當前國內集成電路半導體行業現狀及應對策略

集成電路產業鏈龐大而複雜，主要分為集成電路設計、集成電路製造以及集成電路封裝測試等三個主要環節，同時每個環節配套以不同的製造設備和生產原材料等輔助環節。我們下文將從製造設備及原材料、集成電路設計、集成電路製造和封裝測試等四個環節出發，分析每個環節國內相關環節的現狀、面臨的問題，並提出對策建議。NfIEETC-電子工程專輯

全球與中國半導體設備現狀

半導體設備位於整個半導體產業鏈的上遊，在新建晶圓廠中半導體設備支出的佔比 普遍達到 80%。一條晶圓製造新建產線的資本支出佔比如下：廠房 20%、晶圓制 造設備 65%、組裝封裝設備 5%，測試設備 7%，其他 3%。其中晶圓製造設備在 半導體設備中佔比最大，進一步細分晶圓製造設備類型，光刻機佔比 30%，刻蝕 20%，PVD15%，CVD10%，量測 10%，離子注入 5%，拋光 5%，擴散 5%。NfIEETC-電子工程專輯

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17 年全球半導體設備市場總量約為 566 億美元，同比+37%，2018 年預計在 600 億美元規模。中國是全球半導體設備的第三大市場，17 年中國半導體設備 82.3 億 元，增速 27%。NfIEETC-電子工程專輯

中國半導體設備現狀

半導體設備具備極高的門檻和壁壘，全球半導體設備主要被日美所壟斷，核心設備 如光刻、刻蝕、PVD、CVD、氧化/擴散等設備的 top3 市佔率普遍在 90%以上。 目前光刻機、刻蝕、鍍膜、量測、清洗、離子注入等核心設備的國產率普遍較低。 經過多年培育，國產半導體設備已經取得較大進展，整體水平達到 28nm，並在 14nm 和7nm 實現了部分設備的突破。NfIEETC-電子工程專輯

具體來講，28nm 的刻蝕機、薄膜沉積設備、氧化擴散爐、清洗設備和離子注入機 已經實現量產；14nm 的矽/金屬刻蝕機、薄膜沉積設備、單片退火設備和清洗設備 已經開發成功。8 英寸的 CMP 設備也已在客戶端進行驗證；7nm 的介質刻蝕機已 被中微半導體開發成功；上海微電子已經實現 90nm 光刻機的國產化。在中低端制 程，國產化率有望得到顯著提升，先進位程產線為保證產品良率，目前仍將以採購 海外設備為主。NfIEETC-電子工程專輯

光刻機：高精度光刻機被ASML、尼康、佳能三家壟斷，上海微電子是國內頂尖的 光刻機製造商，公司封裝光刻機國內市佔率 80%，全球 40%，光刻機實現 90nm 製程，並有望延伸至 65nm 和 45nm，公司承擔多個國家重大科技專項及 02 專項 任務。NfIEETC-電子工程專輯

刻蝕設備：前三家廠商 LAM、東京電子、應用材料市佔率超過 90%，國產刻蝕機 市佔率僅 6%，中微半導體是唯一打入臺積電 7nm 製程的中國設備商，北方華創的8 英寸等離子蝕刻機進入中芯國際，封裝環節刻蝕機基本實現國產化，國產化率 近90%。NfIEETC-電子工程專輯

鍍膜設備：分為 PVD 和 CVD，其中 PVD 前三大廠商 AMAT、Evatec、Ulvac 佔 比96.2%，CVD 三大廠商 AMAT、TEL、LAM 佔比 70%，國內廠商北方華創實現 28nm PVD 設備的突破，16 年國內市佔率已經有 10%，封裝設備中國產 PVD 市 佔率接近 70%。CVD 中的 MOCVD 是國產化最晚的領域，目前已有 20%的國產 化率，NfIEETC-電子工程專輯

量測設備：主要包括自動檢測設備（ATE）、分選機、探針臺等。前端檢測前三甲 廠商科磊、應材、日立佔比 72%，後道測試設備廠商美國泰瑞達、日本愛德萬佔 全球份額 64%，分選機廠商科林、愛德萬、愛普生等市佔率高達 70%，而探針臺 基本由東京精密、東京電子、SEMES 壟斷。國內廠商長川科技測試設備主要在中 低端市場，主要在數模混合測試機和功率測試機。NfIEETC-電子工程專輯

