽片進行上十次 光刻，其主要流程為清洗、塗膠、前烘、對準、曝光、後烘、顯影、刻蝕、光刻膠剝離、離子注入等。在光刻 過程中，需在矽片上塗一層光刻膠，經紫外線曝光後，光刻膠的化學性質發生變化，通過顯影后，被曝光的光 刻膠將被去除，電路圖形由掩膜版轉移到光刻膠上，再經過刻蝕工藝，實現電路圖形由光刻膠轉移到矽片上。
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    首先在玻璃基板上塗布一層金屬，然後塗上光阻膠，最後通過暴光、顯影、蝕刻和除膠而形成gate metal。塗布的金屬材料主要成分為：鈦（TI）、鋁（AL）、鉬（MO）和鉻（CR）以及其混合物。首先在a-si上塗布一層金屬材料來作為source metal和drain metal，然後在金屬材料上塗布光阻膠並通過暴光、顯影、蝕刻和除膠而形成所需形狀。Source metal和drain metal主要成分為：鈦（TI）、鋁（AL）、鉬（MO）和鉻（CR），這與gate metal相同。
  • 光刻作為製造半導體微圖形工藝核心,國產光刻膠發展現新機?
    曝光區域的光刻膠發生化學變化，在隨後的化學顯影過程中被去除。最後掩模的圖案就被轉移到了光刻膠膜上。而在隨後的蝕刻 或離子注入工藝中，會對沒有光刻膠保護的矽片部分進行刻蝕，最後洗去剩餘光刻膠。這時光刻膠的圖案就被轉移到下層的薄膜上，這種薄膜圖案化的過程經過多次迭代，聯同其他多個物理過程，便產生集成電路。
  • 90%市場被國外廠商壟斷 光刻膠國產化急需提速!-半導體,光刻膠,CPU...
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