ALD製程可望成為64層以上3D NAND Flash解決方案

2020-11-22 OFweek維科網

垂直通道填充金屬系3D NAND Flash朝64層以上垂直堆疊發展的關鍵課題之一，原子層沉積(Atomic Layer Deposition；ALD)製程可於高深寬比(High Aspect Ratio)垂直通道中，大面積形成均勻性薄膜，且具備良好的階梯覆蓋性(Step Coverage)，故適用於更多層3D NAND Flash垂直通道填充金屬，然其存在沉積速度較慢及所需材料成本較高等問題。

ALD系化學氣相沉積(Chemical Vapor Deposition；CVD)的一種，與另一CVD技術電漿輔助化學氣相沉積(Plasma-Enhanced CVD；PECVD)相較，ALD採用依序注入第一種與第二種前驅物(Precursor)作為反應氣體的方式，來蒸鍍薄膜，此不同於PECVD運用電漿的蒸鍍技術，同時蒸鍍兩種以上前驅物進行化學反應。

觀察ALD的優點，其可準確控制膜厚，以原子級精準度形成大面積的均勻薄膜，且適於在凹凸結構蒸鍍階梯覆蓋性佳的薄膜，反觀PECVD則不易在凹凸結構或深孔圖樣達成厚度一致的薄膜，故ALD製程可望成為64層以上3D NAND Flash垂直通道填充金屬的解決方案。

不過，ALD因依序注入反應氣體以蒸鍍薄膜，其沉積速度較PECVD慢，相對需較長製程時間，且ALD所需前驅物數量較多，易使沉積成本增加。

3D NAND Flash朝64層以上發展，需於沉積與蝕刻面改良薄膜沉積、垂直貫穿通道、通道填充金屬等製程，其中，薄膜沉積製程時間延長，垂直貫穿通道需改採成本較高的乾式蝕刻技術，而通道填充金屬所需ALD製程亦存在製程時間與成本增加等問題，使得如何因應成本上揚將成3D NAND Flash發展更多層技術的重要課題。

