半導體:氮化鎵只有短線炒作機會

2021-01-09 東方財富網

節後A股表現非常強勢,尤其是大科技板塊,前排強勢個股更是屢創新高。趨勢行情下,只要有新的變革技術出來,便會被機構猛吹,近期半導體板塊的氮化鎵就是一個典型例子。

氮化鎵(GaN)憑藉高頻低阻、高導熱、耐高溫等優勢,成為電子器件和射頻器件的潛在替換材料。而本次氮化鎵浮出水面,主要是小米新產品助推所致。理想狀態下,氮化鎵市場空間超百億,不算小,但面臨技術普及時間長、其他大廠不跟進等風險,短期看,該主題只有炒作機會。

小米新品助推產業崛起

氮化鎵是一種第三代半導體材料,目前第三代半導體材料主要以SiC和GaN為主,相比前者,GaN材料在電子飽和遷移速度、擊穿場強和工作溫度等方面更具優勢。而在5G時代,由於信號頻率增高,電子器件需要向大功率、高頻、小型化轉變,氮化鎵材料做成的功率器件正好契合這一趨勢,也因此,被市場認為是替代SiC最好的材料,一直被券商一致看好。

不過,氮化鎵的成本一直降不下來,主要原因在於氮化鎵MOS功率晶片,價格非常高昂。所以,雖然氮化鎵產業化已經開始了,但之前只運用於軍事雷達、基站等價格敏感度低的領域,而對於價格敏感度高的消費級電子,則鮮有採用該材料。

小米氮化鎵充電器發布則被視為消費級市場提速的轉折點。2月13日,小米通過線上直播的方式正式發布了小米10系列手機及配件產品,其中65W氮化鎵充電器成為一大亮點,這款充電器具備充電快、易散熱、體積小等特點,體積比常規充電器小了50%,充電速度比iphone原裝快50%,且通過多檔位充電功率調節,可兼容市面上主流筆記本電腦和手機產品充電,功能可謂強大。更關鍵的是,該產品售價只要149元,性價比較高。

實際上,去年四季度OPPO就已經發布了全球首款65WGaN充電器,本次小米是跟隨,只是營銷聲勢更浩大而已。但連續兩家手機大廠布局該技術,說明技術已經成熟,大有普及的跡象。若未來華為、三星等其他主流廠商陸續跟隨,整個產業鏈很可能就此起勢。

市場規模或超百億

一個好的產業必須足夠大,否則即便起勢,也只是在裡面來回折騰。從規模看,2018年國內GaN功率電子器件市場規模約為1.2億元,處於產品應用初期。根據Yole預測,2020-2023年GaN市場增速高達55%,2023年GaN功率電子市場規模將達到4.2億美金,2024年有望提升至7.5億美金。

當然,這只是消費級電子市場。隨著技術的進步,氮化鎵已經逐漸運用在高精尖領域,未來隨著應用不斷拓寬,規模也會不斷增長。以5G射頻為例,得益於GaN的寬帶、高頻特性,毫米波基站對其需求會更加強烈。機構預計,到2023年,氮化鎵在5G領域的市場約為5-8億美金;另外,GaN在適配器方面的規模,預計可以達到7.5億美金-10億美金;在數據中心約為15億美金。這些數據是根據可替代材料反推回去的,可信度較高,最理想狀態下,市場整體規模超百億還是有可能的。

產業鏈主要個股分析

從產業鏈看,氮化鎵的產業鏈很大,主要是下遊用到這種材料的細分行業太多。華西證券梳理了產業鏈中受益的公司,包括GaN代工的三安光電、電源驅動晶片的聖邦股份和福滿電子、射頻晶片設計的卓勝微、功率半導體的斯達半導、揚傑科技等(更詳細公司請見表一)。

其中,實質性受益的標的主要有聞泰科技、三安光電、海陸重工、富滿電子、海特高新。這裡面,我們認為受益最大的標的主要有兩隻,一是聞泰科技,公司通過收購安世,成功切入功率半導體市場,其車載GaN已經量產,目前是全球最優質的氮化鎵供應商。

二是海特高新。公司持股53.79%的子公司海威華芯聚焦於第二代/第三代化合物半導體的工藝開發、器件模型製造,在氮化鎵晶片專利技術方面處於第一梯隊中,擁有249項專利,已經完成多項工藝路線的開發,包括砷化鎵和氮化鎵,並成功開發5G中頻段小於6GHz的基站用氮化鎵工藝技術以及矽基氮化鎵功率器件。從產能角度看,目前公司砷化鎵晶圓規劃產能每月2000片,氮化鎵規劃產能是600片,目前矽基氮化鎵功率器件已實現小批量供貨,5G基站產品則處於可靠性驗證階段,後續有望實現訂單獲取。

一個百億的市場不算很小,而且下遊的行業景氣度都很高,看起來氮化鎵向上的邏輯較強。但有三點需要注意,第一,我們無法知曉氮化鎵這個技術最終是否會被消費級電子領域普及,其他手機大廠是否會跟隨。第二,整個產業要到2023年才有百億的空間,且是在全部替換現有材料技術背景下才能實現,4年時間,變數太多了。第三,這不是什麼黑科技,只是產業鏈的一次小小變革,無法跟5G、晶片等產業變革相比。所以,這個產業中的實質性受益公司不一定馬上能出成績。

