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結束14年合作關係 Intel在3D Point快閃記憶體領域要超過美光
除了雙方在本周發布的聯合新聞稿聲明以外，美光目前並未提及任何計劃方向。在雙方的聯合聲明中僅提到，「兩家公司同意完成第二代3D XPoint技術的共同開發，並預計將於2019年上半年完成。而在第二代3D XPoint之後的技術開發將由兩家公司各自進行，根據自家的產品與業務需求，開發出優化的技術。」 英特爾目前仍然看好這項技術。
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3D NAND快閃記憶體顆粒SLC、MLC、TLC、QLC的區別是什麼?
快閃記憶體是一種永久性的半導體可擦寫存儲器，U盤、SD存儲卡、SSD 等都屬於快閃記憶體。3D NAND顆粒又可以分為32層、48層甚至64層或更高層次，3D TLC/MLC顆粒的不同產品，各大廠商的技術不盡相同。
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QLC快閃記憶體性能低?取代HDD的會是它
TLC： 也就是Trinary-Level Cell了，準確來說是3bit MLC ，每個cell單元存儲3bit信息，電壓從000到111有8種變化，容量比MLC再次增加1/3，成本更低，但是架構更複雜，P/E編程時間長，寫入速度慢，P/E壽命也降至1000-3000次，部分情況會更低。
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你知道NAND快閃記憶體的種類和對比?
但是SLC快閃記憶體也有缺點，與其他類型的快閃記憶體相比，它在相同裸片面積上可以存儲的數據要少，因此其存儲單元的成本更高。SLC快閃記憶體通常用於對成本不敏感且需要高可靠性和耐用性的應用中，例如對P/E循環數有很高要求的工業和企業級應用。 MLC NAND快閃記憶體 在MLC快閃記憶體中，每個單元存儲兩位信息，即00、01、10和11。
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如何為系統選擇合適的NAND快閃記憶體?
NAND快閃記憶體是一種大眾化的非易失性存儲器，主要是因為小型，低功耗且堅固耐用。 儘管此技術適合現代存儲，但在將其列入較大系統的一部分時，需要考慮許多重要特性。 這些特性適用於所有類型的存儲，包括耐用性，密度，性能，每千兆字節價格，錯誤概率和數據保留。
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3D NAND快閃記憶體有多遠?未來將如何發展?
Lena Harman 發表於 2021-01-15 09:11:54 整個全球存儲市場對更高密度的NAND快閃記憶體需求不斷增長。
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從「東芝存儲」到「Kioxia」 如何看「新NAND快閃記憶體公司」狹縫生存?
從「東芝存儲」到「Kioxia」 如何看「新NAND快閃記憶體公司」狹縫生存？作為不依賴東芝品牌的快閃記憶體和應用產品的專業供應商，旗下業務開始了一段「新旅程」。 出售東芝記憶體比原計劃落後一年多 東芝存儲器於2017年4月1日通過拆分快閃記憶體業務開始作為東芝的全資子公司而存在。分拆的目的，旨在通過出售快閃記憶體業務來改善東芝自身的財務狀況。最初，該交易計劃最遲於2018年3月31日完成。但是眾所周知，這種期望將大大延遲。
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存儲領域競爭加劇,3D NAND蝕刻逐步明朗化
NAND快閃記憶體不僅有SLC、MLC和TLC幾種類型之分，為了提高其容量、降低成本，NAND的製造工藝也在不斷進步，厚度開始不斷降低，但NAND快閃記憶體和處理器還是有很大不同的。雖然先進的工藝帶來了更大的容量，但是其可靠性和性能卻在下降，因為工藝越先進，NAND的氧化層越薄，其可靠性也就越差，廠商就需要採取額外手段彌補這一問題，這必然會提高成本，以至於在達到某個最高點之後完全抵消掉製造工藝帶來的優勢。
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美光科技(Micro Technology)代理商有哪些?
