三代半導體材料氮化鎵(GaN)概念股

2021-01-09 金榜眼

聚燦光電(300708):公司主要從事化合物光電半導體材料的研發、生產和銷售業務,主要產品為GaN基高亮度LED外延片、晶片。2020年9月告,宿遷經濟技術開發區管理委員會與公司本著互惠互利、誠實守信和平等自願的原則,經充分友好協商,就乙方在甲方轄區的項目投資、建設和經營等相關事宜於近日籤訂《宿遷經濟技術開發區工業項目進區投資合同書》。項目主要產品:Mini/MicroLED氮化鎵、砷化鎵晶片,項目總投資約350000萬元,其中固定資產投資約300000萬元(含設備投入270000萬元以上)。

易事特(300376):2020年2月,公司在互動易平臺表示,易事特作為國家第三代半導體產業技術基地(南方基地)第二大股東及推動產業創新技術發展的核心成員單位,現主要負責碳化矽、氮化鎵功率器件的應用技術研發工作。公司已經研發出基於碳化矽、氮化鎵器件的高效DC/AC, 雙向DC/DC新產品。

臺基股份(300046):公司通過技術創新,積累了完整的具有自有智慧財產權的半導體產品設計和製造技術,掌握完整的前道(晶圓製程)技術、中道(晶片製程)技術、後道(封裝測試)技術。公司大功率IGBT已經量產,並積極開展產學研合作,持續跟蹤SiC、GaN等第三代寬禁帶半導體技術研發和應用。公司具有完全自主智慧財產權的大功率半導體脈衝開關技術達到國際領先水平,在國內重大前沿科技項目得到應用,呈現快速增長態勢。

三安光電(600703):公司主要從事化合物半導體材料的研發與應用,以砷化鎵、氮化鎵、碳化矽、磷化銦、氮化鋁、藍寶石等半導體新材料所涉及的外延片、晶片為核心主業,產品主要應用於照明、顯示、背光、農業、醫療、微波射頻、雷射通訊、功率器件、光通訊、感應傳感等領域。

南大光電(300346):2019年4月,公司在互動平臺表示,公司MO源產品如三甲基鎵、三乙基鎵產品是氮化鎵的上遊材料。目前公司不直接生產氮化鎵。

海特高新(002023):海威華芯公司是國家發改委立項並建設的國際先進水平的高性能集成電路製造企業,於2015年建成國內首條6吋化合物半導體商用生產線,解決了中國化合物半導體產業鏈中製造環節的瓶頸,實現了核心高端晶片技術自主可控。公司目前已完成包括砷化鎵、氮化鎵、碳化矽及磷化銦在內的6大類工藝產品的研發,支持製造功率放大器、濾波器、混頻器、低噪音放大器、開關、光電探測器、雷射器、功率電子等產品,業務涵蓋航空、航天、衛星、特種裝備、消費電子等領域,產品廣泛應用於5G移動通信、AI人工智慧、雷達、汽車電子、電力電子、光纖通訊、3D感知、新能源、防務等領域。

賽微電子(300456):公司現有GaN業務包括外延材料和器件設計兩個環節:公司GaN外延材料業務基於自主掌握的工藝訣竅,通過MOCVD設備生長並對外銷售6-8英寸GaN外延材料。公司GaN器件設計業務基於技術積累設計開發GaN功率及微波器件,並為下遊客戶提供GaN晶片及應用方案。2019年,已推出數款GaN功率器件產品並進入小批量試產。公司積極布局GaN產業鏈,積極推動技術、工藝、產品積累,以滿足下一代功率與微波電子器件對於大尺寸、高質量、高一致性、高可靠性GaN外延材料的需求,努力為5G通訊、雲計算、新型消費電子、智能白電、新能源汽車等領域提供核心部件的材料保障及器件配套。

