氮化鎵「爆紅」 傳統電子巨頭康佳半導體轉型細節披露

2021-01-09 金融界

來源:金融界網站

金融界網站訊一場小米10的線上發布會,引爆了整條5G產業鏈上下遊。小米一系列產品配置的面世,也讓半導體行業、信息技術行業的眾多新興概念迅速走紅。其中,第一個引發資本市場強烈反應的就是第三代半導體材料——氮化鎵概念。

從概念板塊上來看,在目前的A股市場中,大約有近20家企業與氮化鎵概念相關,且除少部分上遊代工企業外,大部分都還處在布局與研發階段,如小米此次發布的65W氮化鎵充電器這樣,在民用通信行業中成熟的器件產品,市場中還非常稀缺。

由氮化鎵概念帶來的投資情緒,也在資本市場中演化成為了一波強勁的股價拉動。小米發布會後,A股中的氮化鎵相關概念股幾乎全部上漲。此後不久,為回應資本市場熱度,部分上市企業的氮化鎵研發、生產布局與階段成果也紛紛曝光,又引發了新一輪的資金追捧。如三安光電、風華高科、捷捷微電等企業,都陸續向外透露了其氮化鎵研發與專利成果等信息。

但同時,資本市場的熱點也引起了監管部門的關注。在回復投資者互動的提問時,深康佳A透露出了其「控股子公司重慶康佳光電技術研究院有限公司

(以下簡稱重慶光電)正在從事MicroLED相關的產品研發,其中會涉及氮化鎵相關技術。」而這一回應,在帶動了深康佳A此後數日股價上漲的同時,也受到了深交所要求其進一步詳細說明擁有氮化鎵相關技術、研發階段、未來風險等信息的關注。

什麼是氮化鎵與第三代半導體材料?

從科研角度來看,氮化鎵材料的誕生並不是近期的事情。早在上世紀中期,氮化鎵作為一種與Ⅲ-Ⅴ化合物半導體材料,因與鍺半導體互為等電子體, 卻擁有不同的結構與帶隙,就引起了科學界對探索其特性的廣泛興趣。

通過長時間的研究發現,氮化鎵材料擁有良好的電學特性,相對於矽、砷化鎵、鍺甚至碳化矽器件,氮化鎵器件可以在更高頻率、更高功率、更高溫度的情況下工作,因而被認為是研究短波長光電子器件以及高溫高頻大功率器件的最優選材料。其也因此被業界看做是第三代半導體材料的代表。

制表:金融界上市公司研究院 信息來源:公共素材

近年來,以氮化鎵為代表的Ⅲ族氮化物因在光電子領域和微波器件方面的應用前景而受到廣泛的關注。其應用則主要分為兩個方面,一是憑藉氮化鎵在高溫高頻、大功率工作條件下的出色性能可取代部分矽和其它化合物半導體材料;二是憑藉其寬禁帶、激發藍光的獨特性質開發新的光電應用產品。

2014年,日本科學家赤崎勇和天野浩,就因其在選擇以氮化鎵材料開發藍色發光器件方面的成就,而獲得了諾貝爾物理學獎。

從當前產業市場來看,氮化鎵器件初步形成的產業鏈可以分為:GaN單晶襯底(或SiC、藍寶石、Si)→GaN材料外延→器件設計→器件製造。從產業鏈上遊觀察,當前美國、日本和歐洲在氮化鎵體單晶材料研究方面都取得了一定的成果,都出現了可以生產氮化鎵體單晶材料的公司。其中,美國的Kyma公司已經研製出4英寸氮化鎵單晶襯底,而日本日立電線公司的氮化鎵襯底,直徑達2英寸,襯底上位錯密度達到1×106cm-2水平。

從國內目前的氮化鎵市場來看,當前仍以垂直一體化企業為主,但上中下遊的設計與製造已經出現了初步的分工。

資本市場的氮化鎵概念與企業布局

客觀來看,目前氮化鎵產業鏈各環節中,中國企業的參與仍舊有限,生產主力以製程代工為主。但國內擁有相關積累的企業,在技術研發、生產布局等方面的參與意願強烈,相信未來全球市場格局將持續發生變化。

