富滿電子:在第三代半導體GaN(氮化鎵)快充領域,公司目前有可搭配...

2021-01-09 中國證券網
富滿電子：在第三代半導體GaN（氮化鎵）快充領域，公司目前有可搭配GaN的中高功率（≥65W）主控晶片、PD協議晶片等產品
2020-09-08 14:34:32 來源：中國證券網 作者：

　　上證報中國證券網訊 富滿電子8日在互動平臺回答投資者提問時表示，在第三代半導體GaN（氮化鎵）快充領域，公司目前有可搭配GaN的中高功率（≥65W）主控晶片、PD協議晶片等產品。公司的相關晶片NF7307，具備更高集成度（集成啟動電阻&X電容放電），更出色的性能（優良的Qr特性，更低待機功耗）及更高可靠性（全面的保護機制），已經上市。產品規格可對標安森美等海外廠商產品，具備較高的性價比優勢。目前，公司相關產品目前已導入M客戶和公牛等知名廠商的供應鏈，市場拓展穩步推進。

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    來源：證券時報網富滿電子：公司目前有可搭配GaN的主控晶片等產品富滿電子（300671）9月8日在互動平臺上表示，在第三代半導體GaN（氮化鎵）快充領域，公司目前有可搭配GaN產品規格可對標安森美等海外廠商產品，具備較高的性價比優勢。目前，公司相關產品目前已導入M客戶和公牛等知名廠商的供應鏈，市場拓展穩步推進。利亞德：旗下虛擬動點與優酷共同亮相服貿會據利亞德，9月4日到9日，中國國際服務貿易交易會在北京舉行。
  • 第三代半導體氮化鎵助力5G、快充、UVC!
    第三代半導體材料主要是以碳化矽（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）、金剛石、氮化鋁（AlN）為 代表的寬禁帶（禁帶寬度 Eg>2.3eV）的半導體材料。
  • 國內第三代半導體迎窗口期 今年氮化鎵、碳化矽產值或達70億元
    [ 據充電頭網統計，在智慧型手機行業中，目前已有華為、小米、OPPO、魅族、三星、努比亞、realme等多個品牌推出了氮化鎵快充產品。 ]　　中國第三代半導體正迎來發展的窗口期。第三代半導體產業技術創新戰略聯盟理事長吳玲11月24日在2020國際第三代半導體論壇上透露，雙循環模式推動國產化替代，2020年中國SiC（碳化矽）、GaN（氮化鎵）電力電子和微波射頻產值預計將約為70億元。
  • 三代半導體——氮化鎵
    氮化鎵（GaN），是由氮和鎵組成的一種半導體材料，因為其禁帶寬度大於2.2eV,又被稱為寬禁帶半導體材料，在國內也稱為第三代半導體材料。氮化鎵和其他半導體材料對比上圖中我們可以看到，氮化鎵比矽禁帶寬度大3倍，擊穿場強高10倍，飽和電子遷移速度大3倍，熱導率高2倍。
  • 氮化鎵快充市場爆發,這6款GaNFET控制晶片火了
    2020年氮化鎵快充技術的商用正式進入快車道，尤其是隨著數碼產品大功率快充以及5G時代的到來，氮化鎵技術在消費類電源領域的發展如魚得水，市場容量增速迅猛。
  • 盤點15家SiC和GaN第三代半導體相關上市公司
    資本市場的香餑餑 前幾周，整個中國股票市場大多都在回調的行情，但第三代半導體概念迅速躥升，相關股票也都逆勢上揚，這裡有真正做第三代半導體的，但也有藉機蹭熱度的，網絡上很多文章也都是隨風起舞，混淆了很多概念和公司的業務。
  • 第三代半導體氮化鎵充電器,到底有多大能耐?
    「小米發布了65W的氮化鎵充電器，氮化鎵又是公司最新的重點，氮化鎵充電器會不會運用到新能源汽車充電？」「董秘您好！請問貴公司有氮化鎵充電器技術嗎？」「請問公司電子產品涉及氮化鎵充電器嗎？」在深圳證券交易所「互動易」板塊，也就是深交所開設的投資者與上市公司的互動平臺上，氮化鎵成為投資者的重點關注對象。
  • 什麼是第三代半導體?一、二、三代半導體什麼區別?
    第三代半導體是以碳化矽SiC、氮化鎵GaN為主的寬禁帶半導體材料，具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點。 一、二、三代半導體什麼區別？ 一、材料 第一代半導體材料，發明並實用於20世紀50年代，以矽（Si）、鍺（Ge）為代表，特別是矽，構成了一切邏輯器件的基礎。
  • 帶你了解第三代半導體明星「氮化鎵」!