相關焦點

  • 三代半導體——氮化鎵
    氮化鎵(GaN),是由氮和鎵組成的一種半導體材料,因為其禁帶寬度大於2.2eV,又被稱為寬禁帶半導體材料,在國內也稱為第三代半導體材料。氮化鎵和其他半導體材料對比上圖中我們可以看到,氮化鎵比矽禁帶寬度大3倍,擊穿場強高10倍,飽和電子遷移速度大3倍,熱導率高2倍。
  • 中國擬全面支持半導體產業 附第三代半導體材料概念股
    據媒體消息,中國正在規劃將大力支持發展第三代半導體產業寫入「十四五」規劃之中。發展本國半導體技術以應對外部限制。  昨日下午,受相關消息影響,概念股乾照光電等相關標的直線拉升。  世紀證券分析師陳建生稱,第三代半導體材料是功率半導體躍進的基石。  相對於傳統的矽材料,第三代半導體材料,即寬禁帶半導體材料,是指禁帶寬度在2.3eV及以上的半導體材料,目前比較成熟的有碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)等。其更適合製造耐高溫、耐高壓、耐大電流的高頻大功率器件。
  • 我國第三代半導體迎窗口期 2020年第三代半導體材料產業鏈及概念股...
    預計2020年中國SiC(碳化矽)、GaN(氮化鎵)電力電子和微波射頻產值約為70億元。其中,SiC、GaN電力電子產業產值2020年將達35.35億元,比去年的29.03億元將增長21.77%;GaN微波射頻產業產值2020年將達33.75億元,比去年的26.15億元將增長29%。  半導體行業經過近六十年的發展,半導體材料經歷了三次明顯的換代和發展。
  • 第三代半導體概念股是什麼? 第三代半導體材料龍頭股有哪些?
    第三代半導體概念股是什麼? 第三代半導體材料龍頭股有哪些?9月3日,A股兩市臨近午盤集體翻綠,午後繼續走低,創業板收盤跌近1%,大盤也再次回踩下方支撐。  白馬股集體暴跌揭秘  受美股納斯達克以及標普500指數創歷史新高刺激,早盤白酒、食品飲料、醫藥集體拉漲,指數也不斷走高。
  • 第三代半導體概念股有哪些?第三代半導體龍頭公司迎風口
    第三代半導體概念迎來風口,今日早盤,碳化矽及氮化鎵概念逆市活躍,其中露笑科技一字漲停,乾照光電高開後秒板。  背景消息  據媒體消息,中國正在規劃將大力支持發展第三代半導體產業寫入「十四五」規劃之中。發展本國半導體技術以應對外部限制。
  • 利好襲來 第三代半導體材料雙雄崛起(概念股一覽)
    來源:金融界網站金融界網站9月4日訊 第三代半導體概念迎來風口,今日早盤,碳化矽及氮化鎵概念逆市活躍,其中露笑科技一字漲停,乾照光電高開後秒板。背景消息據媒體消息,中國正在規劃將大力支持發展第三代半導體產業寫入「十四五」規劃之中。
  • 第三代半導體材料之氮化鎵(GaN)解析
    第三代半導體材料崛起如今,半導體材料已經發展到第三代,逐代來看:第一代半導體材料以矽和鍺等元素半導體材料為代表。其典型應用是集成電路,主要應用於低壓、低頻、低功率電晶體和探測器中,在未來一段時間,矽半導體材料的主導地位仍將存在。
  • 第三代半導體材料氮化鎵(GaN)技術與優勢詳解
    第三代 半導體材料——氮化鎵( GaN),作為時下新興的半導體工藝技術,提供超越矽的多種優勢。與矽器件相比,GaN在 電源轉換效率和功率密度上實現了性能的飛躍,廣泛應用於 功率因數校正(PFC)、軟開關 DC-DC等電源系統設計,以及電源適配器、光伏 逆變器或 太陽能逆變器、伺服器及通信電源等終端領域。
  • 半導體迎重磅利好:第三代材料站上風口 概念股名單來了
    知情人士稱,中國計劃在2021到2025年的五年之內,在教育、科研、開發、融資、應用等等各個方面對第三代半導體發展提供廣泛支持。其稱,下一個五年的經濟戰略包括向無線網絡到人工智慧等技術領域投入約1.4萬億美元。昨日下午,受相關消息影響,概念股乾照光電等相關標的直線拉升。
  • 深度剖析第三代半導體材料氮化鎵市場現狀
    在第三代半導體材料產業鏈製造以及應用環節上,SiC可以製造高耐壓、大功率電力電子器件如MOSFET、IGBT、SBD等,用於智能電網、新能源汽車等行業。與矽元器件相比,GaN具有高臨界磁場、高電子飽和速度與極高的電子遷移率的特點,是超高頻器件的極佳選擇,適用於5G通信、微波射頻等領域的應用。