清洗設備：主要設備廠商 SCREEN、東京電子、LAM 合計佔比88%，目前國內的 盛美半導體的 SAPS 產品已經進入一流半導體製造商產線。北方華創整合 Akrion 後提供單片清晰和槽式清洗設備，已經進入中芯國際產線。至純科技已經取得溼法 清晰設備的批量訂單，未來五年超過 200 臺的訂單。NfIEETC-電子工程專輯

離子注入設備：應用材料佔據粒子注入機的 70%以上的市場，高端離子注入機前 三家包攬 97%市場份額，行業高度集中。目前國內只有凱世通和中科信有離子注 入機的研發生產能力，17 年凱世通已經銷售太陽能離子注入機15 臺。NfIEETC-電子工程專輯

中國半導體設備的政策支持

從政策上看，隨著《國家集成電路產業發展推進綱要》《中國製造2025》等綱領的 退出，國內針對半導體裝備的稅收優惠、地方政策支持逐步形成合力，為本土半導 體設備廠商的投融資、研發創新、產能擴張、人才引進等創造良好環境。NfIEETC-電子工程專輯

財政部先後於 2008、2012、2018 年出臺稅收政策減免集成電路生產企業所得稅, 對 2018 年以後投資新設企業或項目:1)線寬<130nm 且經營期在 10 年以上的,第 1~2 年免徵企業所得稅,第 3~5 年減半徵收企業所得稅;2)線寬<65nm 或投資 額>150億元,且經營期在15年以上的,第1~5年免徵企業所得稅,第6~10年減半徵 收企業所得稅。2015 年財政部等四部委針對集成電路封測企業、關鍵材料和設備 企業出臺稅收優惠政策,自獲利年度起第1~2年免徵企業所得稅,第3~5年減半徵收 企業所得稅。NfIEETC-電子工程專輯

從地方產業政策來看，多地退出集成電路產業扶持政策及發展規劃，從投融資、企 業培育、研發、人才、智慧財產權、進出口以及政府管理等方面退出一系列政策，對 符合要求的企業給予獎勵和研發補助。NfIEETC-電子工程專輯

中國半導體設備的問題、不足與解決方案

半導體設備門檻高，投入期長，屬於典型技術和資本密集型行業，技術差距大。打 破壟斷、提高國產化率是當務之急。NfIEETC-電子工程專輯

我國半導體設備行業面臨以下幾個主要問題：

1， 研發投入有限，技術差距追趕緩慢。

近年我國半導體設備雖已取得長足進步，在各個領域已經實現 0 的突破，但是整體 研發投入相對海外依然較低，此外先進工藝節點的不斷推進，使得國內的技術追趕 之路困難重重。企業雖然持續加大研發力度，但隨著摩爾定律演進，越先進的工藝 製程研發成本就越高，能投入資金跟上腳步的半導體設備廠商已經越來越少，無形 中增加了技術追趕的難度。NfIEETC-電子工程專輯

解決方案：技術難點的攻克可以通過國家重大專項的推進完成，企業和政府共同承 擔高端設備的技術攻克，減輕企業端的研發投入壓力，同時繼續鼓勵國內新建晶圓 廠推動設備的國產化替代，給國內半導體設備廠商試錯與提升的機會。針對不同的 半導體設備制定國產化替代節點時間，對企業研發投入進行補貼，並積極利用國內 各種融資途徑擴大規模。NfIEETC-電子工程專輯

2，高端人才引進不足，核心人才流失，後備人才不足

人才已經成為中國半導體設備產業成長的瓶頸點，半導體人才的培養是一個漫長的 過程，尤其是在先進工藝、先進技術方面，更是花錢可能也達不到效果的。行業人 才薪資相比海外偏低，保證新進人才是延續強勁成長、打破半導體設產業成長瓶頸 的關鍵。2018 年全國本碩博畢業生數量超過800 萬人，但集成電路專業領域的高 校畢業生中只有 3 萬人進入本行業就業。NfIEETC-電子工程專輯

積極通過人才引進，股權激勵，政府補助等方式進行高端人才的引進，政府牽頭推 進半導體行業的人才培養，通過產學研結合的方式，同時對半導體行業人才的住房 等問題上進行政策傾斜。NfIEETC-電子工程專輯

3，科學布局，政府引導合理規劃

集成電路產業發展的初期必須由政府來主導，當前集成電路的產業投資主體分散， 管理主體也非常分散，這對產業發展非常不利。到了目前階段，制定規劃，確立戰 略，科學布局，制定政策可能非常重要。政府要管理，但不能管理過度。管理一過 度就管死，條條框框增多，政策多門，可能導致效率低下。NfIEETC-電子工程專輯