A股市場中,氮化鎵相關概念的上市企業在這一時期密集回應外界關於其氮化鎵發展狀況的關心。例如,三安光電錶示其集成電路氮化鎵產品一直在進行產能擴張,捷捷微電則表示其氮化鎵半導體產品業務在研發階段等。

通過深康佳A對深交所關注函的詳細回應,反而讓市場對其氮化鎵布局有了更清晰的認知。在回應中,深康佳A表示,其控股子公司重慶光電主要從事MicroLED相關的產品研發、生產和銷售。其中,藍色及綠色MicroLED發光晶片項目涉及的材料為氮化鎵。

「重慶康佳光電研究院的建立,就是開展MicroLED產品為代表的氮化鎵等化合物半導體技術與應用研發。」深康佳A在關注函的回覆中表示,MicroLED產品研發至生產需要分別完成發光晶片製造和顯示模組製造,其中發光晶片製造可分為設計、樣片研發、試產、小規模量產和量產共5個階段。目前,重慶光電自主研發的MicroLED顯示屏以及MicroLED發光晶片已在實驗室成功點亮(即樣片研發階段已完畢),其中藍色與綠色MicroLED發光晶片的材料為氮化鎵。

從時間發展來看,深康佳A作為老牌黑電巨頭,向半導體業務拓展大致是從2018其半導體科技事業部成立開始的。至於向氮化鎵技術與產品的拓展, 則是其圍繞Micro LED全產業鏈相關環節布局產生的成果。

根據其公布的信息顯示,作為光電技術研究的主題,深康佳A旗下重慶光電註冊資本20億元,具備Micro LED一條龍全製程技術能力,致力於Micro LED材料、工藝、產品、設備的技術開發、項目孵化及專利布局申請。其目前擁有100多人的研發團隊,已經完成顯示多個規格的晶片樣片的研製,正在進行產品化的工作,並將於2020年陸續應用於實際產品之中。

康佳集團總裁周彬日前接受媒體採訪時表示,康佳包括儲存晶片分銷等在內的半導體業務年營收已達13億美元,現正準備調整會計口徑,讓數據更透明。而該公司副總裁李宏韜則回應了市場對其氮化鎵技術的關注。他表示,康佳集團近日招募氮化鎵工程師,是想加快突破半導體光電的核心技術,他預計今年中國半導體務業務仍將高速增長。

「康佳與小米不同,小米主要是把氮化鎵技術應用於充電器,在應用層面。」 李宏韜著重提到,「康佳力爭突破氮化鎵的核心技術,第一步應用以光電晶片為主,未來應用領域會擴至功率器件、射頻器件,而射頻器件等在5G時代將用途很廣。」