  • 第三代半導體材料是什麼?附股名單值得珍藏
    權威消息人士透露,我國計劃把大力支持發展第三代半導體產業,寫入正在制定中的「十四五」規劃,計劃在2021-2025年期間,在教育、科研、開發、融資、應用等等各個方面,大力支持發展第三代半導體產業,以期實現產業獨立自主。
  • 氮化鎵引爆快充市場概念股受追捧
    原標題:氮化鎵引爆快充市場概念股受追捧 摘要 【氮化鎵引爆快充市場概念股受追捧】在國內,氮化鎵被稱為第三代半導體材料。
  • 氮化鎵挑起半導體界的大梁,進入倒計時?
    而最近,無論是從研發應用引起的市場反響來講,還是從年後股票市場追捧程度來看,氮化鎵王者之相已露端倪。 眾所周知,第三代半導體又稱寬禁帶半導體,相較於第一代和第二代半導體材料,具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度、高遷移率等特點和優勢,以碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)、氧化鋅(ZnO)、金剛石、氮化鋁(AlN)等材料為代表。
  • 第三代半導體上市公司龍頭一覽
    第三代半導體材料在禁帶寬度、熱導率、介電常數、電子漂移速度方面的特性使其適合製作高頻、高功率、高溫、抗輻射、高密度集成電路;其在禁帶寬度方面的特性使其適合製作發光器件或光探測器等。其中碳化矽材料在功率半導體和器件工藝較為熱門,氮化鎵材料外延生長和光電子比重較大。
  • 什麼是第三代半導體?一、二、三代半導體什麼區別?
    什麼是第三代半導體?一、二、三代半導體什麼區別? 第三代半導體是以碳化矽SiC、氮化鎵GaN為主的寬禁帶半導體材料,具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點。 一、二、三代半導體什麼區別? 一、材料 第一代半導體材料,發明並實用於20世紀50年代,以矽(Si)、鍺(Ge)為代表,特別是矽,構成了一切邏輯器件的基礎。
  • 智芯文庫 | 氮化鎵挑起半導體界的大梁,進入倒計時?
    近些年,由於第三代半導體材料的相關研究大多處於初級階段,圍繞其展開的各種爭論不絕於耳,其中最為激烈的便是碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)的「一哥」之爭。而最近,無論是從研發應用引起的市場反響來講,還是從年後股票市場追捧程度來看,氮化鎵王者之相已露端倪。
  • 第三代半導體概念大漲,哪些上市公司涉及氮化鎵?
    第三代半導體到底是什麼?哪些公司涉及到了相關業務呢?第三代半導體是以碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)為主的寬禁帶半導體材料,具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點。5G時代下,第三代半導體優勢明顯。
  • 氮化鎵作為第三代半導體材料,或成5G時代的最大受益者之一
    半導體技術在不斷提升,端設備對於半導體器件性能、效率、小型化要求的越來越高。尋找矽(Si)以外新一代的半導體材料也隨之變得更加重要。在50多年前被廣泛用於LED產品的氮化鎵(GaN),再次走入大眾視野。特別是隨著5G的即將到來,也進一步推動了以氮化鎵代表的第三代半導體材料的快速發展。
  • 竟捧紅新一代充電器,氮化鎵概念股大漲
    在2月13號,小米手機的新品發布會上,除了小米10系列手機外,雷軍這次還發布了藍牙耳機、氮化鎵充電器,以及首款支持WiFi-6技術的小米路由器。值得一提的是,小米氮化鎵(GaN)充電器Type-C 65W。這一新應用的發布順勢引爆了A股第三代半導體概念股。
  • 氮化鎵碳化矽第三代半導體概念龍頭股掘地而起 光學光電龍頭解析
    第一代半導體是矽(Si)和鍺(Ge),著名的美國「矽谷」就是由此而來;而第二代半導體材料是砷化鎵(GaAs)和銻化銦(InSb),它們是4G時代的天之驕子,大部分通信設備都在用它們;目前最前沿的則是第三代半導體材料,主要是碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN)。為什麼要發展這第三代半導體?