下來介紹一下光源參數，包括色溫、顯色性，發光效率。我參加本次會議受到很多的啟發，光源的壽命以及成本大家都比較熟悉。現有的這些光源，它的一些指標都列在這裡，由於時間關係就不說了，大家可以看一下。
現在主要存在的問題：真空器件體積大，易碎，發光效率低，原因是白熾燈低溫黑體輻射，日光燈短波紫外線激發波長更長的紅綠藍螢光粉發光，能量效率低，壽命短。 我們要分析一下對光有一個基本的要求，就是要適應我們眼睛的需要，要和我們眼睛的特性要匹配，眼睛的特性實際上是太陽光照射了以後長期形成了我們眼睛的特性，也就是說，我們照的這個光，光譜的分布要儘量接近太陽光的光譜。現在有兩個途徑，一個是要通過黑體輻射，一個是通過不同色光的合成。現在我們用的這個燈就正好是這兩個技術其中的一種。因為我們主要介紹了半導體的
白光照明，所以主要介紹一下不同色光如何來合成
白光。
根據黑體輻射原理製成的白熾燈，由於色溫不可能太高，大部分能量轉變成了紅外輻射，這部分對照明沒有貢獻，使發光效率降低，不同色光合成
白光有不同的合成，可以是兩種、三種或更多種色光合成白光，色種用得多的話，它的象素就高，但是流明效率降低，這與對合成白光的質量要求有關。一般來說，用RGB三種色光合成白光可同時滿足發光效率、顯色指數、色溫等要求。 由理論處理可知，若色溫為6500K，顯色指數大於90，只有當三色波長分別為455、530和610納米時，所合成的白光流明效率最高可達300lm/W。 紅綠藍半導體
LED的問世為實現固體白光照明提供了可能性。發光二級光（
LED）是一種將電能直接轉換為光能的半導體電致發光（EL）器件。現在由氮化物來產生紅光還是有困難的，現在實驗室正在做。氮化鉀基材料與器件的優點，具有寬的直接帶隙，A1N 6.2eV、氮化鉀3.4eV。正因為這樣，白光
LED的優點直流驅動、相應快、體積小、壽命長、全固體、結構簡單、無毒、耐候性好、理論光效率高。白光LED被認為是二十一世紀的新光源，有可能代白熾燈和日光燈成為照明市場的主導，全球的照明市場約為500億美元，若白光LED真正能用於日常的照明，由於其節能燈多種突出的優點，所以被廣泛的應用。
白光LED發展的現狀我們在這裡簡單介紹一下。一個是白光合成途徑研究進展，白光的合成途徑大體上有三條路可以走，第一條路是紅綠藍，LED是紅綠藍合成了白光，但這種辦法主要的問題是綠光的轉換效率，現在紅綠藍LED牆插入效率分別達30％、10％和25％，白光流明效率可達60lm/W。通過進一步提高藍綠光LED的流明效率，則白光流明效率可達200lm/W。由於合成白光所要求的色溫和顯色指數不同，對合成白光的各色LED流明效率有不同的。第二條路是用LED＋不同色光螢光粉：第一個方法是用紫外或紫光（300－400納米）LED＋RGB螢光粉來合成LED，這種工作原理和日光燈是類似的，但是比日光燈性能要優越，令紫光（400納米）LED的轉換係數可達0.8，各色螢光粉的量子轉換效率可達0.9；還有一個辦法是用藍光LED（460納米）＋紅綠螢光粉，藍光LED效率60％，螢光粉效率70％；還有是藍光LED＋黃（YAG）再加上紅來構成白光，目前在市場上用的就是這種。第三條路是用單晶片形成白光，只要一個晶片，然後就可以形成白光，這種技術現在還在做，這條路到底能否走通，現在還不能下結論，但是已經有一些結果了，有兩種方式，一種是光載的，一種是光子載束的。
我們來看看這三個途徑。
第一個途徑三色LED合成白光綜合性能最好，在高顯色指數下，流明效率有可能高達200lm/W，要解決的主要技術難題是提高綠光LED的電光轉換效率，目前只有13％左右，同時成本高。
