賽微電子:GaN材料和器件在5G通訊、數據中心、雲計算、快充電源...

2020-12-05 金融界

來源:同花順金融研究中心

同花順(300033)金融研究中心11月22日訊,有投資者向賽微電子(300456)提問, 公司生產的晶片包括第三代氮化鎵晶片是否可以廣泛應用於新能源汽車領域?

公司回答表示,GaN材料和器件在擊穿電場、本徵載流子濃度、抗輻照能力、載流子遷移率、飽和載流子濃度等方面具有優勢,特別適用於高功率密度、高速度、高效率環境,在5G通訊、數據中心、雲計算、快充電源、無線充電等領域具有廣泛的應用前景,謝謝關注!

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    02GaN業務公司已經掌握第三代半導體材料與器件技術,且已經成功研製具備全球領先水平的8英寸矽基氮化鎵外延晶圓,屬於行業的新進入者和競爭者。目前美國、日本、歐洲正在積極進行戰略部署。>公司MEMS、GaN業務所處行業正處於成長階段,且均屬於國家鼓勵發展的行業,發展前景廣闊03事件驅動1.子公司青島聚能創芯微電子成功開發650V系列氮化鎵(GaN)功率器件產品,並發布基於該系列氮化鎵功率器件的PD(Powerdistribution)快充應用實例
  • 第三代半導體氮化鎵助力5G、快充、UVC!
    與第一代和第二代半導體材料相比,第三代半導體材料具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導率、更大的電子飽和速度以及更高的抗輻射 能力,更適合製作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件。 氮化鎵(GaN)是極其穩定的化合物,又是堅硬和高熔點材料,熔點為 1700℃。
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    聚燦光電(300708):公司主要從事化合物光電半導體材料的研發、生產和銷售業務,主要產品為GaN基高亮度LED外延片、晶片。臺基股份(300046):公司通過技術創新,積累了完整的具有自有智慧財產權的半導體產品設計和製造技術,掌握完整的前道(晶圓製程)技術、中道(晶片製程)技術、後道(封裝測試)技術。公司大功率IGBT已經量產,並積極開展產學研合作,持續跟蹤SiC、GaN等第三代寬禁帶半導體技術研發和應用。
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    這樣的簡化使得人工神經網絡與生物神經網絡相比,在複雜任務處理的靈活性、魯棒性和功耗上仍存在很大的差距。 受生物神經系統中電化學動態過程啟發,該研究團隊通過材料體系遴選與器件結構設計,製備出了一種能夠模擬樹突功能的新原理器件,成功復現了生物樹突對信號的非線性過濾、積分以及對時間信號的處理方式。
  • 微電子所在器件物理領域取得重要進展
    傳統的三維半導體材料表面存在大量的懸掛鍵,可通過捕獲和散射等方式影響和限制自由載流子的運動,因此表面態的設計、製造和優化是提高三維半導體器件性能的關鍵因素
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    近日,中國科學院微電子研究所集成電路先導工藝研發中心在下一代新型FinFET邏輯器件工藝研究中取得新進展。  隨著主流FinFET器件工藝的持續微縮,其在柵控與性能提升上面臨越來越大的技術挑戰。
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    傳統的三維半導體材料表面存在大量的懸掛鍵,可通過捕獲和散射等方式影響和限制自由載流子的運動,因此,表面態的設計、製造和優化是提高三維半導體器件性能的關鍵因素。類似於三維半導體材料的表面態,單層二維材料(如二硫化鉬和石墨烯)在邊界原子的終止和重建可以產生邊界態,這使二維材料產生較多獨特的現象,並得到廣泛應用。
  • 跌破百元 樂視M1雙向快充移動電源評測
    背面信息參數,品名:樂視雙向快充移動電源10000mAh M1 白色,產品型號:LeUPB-301N、電池容量:10000/10200mAh 38/38.76Wh(最小值/標準值)、額定輸出容量:6500mAh(5V2A
  • 【警惕】警惕晶片項目「爛尾」:摒棄浮躁,準備「長跑」;賽微電子...
    據南國郴州網報導,華為公司高級副總裁、常務監事尹緒全表示,華為在5G、雲計算、大數據、人工智慧等領域有深厚積累。華為願與郴州市攜手推動數字創新技術的落地和智能社會的建設,在智慧城市、5G應用、智慧旅遊等方面開展合作,推動郴州數字經濟發展,助力「智能+」產業生態建設。
  • 帶集成驅動和保護功能的高壓GaN FET在工業和電信應用中將功率密度...
    與AC/DC電源、機器人、可再生能源、電網基礎設施、電信和個人電子應用中的矽場效應電晶體(FET)相比,LMG341x系列使設計人員能夠創建更小、更高效和更高性能的設計。有關詳細信息,請訪問 http://www.ti.com.cn/product/LMG3410R050-pr, http://www.ti.com.cn/product/LMG3410R070-pr ?