當然,市場現在是泛科技股結構性牛市,氮化鎵有好的產業背景,也有事件驅動,短期是有概念炒作價值的。該主題剛出來時,產業鏈上的所有受益標的都有上漲,現在進入分化階段。市場目前的炒作龍頭只剩下乾照光電和海陸重工,其次是海特高新,炒作性價比已經很低,不建議投資者去參與。

(文章來源:股市動態分析)

相關焦點

  • 小米帶火的氮化鎵 是風口還是炒作?
    氮化鎵充電器最主要的成本來自於氮化鎵MOS功率晶片,昂貴的原材料導致了消費級氮化鎵充電器價格高昂,但氮化鎵充電器是實現快充突破的關鍵,此次小米65W氮化鎵(GaN)充電器只要149元,創下業內新低,對性價比的突破,具有信號意義。未來全球氮化鎵快充市場必將飛速發展,迅速獲得廣大用戶群體的接受和認可。
  • 三代半導體——氮化鎵
    氮化鎵(GaN),是由氮和鎵組成的一種半導體材料,因為其禁帶寬度大於2.2eV,又被稱為寬禁帶半導體材料,在國內也稱為第三代半導體材料。氮化鎵和其他半導體材料對比上圖中我們可以看到,氮化鎵比矽禁帶寬度大3倍,擊穿場強高10倍,飽和電子遷移速度大3倍,熱導率高2倍。
  • 第三代半導體概念大漲,哪些上市公司涉及氮化鎵?
    第三代半導體到底是什麼?哪些公司涉及到了相關業務呢?第三代半導體是以碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)為主的寬禁帶半導體材料,具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點。5G時代下,第三代半導體優勢明顯。
  • 氮化鎵挑起半導體界的大梁,進入倒計時?
    而最近,無論是從研發應用引起的市場反響來講,還是從年後股票市場追捧程度來看,氮化鎵王者之相已露端倪。 眾所周知,第三代半導體又稱寬禁帶半導體,相較於第一代和第二代半導體材料,具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度、高遷移率等特點和優勢,以碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)、氧化鋅(ZnO)、金剛石、氮化鋁(AlN)等材料為代表。
  • 晶片疊加半導體龍頭概念一覽,外資百億重倉!
    本周衝刺加速後,果然出現高位大跌,不管是短線衝進去的資金,還是主力機構抱團的資金,都會撤退出來的。2,消費板塊,高估值板塊的資金撤退出來後,這些資金幹什麼方向呢?老陶在周四就和你們說了,消費,醫藥調整,晶片半導體反彈,加上周四晚上美股大跌,周五晶片半導體更加強勢表現,可見資金去了晶片半導體!
  • 智芯文庫 | 氮化鎵挑起半導體界的大梁,進入倒計時?
    眾所周知,第三代半導體又稱寬禁帶半導體,相較於第一代和第二代半導體材料,具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度、高遷移率等特點和優勢,以碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)、氧化鋅(ZnO)、金剛石、氮化鋁(AlN)等材料為代表。
  • 三代半導體材料氮化鎵(GaN)概念股
    項目主要產品:Mini/MicroLED氮化鎵、砷化鎵晶片,項目總投資約350000萬元,其中固定資產投資約300000萬元(含設備投入270000萬元以上)。易事特(300376):2020年2月,公司在互動易平臺表示,易事特作為國家第三代半導體產業技術基地(南方基地)第二大股東及推動產業創新技術發展的核心成員單位,現主要負責碳化矽、氮化鎵功率器件的應用技術研發工作。
  • 第三代半導體氮化鎵充電器,到底有多大能耐?
    記者通過互動易的檢索功能發現,從2月13日小米發布氮化鎵充電器至兩周之後的2月27日,深交所互動易板塊關於氮化鎵的互動問答有313條;而1月30日~2月13日,也就是小米發布氮化鎵充電器的前兩周,關於氮化鎵的互動問答只有13條。投資者的關注,源於市場對氮化鎵充電器的火熱反響。3月3日,記者登錄小米商城發現,小米氮化鎵充電器再次缺貨,下一次開售時間為3月6日,預約人數已經達到10萬。
  • 華為小米都在追趕的半導體材料「風口」:氮化鎵何以成為行業新寵?
    風口上的氮化鎵去年8月份,愛否聯合倍思發布了國內市場第1款65W氮化鎵充電器,它的體積只有其他廠商65W充電器的一半左右,頓時引發了關注。自此,「氮化鎵(GaN)」一詞開始成為了數碼圈的熱詞。很快,OPPO跟進推出自家的65W氮化鎵充電器,許多第三方廠商也推出相應產品。今年1月,小米也推出這一產品。
  • 臺積電宣布,半導體領域發展已達上限?我國反超的機會來了
