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在地球表面以下約200公裡深處的地球地幔內。天然鑽石是在1300°C到1500°C的高溫和5萬-7萬大氣壓的壓力下形成的。隕石,金伯利巖和其他火成巖將晶體帶到地球表面。實驗室中生長的鑽石與開採的天然鑽石完全相同。
左邊是天然開採鑽石,右邊是人工種植鑽石
人造鑽石的首次嘗試是在18世紀末進行的,當時科學家得出的最終結論是,鑽石的基礎是碳,它與石墨的區別僅在於其晶格。破壞鑽石的結構要比形成鑽石容易。
左-天然天然鑽石,右-人工種植
19世紀末以來,科學家試圖將廉價的碳(煤或石墨)轉化為堅硬而有光澤的鑽石。許多人都聲稱成功,其中包括法國化學家亨利·莫桑,英國物理學家威廉·克魯克斯等著名科學家。但都不能提供所獲得結果的嚴格證據。
技術來源:俄羅斯專利號 RU2586140C1 (2016.06.10發布), RU2650971C1 (2018.04.18發布)等
金剛石的合成技術——CVD(化學氣相沉積,氣相沉積)。
將小金剛石種子放置在特殊腔室中的基板上。藉助微波輻射,碳氫化合物氣體(例如,甲烷)被加熱到高溫(3000°C),分子分解為碳和氫原子,形成電離氣體。氣體中的碳沉積在加熱到600-700°C的基板上,添加到鑽石晶體中以使其進一步生長。
1954年,在通用電氣的實驗室中獲得了世界上第一顆人造鑽石。通用電氣的技術為HPHT(高壓高溫),電弧壓機中放置了石墨和充當催化劑和溶劑的鐵-鎳-鈷熔體。
1980年代末,俄羅斯科學院新西伯利亞分公司的科學家創造了一種稱為「分裂球」(BARS)的無壓力裝置,溫度可以升高到2000°C,壓力可以升高到2萬個大氣壓。
液壓機壓接一個特殊的容器,裡面裝有金屬熔體(鐵,鎳,鈷等)和石墨。將金剛石籽晶(直徑最大為0.5毫米),將其置於石墨層上。然後壓制石墨。液壓機壓接帶有上述所有組件的陶瓷容器。電流流過容器腔室,將熔體加熱到所需溫度。
金屬充當金剛石晶種上碳結晶的溶劑和催化劑。在溫度和壓力的影響下,石墨的共價pi鍵轉換為金剛石的sigma鍵。金屬在此過程中熔化,而石墨則沉積在晶種上。生長一個大或幾個較小的晶體的過程平均持續12到13天。
1990年的成功測試後,七位著名的蘇聯科學家(其中兩名是白俄羅斯人)提出了創建世界上第一座鑽石合成工廠的想法。
白俄羅斯被選為基地,成為阿達瑪斯「Adamas」公司的創始人。
第一批人造鑽石。
其中4人後來去了美國,在1995年創立了Genesis鑽石公司。剩下的3人前往聖彼得堡和莫斯科,這就是世界上三個最初的人造鑽石中心。
車間共有10名員工操作120個分裂球和幾十個氣瓶。
分裂球的氣缸控制面板:調整溫度,壓力,時間和氣體,監控鑽石生長狀態。鑽石的生長取決於許多細微差別,例如,外部環境在各個階段的溫度變化。
打開液壓電弧爐體。
黑色油壓軟管,產生壓力。並給3.5噸的爐體提供電流和溫度。
打開分裂球。
設備內部有兩個球體:一個大球和一個小球。
每個分裂球的球體由6個部分組成,由特殊合金製成的衝壓頭。
大衝壓頭重16公斤,小衝壓頭重不到1公斤。
小衝壓頭是消耗品。每個成本為200美元,平均經過五次合成後作廢。
設備入口處的為1500°C,壓力為1800個大氣壓,在內部,溫度最高可升高2000°C,壓力最高可升高1至2萬個大氣壓,溫度和壓力在整個鑽石生長過程中都會發生變化。
只需要3天,取代自然生長周期的數個世紀。
在球體的中心是一個特殊的陶瓷立方體。其中包含著所有的技術。
在立方體被發送到棒之前,先將其填充:放置一個特殊的壓製片,該壓製片由通常是金屬的單個部件,和一小顆鑽石組成。
然後,將立方體放在烤箱中乾燥,並用某些材料浸漬,只有在完成所有這些步驟之後才能將其放置。然後放入石墨棒,石墨環境使鑽石有生長。
鑽石是否生長,技術非常反覆無常,甚至取決於工人手的溫度。鑽石可能大,可能小,可能好或壞,或者根本不長。
這完全取決於十幾個因素:組裝立方體的工程師的手,乾燥的方式,是否正確地浸漬了立方體,直到車間的溫度以及石墨的質量。種植鑽石並不僅僅是簡單打開開關。
3天後,將立方體從BARS上移開,打碎並得到一個小的金屬圓錠,在上面依稀可見鑽石毛坯的邊緣。
將金屬圓錠放入燒瓶中,並倒入王水。
將燒瓶放置在專用櫃中並加熱,以加快反應。
正常條件下,金屬會在兩個小時內溶解,僅剩下鑽石。然後取出鑽石,將其洗淨並浸入鉻混合物中。
去除石墨並獲得乾淨的鑽石,稱重,裝袋。
包裝好的原鑽發給一家俄羅斯公司進行切割。
鑽石加工
加工後的鑽石比最初的毛坯重量可能會減少30%到60%。這取決於毛坯鑽石的形狀和純度。
人工鑽石在化學和物理特性方面與天然鑽石沒有任何不同。
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