美光科技公司（Micron Technology）是總部位於美國愛達荷州，與1978年10月創立。主要業務為生產多種形態的半導體元器件，包括DRAM、NAND快閃記憶體、NOR快閃記憶體、SSD固態硬碟、CMOS影像傳感器和其他半導體元件和內存模組。2016年成為半導體行業第七大公司。
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浦科特M5P「變心」:BGA快閃記憶體封裝換TSOP
浦科特的旗艦固態硬碟M5P憑藉新固件升級而變身成為M5P Xtreme，但不為人注意的是，內部快閃記憶體顆粒也發生了變化。M5P是世界上第一款使用東芝19nm Toggle NAND快閃記憶體的固態硬碟，之前一直都是BGA封裝方式，但在日本市場上，新款的M5P Xtreme卻有著不同的PCB和快閃記憶體，造成了一些混亂。
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長江存儲128層快閃記憶體研發成功 擁有業界最高單位存儲密度
長江存儲近日宣布：128層QLC 3D NAND快閃記憶體晶片X2-6070研發成功，並已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產品上通過驗證。長江存儲128層快閃記憶體研發成功長江存儲表示，X2-6070是業內首款128層QLC規格的3D NAND快閃記憶體，擁有業內已知型號產品中最高單位面積存儲密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND快閃記憶體晶片容量。此次同時發布的還有128層512Gb TLC（3 bit/cell）規格快閃記憶體晶片X2-9060，以滿足不同應用場景的需求。
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...NAND快閃記憶體價格已見底;液氮外包商施工失誤!臺灣這家磊晶廠4月...
賀利氏助力半導體工業科技進步2.NAND快閃記憶體價格已見底？群聯：5月營收或有好轉3.聯發科MT6785晶片現身跑分：終於用上Cortex A76做大核；4.嚴重失實！戴正吳駁斥「郭臺銘當選夏普恐解體？」報導5.液氮外包商施工失誤！臺灣這家磊晶廠4月營收下滑24%6.約好了？
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MT47H64M16NF-25EAIT_MICRON快閃記憶體晶片型號定義
MT47H64M16NF-25EAIT_MICRON快閃記憶體晶片型號定義本文導讀：適用於大多數移動/存儲卡使用場景。此外與上一代美光3DNAND一樣，晶片外圍的大部分邏輯組件，也是通過陣列下COMS（簡稱CuA）工藝製造的。結合兩方面的優勢，美光預估其176層512Gbit裸片的厚度，將較三星等競爭對手再精簡30%左右。
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2018企業存儲年度回顧:快閃記憶體,SDS與超融合
IDC數據顯示，2018年Q3，全球企業存儲市場增長了19.4%，達到了140億美金，出貨存儲容量更是增長了57.3%，達到113.9EB，企業級存儲市場如此增長令所有存儲人士為之振奮。2018年Q3，中國存儲市場佔全球存儲整體市場12.2%的份額，以19.3%的季度增長率僅次於美國市場，位列全球第二，市場規模達到7.7億美元。（全球以及中國市場上，全快閃記憶體都是最強的增長動力。
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國防科技大學方糧:快閃記憶體技術進展及新型存儲技術
美光的CuA（CMOS under Array），能夠節省更多的空間來做更多層。英特爾明年也要量產144層QLC NAND。因為要進入熔融態，所以它要接受比較高的溫度，從比較大的電流進去，單元密度比較密的時候，晶片能耗就會非常得大，所以這是相變。機理清楚，但它最主要的一個是熱的散發，需要散熱。另外，儘量讓它少產生熱，這兩個途徑來做改進。
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MT45W4MW16PCGA-70LWT_快閃記憶體晶片8g
MT45W4MW16PCGA-70LWT_快閃記憶體晶片8g本文導讀：遠高於目前快的DDR4。這種前所未有的單晶片性能水平加上符合行業標的成熟BGA封裝，利用市場上擴展性強的高速離散存儲，為設計人員提供了一款功能強大、高性價比的低風險解決方案。有關更多信息，請訪問。
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半導體蝕刻領域會在3D NAND存儲器之後崛起?
2017年前七大半導體設備公司的銷售收入增長了39.3％，其中DRAM和NAND存儲器行業增長了60％。LRCX在同一份投資者報告中報告說，其蝕刻市場份額在50％左右，如下圖3所示。圖3根據我們的報告「等離子刻蝕：市場分析和戰略問題」，Lam Research的市場份額確實達到了50％的中等份額，如圖4所示。
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變化| 美光(Micron)更新DRAM技術路線圖
美光將其DRAM技術路線圖從三個單元縮小（發展）階段更新為四個階段，讓每個晶圓能有更大的DRAM容量，並降低每GB容量成本。美光打算通過以下步驟來逐步縮小單元或工藝節點尺寸，從20nm節點工藝縮減到10nm（19nm-10nm範圍）節點工藝尺寸：1Xnm –（c19-17nm）較早的DRAM技術工藝處理節點大小；1Ynm –（c16-14nm）現在主流的DRAM比特位生產技術；1Znm –（c13-11mn）2020年第三季度美光DRAM比特位產量佔15％；