相關焦點

  • ald 文章
    液化空氣集團電子氣業務線近日宣布，其應用於半導體製造的前驅體ZyALD已獲得中國專利局授予的相關專利，從而使中國成為了繼韓國
  • 半導體蝕刻領域會在3D NAND存儲器之後崛起?
    每個晶片上必須同時和均勻地蝕刻超過1萬億個孔，每個晶片的縱橫比為40：1，32層和48層器件64層移動到60：1。為了比較，在平面2D NAND中蝕刻的最高縱橫比結構小於15：1。HAR蝕刻在圖1的左側用電介質蝕刻工藝進行說明。圖1下部所示的階梯蝕刻步驟為層內的每個存儲單元創建單獨的接觸墊。使用高度控制的蝕刻工藝來定義每個接觸墊的尺寸。採用反覆的垂直蝕刻和橫向修整蝕刻工藝來形成樓梯。
  • 64層3D NAND技術 飢餓鯊共同研發東芝TR200固態硬碟拆解測試
    最近一款東芝新品TR200固態硬碟以搭載了64層3D BiCS FLASH吸引了市場的焦點，相比較以往老產品對於內部架構進行的大改動，體現的優點就是:高密度及高容量垂直堆疊結構存儲器單元間隔增大降低存儲單元耦合效應更高效存儲編程速度三位化高穩定結構提供可靠性能
  • AM335x(TQ335x)學習筆記——Nand&&網卡驅動移植
    Nand驅動移植閱讀TQ335x的原理圖可知，TQ335x的Nand連接到了GPMC上，且與DTS中默認的配置吻合，此處不做任何修改，詳情如下：nandflash_pins_s0: nandflash_pins_s0 {      pinctrl-single,pins =         0x0 (PIN_INPUT_PULLUP | MUX_MODE0)  /*
  • flash如何製作3D旋轉地球的動態效果
    這篇教程是用flash製作3D旋轉地球的GIF動態效果方法，素材是一個平面地圖，做出一個動態的效果。教程難度不是很大，一起來學習吧!　　方法/步驟　　1、首先新建一個flash文件。　　 　　6、點擊圖層2，滑鼠右鍵選擇遮罩層。
  • ASM:邁入FinFET將需要全方位ALD方案
    過去在平面元件中雖可使用幾個 PVD 與 CVD 步驟，但就閘極堆疊的觀點而言，過渡到 FinFET 元件將需要全方位的 ALD 解決方案。ALD 製程如何有助於取得優異的均勻度?　　A：FinFETs 為解決平面結構中某些關鍵整合難題的有效方式，尤其是控制短通道效應以及使用輕摻雜或無摻雜通道控制隨機摻雜擾動。然而，對於先進位程節點，鰭寬度已低於微影限制並且需要 ALD 層以供間隔定義之雙倍微影圖樣界定(SDDP)鰭結構。
  • 「3d掃描儀結合3d列印技術」學校3d創新教育的一把利器
    解決好如何培養創新型人才這個問題，關乎民族未來，國運興衰，意義重大而深遠。隨著社會的不斷發展，對創新型人才素質提出了更高的要求。3d創新教育是以培養學生創新精神、創新能力、動手實踐能力為價值取向的新型教育。在3d創新教育中，我們要如何讓「3d掃描儀、3d列印技術」這兩把利器發揮重要作用呢？
  • 傳三星研發精簡3D NAND Flash蝕刻製程
    近期傳出三星電子(Samsung Electronics)為節省生產成本，加緊研發精簡製程數目的生產技術，欲將120層3D NAND Flash的蝕刻製程減為單次，因應2018年市場上可能出現的供給過剩與價格競爭。
  • 基於DSP的數字掃描探針顯微鏡的硬體解決方案研究
    spm系統方案及其缺陷 現有的spm系統主要基於pci形式，該方案中，計算機通過pci卡和spm控制板保持通信，整個電子控制系統的流程圖如圖1所示。本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/21555.htm
  • 3D NAND快閃記憶體顆粒SLC、MLC、TLC、QLC的區別是什麼?
    3D NAND顆粒又可以分為32層、48層甚至64層或更高層次，3D TLC/MLC顆粒的不同產品，各大廠商的技術不盡相同。根據NAND快閃記憶體中電子單元密度的差異，又可以分為SLC（單層次存儲單元）、MLC（雙層存儲單元）以及TLC(三層存儲單元)，此三種存儲單元在壽命以及造價上有著明顯的區別。一、SLC、MLC、TLC、QLC之區別是什麼？
  • 3d物聯網之工業3D數字可視化三維仿真技術解決方案
    一：項目方案介紹3D工業物聯網3d可視化解決方案是結合3D物聯網利用三維仿真、數字映射、人工智慧和大數據等技術，在三維仿真世界使用三維建模技術對真實場景進行一比一高度仿真還原。通過3D數字可視化技術讓界面簡單直觀的展示現監控信息，防止突發事故，提高工作效率。
  • 倫琴醫療:64層CT和64排CT是一樣的嗎?
    和「排」的概念，64層CT和64排CT是一樣的嗎？　　現在回顧開頭提出的問題，64層CT一般都安裝多於64排的探測器，而64排CT卻可能是32層CT，也可能是16層CT。這是由於早期數據處理能力的限制，16排CT剛推出時，只能做到同時採集4層數據。後來隨著數據處理能力的發展，16排的CT可以同時採集8層的數據。下圖是早期4層16排CT的層厚組合方式。
  • 5G各類場景的天線解決方案
    聯通集團對64T&32T進行以上場景的容量仿真對比， 仿真結果見圖7和圖8。仿真結果表明，64T密集城區容量增益更明顯，64T下行容量為32T的1.2~1.6倍，上行為1.1~1.2倍。而在普通城區或郊區，天線通道數的增加並沒有獲得明顯的上下行容量增益。
  • TurboFlash和回顧性心電門控雙源CT冠脈CTA的體內輻射劑量和圖像質量
    從第二代雙源CT開始，一種全新的冠脈CTA掃描模式進入臨床，前瞻性心電門控螺旋掃描，即flash大螺距模式。使用大螺距模式可以在一個心動周期內完成冠脈CTA檢查，並且所有採集數據都用於最終的重建，因此輻射劑量最低，輻射效率最高。
  • mimaki發布全球首款千萬色以上3D印表機
    今天給大家推薦一款，mimaki自主開發，世界首款全彩色uv固化噴墨式3d印表機，結合印表機技術，通過uv固化噴墨方式，實現1000萬顏色以上的全色造型。從UV固化2D噴墨列印設備到3D列印的是Mimaki飛躍進步，Mimaki公司為3D開發工作投入了大量的研發資源。
  • I-RJ45模塊解決方案是一種即用型硬體和軟體解決方案
    先進半導體解決方案供應商瑞薩電子公司( Renesas Electronics Corporation)宣布了 其最新的工業乙太網模塊解決方案I-RJ45，該解決方案集成了單埠或雙埠RJ45連接器，並通過支持包括傳感器在內的各種工業網絡從屬應用，簡化了工業乙太網的集成。以及發送器，網關，操作員終端和遠程I / O。