晶片發展大變革！中科院院士都有為：自旋晶片或成未來主流

晶片作為現代科技不可缺少的重要元器件，研究難度的確還是非常的大，主要的原因分為兩個方面一個是設計，另一個是製造。世界上頂級設計公司很多的，咱們國內也是有的，但是一說到製造，能夠滿足這些公司的設計要求的就只有臺積電了，但是隨著製程越來越先進，晶片的一場變革也是慢慢的露出了苗頭。

在10月16日，第19屆中國新材料技術論壇在淄博舉行，論壇上有中科院院士、南京大學物理系教授等等多位專家都對於晶片領域這一塊都非常的關注，而且也提到了未來晶片的發展中，一種全新的晶片將會成為後摩爾時代的主流，也將是未來很長一段時間裡的關鍵核心技術，這就是自旋晶片。

據了解，自旋晶片是各類MRAM（磁隨機存儲器）的統稱，其經歷了三個發展的階段，分別是MRAM、STT-MARM、MeRAM。在這個發展的期間，很多的國家和企業都在積極推動自旋晶片的發展，就比如說日本衛星就是全面採用的Freescale公司的MRAM產品，替代了SRAM和Flash的存儲器。

此外，法國和韓國分別都投入了420萬歐元和5000萬美元來看法自旋晶片，而且在2016年的時候，IBM聯手三星宣布能夠批量生產STT-MRAM的晶片了，讀寫速度比NAND Flash還要快上千倍，目前的DRAM雖然也是非常快，但相比於STT-MRAM還是有所差距，所以未來也是非常有希望能取代DRAM。

當然說了這麼多的國外，咱們國內對於自旋晶片這個未來重要的科技核心技術自然也沒有不發展的道理。從2017年開始，咱們國內的企業就積極的布局自旋晶片，就比如說臺積電2017年在南京建廠，準備用來生產自旋晶片，而且2018年杭州馳拓、上海磁宇、中芯國際、華為等等這些國內的科技巨頭，也都在籌建自選晶片的研發和生產。

之所以自旋晶片這麼重要還是因為其市場的廣闊，自選晶片有著SRAM的高速度、DRAM的高密度以及Flash的非易失性等優點，軍民兩用都是非常合適的，其市場前景據相關的專業人士評估可達上萬億美元，在如今的晶片製程發展到一個非常極限的時間段，未來的後摩爾時代，自旋晶片非常有可能成為主流。

所以咱們要想不再繼續被卡住脖子，自然也是不能夠放過任何一個發展技術的機會，而且國外一直都是不想讓高端技術在中國發芽，因為咱們的發展速度已經讓他們感到害怕，但就是這樣我們就越要堅強起來，不再走半導體晶片落後的覆轍。