    臺積電宣布,半導體領域發展已達上限?我國反超的機會來了臺積電宣布發現了2納米晶片的製造工藝最近,TSMC(臺積電)聲稱已經發現了2納米晶片的製造工藝,中科院也給我們帶來了一個好消息,讓我們眾多關注科學進展的人都為之振奮。這將是中國半導體領域的一個轉折點嗎?
  • 國內第三代半導體迎窗口期 今年氮化鎵、碳化矽產值或達70億元
    第三代半導體產業技術創新戰略聯盟理事長吳玲11月24日在2020國際第三代半導體論壇上透露,雙循環模式推動國產化替代,2020年中國SiC(碳化矽)、GaN(氮化鎵)電力電子和微波射頻產值預計將約為70億元。
  • 功率半導體全球老大的氮化鎵(GaN)新布局
    AWyesmc矽材料仍然是當前電源產品的主流,氮化鎵定位在高功率、高電壓的場景,集中在600V至 3.3kv。中低壓集中在100-600V。氮化鎵還具有高頻無損耗開關的特性。AWyesmc英飛凌保持功率半導體的絕對領先英飛凌大中華區副總裁電源管理及多元化市場事業部負責人潘大偉介紹,英飛凌電源管理與多元化市場事業部(PMM)專注於三大領域:能效、物聯網、快速的大數據。
  • 深度剖析第三代半導體材料氮化鎵市場現狀
    具體來看,氮化鎵產業鏈與碳化矽產業鏈環節無較大差別,同樣分為襯底、外延片和器件環節。儘管碳化矽被更多地作為襯底材料,但國內仍有從事氮化鎵單晶生長的企業,主要有蘇州納維、東莞中鎵、上海鎵特和芯元基等;從事氮化鎵外延片的國內廠商主要有三安光電、賽微電子、海陸重工、晶湛半導體、江蘇能華、英諾賽科等;從事氮化鎵器件的廠商主要有三安光電、聞泰科技、賽微電子、聚燦光電、乾照光電等。
  • 氮化鎵「爆紅」 傳統電子巨頭康佳半導體轉型細節披露
    小米一系列產品配置的面世,也讓半導體行業、信息技術行業的眾多新興概念迅速走紅。其中,第一個引發資本市場強烈反應的就是第三代半導體材料——氮化鎵概念。 從概念板塊上來看,在目前的A股市場中,大約有近20家企業與氮化鎵概念相關,且除少部分上遊代工企業外,大部分都還處在布局與研發階段,如小米此次發布的65W氮化鎵充電器這樣,在民用通信行業中成熟的器件產品,市場中還非常稀缺。
  • 第三代半導體將寫入規劃,這些LED企業機會來了
    摘要:以碳化矽為代表的第三代半導體已逐漸受到國內外市場重視,不少半導體廠商已率先入局。不過,量產端面臨多重挑戰下,第三代半導體材料佔比仍然較低。未來政策導入有望加速我國第三代半導體產業發展,以期進一步把握主動。LED企業基於其自身對材料的理解,布局氮化鎵、氮化矽、砷化鎵等半導體材料行業,可以說是近水樓臺。
  • 江左牛郎:半導體國產替代才是硬核投資機遇
    大部分投資者可能都在等待政策引導出來後再選擇強勢題材進場炒作,那麼沒看到方向該怎麼操作?那就繼續關注我們最擅長的硬核題材——半導體國產替代!今年的工作報告中指出:實行重點項目攻關「揭榜掛帥」,誰能幹就讓誰幹。這話說得相當霸氣,背後表明了在「科技興國」理念下科技領域既充滿了挑戰,也充滿了機遇!換句話說挑戰即是機遇、就是賺錢機會。
  • 化合物半導體材料——砷化鎵、氮化鎵、碳化矽(附個股名單)
    化合物半導體材料主要是由兩種或兩種以上元素形成的,主要有砷化鎵(GaAs)、氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)等。此類化合物半導體材料的優點有高電子遷移率、高頻率、寬幅頻寬、高線性度、高功率、材料多元性以及抗輻射等。
  • 帶你了解第三代半導體明星「氮化鎵」!
    什麼是GaN氮化鎵(gallium nitride)是一種無機物,化學式為GaN,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導體,自1990年起常用在發光二極體中。此化合物結構類似纖鋅礦,硬度很高。
  • 矽基氮化鎵晶圓搭配半導體技術,ALLOS掀起Micro LED產業革命
    不過,德國的磊晶技術公司ALLOS跳出既有框架,指出其GaN-on-Si矽基氮化鎵LED的技術,將成為解決上述各種Micro LED挑戰的關鍵,能夠突破現存的良率限制,迎矢量產目標。
  • 按「圖」索驥系列——從氮化鎵看第三代半導體的國產替代希望
    作為第三代半導體材料的代表,氮化鎵在整個產業鏈中究竟扮演著怎樣的角色?基於【聚源產業鏈圖譜】的數據,圖譜君今天就為大家帶來第三代半導體產業鏈的梳理:1.產品產業鏈圖譜數據半導體材料現在已經發展到第三代,第一代與第二代半導體材料是互補的材料,各有優勢又不可取代,在應用上通常兼容兩者的優點,以滿足更高產品的需求,因此,兩者長期共存。