相關焦點

  • 第三代半導體引投資熱電子巨頭紛紛湧入 康佳搭建平臺推進國產替代
    那麼,氮化鎵究竟有何市場前景,為何獲得眾多電子巨頭和上市公司青睞?電子巨頭湧入第三代半導體加速探索為何爭相布局?近一年來,小米、OPPO,華為、三星、蘋果等科技巨頭紛紛加快在第三代半導體的布局,而關於康佳也在這一領域持續跟進。氮化鎵究竟有何優越性和前景,可以讓康佳、華為、三星、蘋果等電子巨頭及國內多家上市公司競相布局?
  • 三代半導體——氮化鎵
    氮化鎵(GaN),是由氮和鎵組成的一種半導體材料,因為其禁帶寬度大於2.2eV,又被稱為寬禁帶半導體材料,在國內也稱為第三代半導體材料。氮化鎵和其他半導體材料對比上圖中我們可以看到,氮化鎵比矽禁帶寬度大3倍,擊穿場強高10倍,飽和電子遷移速度大3倍,熱導率高2倍。
  • 2020或成氮化鎵應用元年,技術爆發將如何改變我們的生活?
    現在,隨著氮化鎵技術的崛起,擁有優越性能的功率產品、照明產品、LED產品正在從各大廠商中輸出,我們的生活也將迎來夢想已久的驚喜。神奇的氮化鎵有哪些驚豔性能?如今,越來越多的領域要求半導體能夠忍耐高溫、強輻射、大功率等環境,這明顯超出了第一、二代半導體材料的能力,卻正是氮化鎵的擅長。
  • 入局「網紅」氮化鎵,手機廠商捧出百億新風口
    電商頁面截圖/來源:京東而氮化鎵這一半導體專業名詞,在短時間內成為了「網紅」新詞彙。氮化鎵快充成為了各大電商的暢銷品類。手機廠商們捧出來的百億風口特別是最近一年,65w、120w快充接連出現,15分鐘即可充滿一部手機,氮化鎵快充甚至成為各大手機廠商主打的賣點。
  • 科技自力是中華的優良傳統,第三代半導體率先突圍能否以點帶面?
    半導體在過去主要經歷了三代變化,但就目前來說這三代半導體是共存的第一代,半導體始於上世紀50年代,以矽和鍺為主要代表,只帶了笨重的電子管,帶來了核心微電子工業的發展和整個it產業的飛躍,而矽由於其具有出色的性能和成本優勢,目前仍然是集成電路等半導體器件主要使用的材料,半導體工業也隨著摩爾定律而蓬勃發展,所謂的摩爾定律就是在價格不變的情況下,集成電路上可容納的元器件數目每隔
  • 氮化鎵挑起半導體界的大梁,進入倒計時?
    而最近,無論是從研發應用引起的市場反響來講,還是從年後股票市場追捧程度來看,氮化鎵王者之相已露端倪。 眾所周知,第三代半導體又稱寬禁帶半導體,相較於第一代和第二代半導體材料,具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度、高遷移率等特點和優勢,以碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)、氧化鋅(ZnO)、金剛石、氮化鋁(AlN)等材料為代表。
  • 第三代半導體氮化鎵充電器,到底有多大能耐?
    「小米發布了65W的氮化鎵充電器,氮化鎵又是公司最新的重點,氮化鎵充電器會不會運用到新能源汽車充電?」「董秘您好!請問貴公司有氮化鎵充電器技術嗎?」「請問公司電子產品涉及氮化鎵充電器嗎?」在深圳證券交易所「互動易」板塊,也就是深交所開設的投資者與上市公司的互動平臺上,氮化鎵成為投資者的重點關注對象。
  • 智芯文庫 | 氮化鎵挑起半導體界的大梁,進入倒計時?
    眾所周知,第三代半導體又稱寬禁帶半導體,相較於第一代和第二代半導體材料,具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度、高遷移率等特點和優勢,以碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)、氧化鋅(ZnO)、金剛石、氮化鋁(AlN)等材料為代表。
  • Micro LED或成為顯示產業新引擎 康佳欲定義行業新標準
    本報記者 賈麗      為打破壟斷局面,我國製造業巨頭正在加速推動半導體產業的布局和研發。      近日,康佳集團再宣布加重布局半導體產業,重點發力MicroLED,搶佔下一個萬億美元市場。MicroLED能夠為我國製造企業帶來怎樣的發展機會?企業如何突破瓶頸獲得實質性發展?
  • 半導體:氮化鎵只有短線炒作機會
    趨勢行情下,只要有新的變革技術出來,便會被機構猛吹,近期半導體板塊的氮化鎵就是一個典型例子。氮化鎵(GaN)憑藉高頻低阻、高導熱、耐高溫等優勢,成為電子器件和射頻器件的潛在替換材料。而本次氮化鎵浮出水面,主要是小米新產品助推所致。理想狀態下,氮化鎵市場空間超百億,不算小,但面臨技術普及時間長、其他大廠不跟進等風險,短期看,該主題只有炒作機會。