第二個途徑，LED激發螢光粉形成白光是一條綜合性能適中、成本較低、近期內可能實現化的途徑，尤其是藍光LED（460納米）和黃紅粉結合具競爭力，但流明效率難以達到長遠目標值，紫外LED（360納米）和技術較未成熟的紅率藍粉結合也是一條較易實現的。
固態白光最新進展，最新研製的藍光LED和螢光粉構成的固態白光器件：到今年為止國際上做的最好的就是碳化矽，它的流明效率可以做到75lm/W。還有是藍寶石做襯底，這個價格較便宜，流明效率可以做到每瓦61.4lm。
LED研究進展，研究目的：實現高效率、高功率、長壽命器件。技術難題：降低缺陷密度、改善歐姆接觸、電場均勻性、提高光引出率、降低溫升等。主要措施：側向生長、匹配襯底、封裝技術改進等。主要進展：藍光外量子效率：36－39％。
從晶片來說，襯底材料，一個是晶片外延技術，還有是LED器件的製作。現在這幾方面都取得了比較大的進展。在藍寶石上，因為它的襯底不匹配，所以採取了側向外延的技術，最後性能取得了比較大的改進。
在藍博士上LED的性能，儘管採取了很多措施，但還是不如在碳化矽上做的不光是藍寶石也好或者是碳化矽也好，都是不匹配的，匹配的工藝做起來難度比較大。大家看這個圖，這是在氮化鋁這個襯底上做的結果，所用襯底材料分別為AlN晶體和SiC晶體以及GaN和藍寶石，分別在其上製作多量子井紫外發光器件。
晶片研究的進展結果： 1、基於藍寶石襯底的藍、綠、紫及紫外LED目前所獲得的最佳性能是在採取側向生長等技術的基礎上取得的，目的在於減小位錯密度，藍、紫器件的外量子效率約40％，而綠、紫外器件約15％，離目標值分別相差2－6倍，基於該晶片的白光性能改進主要依賴於螢光粉和封裝技術的改進。
2、由於碳化矽上所做的器件具有更小的位錯密度，基於該襯底的各色光LED性能仍優於上述藍寶石襯底側向生長的LED性能，但由於該襯底材料較藍寶石貴7－10倍，有關性能優化的研究工作做的相對較少，也許還有較大的潛力可挖。但是碳化矽的價錢比較貴，買這個東西的投資太大了。
3、分別用碳化矽和氧化鋁以及GaN和藍寶石作為襯底材料所做的發光期間對比實驗表明，它們的紫外發光特性具有數量級的差別，說明基於匹配襯底所做的低缺陷密度LED有可能獲得最佳的發光性能。（包括流明效率和單管產生的數據）。
螢光粉研究的情況，和晶片情況來比較說的話，不可做調整的螢光粉，黃分量子效率已提高至7％，紅色還繼續我們繼續來做。用溶膠凝膠法將厚度為2納米的二氧化矽包裹在直徑為數10納米的Zes螢光粉粒外面。
封裝技術研究進展，對功率型LED封裝的技術要求，1、儘可能實現良好的混色效果；2、儘可能提高光輸出效率；3、儘可能降低器件的溫度。倒封優點--導電好，電場均勻，散熱好，有利於提高單管光功率輸出。
這一張是我們前幾天在大連開會的時候做的演示，發光效率達到100lm/W，單只LED的光通量達到100lm，可靠性2萬小時，成本是0.02元/lm在這個情況之下就可以走向市場。
各個國家都有照明發展計劃。這是美國的固體照明發展計劃，到2020年每W是200lm，和白熾燈、日光燈都有比較。 我國現在在大連、上海、南昌、廈門都有基地。
現在存在的問題：1、效率低，尚未達到和超過螢光燈的水平；2、價格高，目前難於在照明領域推廣。3、有一系列理論、技術和工藝問題亟待解決。
一個是一個Defect Density密度，還有就是剛才我們說的襯底材料，這個難度非常大，我今天沒有時間詳細說了，可以說這是國際上的一個難題，另外一個問題就是光抽取效率仍需提高，白光LED的顯色性差，目前已實用化的白光LED只有藍光LED＋YAG螢光粉
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