半導體材料現狀、問題及應對措施

半導體材料產業分布廣泛，門類眾多，主要包括晶圓製造用矽和矽基材、光刻 膠、高純化學試劑、電子氣體、靶材、拋光液等。以半導體產業鏈上下遊來分類，半導體材料可以分為晶圓製造材料和封裝材料。2016 年全球晶圓製造材 料和封裝材料市場規模分別為 247 億美元和 196 億美元。我國是全球最大的 半導體消費國，也是全球最大的半導體材料需求國。2016 年全球半導體材料市 場規模為 443 億美金，其中中國大陸市場銷售額為 65 億美金，佔全球總額的 15%，超過日本、美國等半導體強國，僅次於臺灣、韓國，位列全球第三。NfIEETC-電子工程專輯

同半導體設備等配套設施一樣，我國半導體材料也面臨著自給率不足、規模小、 高端佔比低等問題。與國外企業相比，我國半導體材料企業實力較弱，但隨著 國家政策的支持、國內企業研發和產業投入增加等，各種材料領域均已取得突 破，在逐步實現部分國產替代。下面我們集中就幾種核心的半導體原材料的現 狀、面臨的問題以及應對措施進行分析。NfIEETC-電子工程專輯

1、矽片：

矽單晶圓片是最常用的半導體材料，是晶片生產過程中必不可少的、成本佔比 最高的材料。製造一個晶片，需要先將普通的矽原料製造成矽單晶圓片，然後 再通過一系列工藝步驟將矽單晶圓片製造成晶片。從市場規模上來看，2016 年 全球半導體矽片市場規模為 85 億美元，佔半導體製造材料總規模比重達 33%； 2016 年國內半導體矽片市場規模為 119 億元人民幣，佔國內半導體製造材料 總規模比重達 36%。無論是全球還是國內市場，矽片都是半導體製造上遊材料 中佔比最大的一塊。NfIEETC-電子工程專輯

全球最大的 5 家廠商(主要是德國及日本廠商)幾乎囊括了全球 95%的 300mm 矽晶圓片、86%的 200mm 矽晶圓片和 56%的 150 mm 及以下尺寸 矽晶圓片。這一領域主要由日本廠商壟斷，我國 6 英寸矽片國產化率為 50%， 8 英寸矽片國產化率為 10%，12 英寸矽片尚未量產，完全依賴於進口。2017 年全球的集成電路矽片企業中，日本信越化學份額 28%，日本 SUMCO 份額 25%，臺灣環球晶圓份額 17%，德國 Siltronic 份額 15%，韓國 LG 9%。這五 家合計佔了全球的 94%的份額。NfIEETC-電子工程專輯

2、光刻膠：

半導體光刻膠的市場較大，國產替代需求強烈。2015 年中國光刻膠市場的總 需求為 4390 噸，為 2007 年的 5.7 倍，目前半導體光刻膠的供應廠商要集中 在美國、日本、歐洲以及韓國等地。中國的光刻膠供應廠商多集中於 PCB 光 刻膠、LCD 光刻膠等低端領域。當前國內能夠生產半導體光刻膠的廠商有北京 科華微電子和蘇州瑞紅等。NfIEETC-電子工程專輯

3、靶材：

高純濺射靶材主要是指純度為 99.9%-99.9999%(3N-6N 之間)的金屬或非金 屬靶材，應用於電子元器件製造的物理氣象沉積(PVD)工藝，是製備晶圓、面 板、太陽能電池等表面電子薄膜的關鍵材料。 濺射是製備薄膜材料的主要技術 之一，它利用離子源產生的離子，在真空中經過加速聚集而形成高速的離子束 流，轟擊固體表面，離子和固體表面原子發生動能交換，使固體表面的原子離 開固體並沉積在基底表面，被轟擊的固體是用濺射法沉積薄膜的原材料，稱為 濺射靶材。NfIEETC-電子工程專輯

在晶圓製作環節，半導體用濺射靶材主要用於晶圓導電層及阻擋層和金屬柵極 的製作，主要用到鋁、鈦、銅、鉭等金屬，晶片封裝用金屬靶材於晶圓製作類 似，主要有銅、鋁、鈦等。NfIEETC-電子工程專輯

