變化| 美光(Micron)更新DRAM技術路線圖

2020-12-08 DOIT

美光將其DRAM技術路線圖從三個單元縮小（發展）階段更新為四個階段，讓每個晶圓能有更大的DRAM容量，並降低每GB容量成本。

美光打算通過以下步驟來逐步縮小單元或工藝節點尺寸，從20nm節點工藝縮減到10nm（19nm-10nm範圍）節點工藝尺寸：

1Xnm –（c19-17nm）較早的DRAM技術工藝處理節點大小；

1Ynm –（c16-14nm）現在主流的DRAM比特位生產技術；

1Znm –（c13-11mn）2020年第三季度美光DRAM比特位產量佔15％；

1αnm工藝節點– 2021年上半年量產；

1βnm工藝節點– 早期開發階段；

1ɣnm工藝節點– 早期工藝集成；

1δnm工藝節點– 尋找目標，可能需要EUV（極紫外光刻）技術；

11δ節點大小是美光DRAM技術路線圖中的新增條目。目前還沒有看到低於1Znm的指示性工藝節點尺寸。

美光表示，隨著從1Xnm到1Ynm和1Znm的轉變，比特位密度的增速減慢。但是，美光從1Znm到1αnm工藝節點尺寸提升了40％的增長率。

富國銀行分析師Aaron Rakers指出，美光在1Znm DRAM生產中佔據有利地位。引用DRAMeXchange數據，預計美光在2020年第三季度的1Znm產量佔其DRAM比特位產量的15％，而三星和SK海力士產量佔比則分別為6％和0。

在其他條件相同的情況下，1Znm DRAM的製造成本低於之前的1Ynm節點成本。

極紫光刻機的應用加速工藝進程

美光採用深紫外線（DUV）多圖案光刻技術在晶圓上設計DRAM單元晶片的細節。隨著工藝節點尺寸水平縮小到10nm以下，光束的波長成為一個限制。

荷蘭ASML公司是晶片行業主流光刻機供應商，已經研發了可發出較小波長光的EUV（極端紫外線）掃描儀。這項技術可在晶圓上蝕刻較窄的線條，因此可實現更小的工藝尺寸，即晶圓上的DRAM裸片數量更多，因此每個晶圓的容量會更高，每GB容量成本也會更低。但資本開支巨大，目前ASML公司每年僅生產30臺EUV光刻機，這些光刻機重達180噸，每臺成本1.2億美元。

三星在1Znm工藝節點中使用了EUV，SK海力士計劃使用EUV技術批量生產1αnm DRAM和1βnm DRAM。美光認為EUV到2023年甚至更晚才具有成本競爭力，也就是1δnm工藝節點才是市場決勝的關鍵。

另外，美光的財務似乎也緩過來了，近期把截至12月3日的第一季度營收預期，從50-54億美元上調至57億-57.5億美元。

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