  • 發力Micro LED和氮化鎵等技術,這家公司再導入關鍵生產設備
    除了MOCVD,更多Micro LED生產設備已導入 今年3月,設備商愛思強宣布康佳已訂購了其MOCVD設備,用於助力康佳基於氮化鎵和砷磷材料的Mini/Micro LED的批量生產。
  • 功率半導體全球老大的氮化鎵(GaN)新布局
    AWyesmc英飛凌保持功率半導體的絕對領先英飛凌大中華區副總裁電源管理及多元化市場事業部負責人潘大偉介紹,英飛凌電源管理與多元化市場事業部(PMM)專注於三大領域:能效、物聯網、快速的大數據。,柵極電壓超出正向電壓時空穴注入,如果不在柵極做任何的電壓動作,它中間有一個二維電子器的層,電子在中間流動。
  • 第三代半導體將寫入「十四五規劃」,這些上市公司有涉及
    今年年初,小米發布65W氮化鎵快充,其風頭甚至蓋過了小米10手機主角的風頭,第三代半導體也由此一度成為網紅。  更重要的是,第三代半導體切中新基建的種種需求。5G建設進一步加速了氮化鎵射頻器件的應用,據賽迪顧問數據,氮化鎵射頻器件已經成為5G時代較大基站功率放大器的候選技術。
  • 第三代半導體將寫入「十四五規劃」 這些上市公司有涉及
    來源:方正證券第三代半導體材料具有高頻、高效、高功率、耐高壓、耐高溫、抗輻射等特性,可以實現更好電子濃度和運動控制,特別是在苛刻條件下備受青睞,在5G、新能源汽車、消費電子、新一代顯示、航空航天等領域有重要應用。今年年初,小米發布65W氮化鎵快充,其風頭甚至蓋過了小米10手機主角的風頭,第三代半導體也由此一度成為網紅。
  • 深度剖析第三代半導體材料氮化鎵市場現狀
    在第三代半導體材料產業鏈製造以及應用環節上,SiC可以製造高耐壓、大功率電力電子器件如MOSFET、IGBT、SBD等,用於智能電網、新能源汽車等行業。與矽元器件相比,GaN具有高臨界磁場、高電子飽和速度與極高的電子遷移率的特點,是超高頻器件的極佳選擇,適用於5G通信、微波射頻等領域的應用。
  • 華為小米都在追趕的半導體材料「風口」:氮化鎵何以成為行業新寵?
    通過有巨大網絡影響力的雷軍不遺餘力地宣傳,氮化鎵的熱度再度拔高。接著,華為在基站中棄用美國晶片,轉而使用「備胎」氮化鎵射頻PA的消息傳出,更是讓這種新貴材料的熱點不再限於充電器行業。人們對整個氮化鎵半導體行業的關注都開始上升。事實上,說氮化鎵材料是「新貴」不太貼切,事實上,早在30年前,這種材料就已經被用在半導體上。
  • 三代半導體材料氮化鎵(GaN)概念股
    項目主要產品:Mini/MicroLED氮化鎵、砷化鎵晶片,項目總投資約350000萬元,其中固定資產投資約300000萬元(含設備投入270000萬元以上)。易事特(300376):2020年2月,公司在互動易平臺表示,易事特作為國家第三代半導體產業技術基地(南方基地)第二大股東及推動產業創新技術發展的核心成員單位,現主要負責碳化矽、氮化鎵功率器件的應用技術研發工作。
  • 第三代半導體了解一下?走進氮化鎵的廣闊天地
    因為它是全球首款採用了GaN(氮化鎵)半導體的消費級產品,以普通手機充電頭的體積,輸出可達30W的功率。這標誌著GaN作為第三代半導體新寵,在消費市場開始走向成熟。本次我們就來了解一下GaN的神奇之處。
  • 第三代半導體概念大漲,哪些上市公司涉及氮化鎵?
    第三代半導體到底是什麼?哪些公司涉及到了相關業務呢?第三代半導體是以碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)為主的寬禁帶半導體材料,具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點。5G時代下,第三代半導體優勢明顯。
  • 按「圖」索驥系列——從氮化鎵看第三代半導體的國產替代希望
    作為第三代半導體材料的代表,氮化鎵在整個產業鏈中究竟扮演著怎樣的角色?基於【聚源產業鏈圖譜】的數據,圖譜君今天就為大家帶來第三代半導體產業鏈的梳理:1.產品產業鏈圖譜數據半導體材料現在已經發展到第三代,第一代與第二代半導體材料是互補的材料,各有優勢又不可取代,在應用上通常兼容兩者的優點,以滿足更高產品的需求,因此,兩者長期共存。