    隨著手機電池容量增大，充電速度也相應變慢，想要解決手機電量問題，有線快充的技術發展就成為了那一根救命稻草，用最短的時間，充最多的電量。近兩年我們時常能夠聽到一個名詞，那就是「氮化鎵」。華為在Mate40系列的發布會上也著重強調了超級快充GaN「氮化鎵」，首發搭載驍龍888的小米11也同樣的使用了「氮化鎵」快充頭。
  • 為何氮化鎵充電器成為了快充市場的爆款?
    什麼是氮化鎵？　　　　氮化鎵，是氮和鎵的化合物，是第三代半導體材料（分子式GaN，英文名稱Gallium nitride），作為半導體材料的新晉成員，氮化鎵具有很多優點，GaN材料的研究與應用是目前全球半導體研究的前沿和熱點，是研製微電子器件、光電子器件的新型半導體材料。
  • 常平瑞亨電子:成功量產首款全套國產晶片氮化鎵快充
    氮化鎵（第三代半導體材料之一）和快充，是今年資本市場的熱點之一。東莞市瑞亨電子科技有限公司（以下簡稱「瑞亨電子」）成功量產了一款65W氮化鎵快充充電器。據了解，這是業界首款基於國產氮化鎵控制晶片、國產氮化鎵功率器件、國產快充協議晶片開發並正式量產的產品。
  • 氮化鎵快充打開新藍海,四層面盤點產業鏈上市公司丨牛熊眼
    小米2月13日發布了GaN氮化鎵充電器，提最大功率65W快充，體積比小米筆記本的標配適配器縮小48％，僅需45分鐘可充滿小米10Pro，為iPhone11充電比原裝充電器快50％。該充電器還可為小米、蘋果、戴爾、聯想、華為、惠普等大部分USB-C接口的筆記本電腦充電。65W GaN充電器有何不同?
  • 三代半導體材料氮化鎵(GaN)概念股
    易事特（300376）：2020年2月，公司在互動易平臺表示，易事特作為國家第三代半導體產業技術基地（南方基地）第二大股東及推動產業創新技術發展的核心成員單位，現主要負責碳化矽、氮化鎵功率器件的應用技術研發工作。公司已經研發出基於碳化矽、氮化鎵器件的高效DC/AC, 雙向DC/DC新產品。
  • 中國第三代半導體全名單!
    第三代半導體是以碳化矽SiC、氮化鎵GaN為主的寬禁帶半導體材料，具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點。 第三代半導體材料廣泛用於製作高溫、高頻、大功率和抗輻射電子器件，應用於半導體照明、5G通信、衛星通信、光通信、電力電子、航空航天等領域。第三代半導體材料已被認為是當今電子產業發展的新動力。
  • 氮化鎵引爆快充市場概念股受追捧
    原標題：氮化鎵引爆快充市場概念股受追捧 摘要 【氮化鎵引爆快充市場概念股受追捧】在國內，氮化鎵被稱為第三代半導體材料。
  • 半導體:氮化鎵只有短線炒作機會
    小米新品助推產業崛起氮化鎵是一種第三代半導體材料，目前第三代半導體材料主要以SiC和GaN為主，相比前者，GaN材料在電子飽和遷移速度、擊穿場強和工作溫度等方面更具優勢。而在5G時代，由於信號頻率增高，電子器件需要向大功率、高頻、小型化轉變，氮化鎵材料做成的功率器件正好契合這一趨勢，也因此，被市場認為是替代SiC最好的材料，一直被券商一致看好。
  • 什麼是第三代半導體?
    什麼是第三代半導體？ 步日欣 發表於 2020-09-07 14:51:58 這幾天，第三代半導體又雙叒叕火了，火的程度不亞於年初小米推出氮化鎵快充引起的熱浪。
  • 第三代半導體概念大漲,哪些上市公司涉及氮化鎵?
    近日，有消息稱，我國計劃把大力支持發展第三代半導體產業，寫入「十四五」規劃，計劃在2021-2025年期間，在教育、科研、開發、融資、應用等等各個方面，大力支持發展第三代半導體產業，以期實現產業獨立自主。受此消息影響，9月4日和7日兩天，多家相關概念公司大幅上漲。
  • 第三代半導體材料之氮化鎵(GaN)解析
    第三代半導體材料崛起如今，半導體材料已經發展到第三代，逐代來看：第一代半導體材料以矽和鍺等元素半導體材料為代表。其典型應用是集成電路，主要應用於低壓、低頻、低功率電晶體和探測器中，在未來一段時間，矽半導體材料的主導地位仍將存在。
  • 【關注】一文看懂中國第三代半導體發展現狀
    第三代半導體是以碳化矽SiC、氮化鎵GaN為主的寬禁帶半導體材料，具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點。一、二、三代半導體什麼區別？第三代半導體材料廣泛用於製作高溫、高頻、大功率和抗輻射電子器件，應用於半導體照明、5G通信、衛星通信、光通信、電力電子、航空航天等領域。第三代半導體材料已被認為是當今電子產業發展的新動力。