4、溼電子化學品

溼電子化學品(Wet Chemicals)指為微電子、光電子溼法工藝(主要包括溼法刻蝕、溼法清洗)製程中使用的各種電子化工材料。 溼電子化學品按用途可分為通用 化學品(又稱超淨高純試劑)和功能性化學品(以光刻膠配套試劑為代表)。其中超 淨高純試劑一般要求化學試劑中控制顆粒的粒徑在 0.5m 以下，雜質含量低 於 ppm 級，是化學試劑中對顆粒控制、雜質含量要求最高的試劑。功能溼電 子化學品是指通過復配手段達到特殊功能、滿足製造中特殊工藝需求的配方類 或復配類化學品。功能性溼電子一般配合光刻膠用，包括顯影液、漂洗液、剝 離液等。2016 年全球溼電子化學品市場規模約為 11.1 億美元。 溼電子化學 品作為新能源、現代通信、新一代電子信息技術、新型顯示技術的關鍵化學材 料，其全球市場規模自 21 世紀初開始快速增長。根據 SEMI 數據顯示， 2016 年全球溼電子化學品市場規模約為 11.1 億美元。NfIEETC-電子工程專輯

應對措施

隨著我國半導體產業製造能力的提升，配套原材料的國產化繼續提上日程。集 成電路對原材料純度等要求非常高，因為集成電路產品的價值非常高，導致原 材料供應商的選擇非常嚴謹。我們建議對半導體原材料產業加大資源、人力等 投入的同時，可以在政策方面對下遊製造企業使用國產化原材料進行補貼，推 動下遊企業與上遊原材料企業共同進步，進口實現產業鏈的全國產化。同時在 新材料研發方面，國家在政策上給相關企業、人才等給予引導和支持。NfIEETC-電子工程專輯

晶片設計現狀、問題以及對策

全球半導體分為 IDM(Integrated Device Manufacture，集成電路製造)模式和垂 直分工模式兩種商業模式，老牌大廠由於歷史原因，多為 IDM 模式。隨著集 成電路技術演進，摩爾定律逼近極限，各環節技術、資金壁壘日漸提高，傳統 IDM 模式弊端凸顯，新銳廠商多選擇 Fabless（無晶圓廠）模式，輕裝追趕。 集成電路設計為知識密集型產業，國際上比較典型的參與者主要有 AMD、英偉 達、高通、聯發科、蘋果、華為海思等公司。NfIEETC-電子工程專輯

晶片設計可以分為數字集成電路設計和模擬集成電路設計兩大類。模擬集成電 路設計包括電源集成電路、射頻集成電路等設計。模擬集成電路包括運算放大 器，線性整流器，鎖相環，振蕩電路，有源濾波器等。相較數字集成電路設計， 模擬集成電路設計與半導體器件的物理材料性質有著更大的關聯。數字集成電 路設計包括系統定義，寄存器傳輸級設計，物理設計，設計過程中的特定時間 點，還需要多次進行邏輯功能，時序約束，設計規則方面的檢查，調試，以確 保設計的最終成果合乎最初的設計收斂目標。NfIEETC-電子工程專輯

全球晶片設計產業現狀

全球晶片設計產業龍頭企業主要分布在美國，中國，臺灣等國家地區， 2018 年， 中國企業海思半導體首次入圍全球晶片設計前十企業，營收規模排名全球第五。 從整體來看，美國企業仍然佔據了絕對主流，前 10 大晶片設計公司中有 8 家都 來自美國，其他僅有海思半導體和聯發科(中國臺灣)上榜。NfIEETC-電子工程專輯

2018 年全球晶片設計產業規模大約為 1139 億美元，同比增速 14%，過去五年 符合增速約為 6.6%。由於近幾年智慧型手機等終端對於晶片性能和數量需求的快 速提升，全球晶片設計產業得以快速增長。特別是隨著整體晶片設計工藝的持 續升級，晶片設計產業充分享受了下遊晶片製造大規模投資的產業紅利，產業持續高速增長。NfIEETC-電子工程專輯

中國晶片設計現狀

2018年中國晶片設計產業規模為 2519億元，同比增長 21%， 5年複合增速 24%， 遠超全球整體複合增速 6.6%。國內龐大的市場需求，但是中國晶片企業規模較 小，每年晶片我國進口金額仍然在快速增長，國產晶片設計企業具備十分巨大 的國產替代市場。除了海思半導體之外，我國 IC 設計產業企業發展呈現井噴式 增長的勢頭。截至 2016 年底，我國共有 IC 設計企業 1362 家，2015 年僅有 736 家，同比增長率高達 85%。我國至今已有 11 家企業躋身全球 IC 設計企業 前 50 強。NfIEETC-電子工程專輯

國內晶片設計的問題

中國晶片設計產業目前主要的問題主要包括：企業規模小，核心市場和客戶供應體 系進入難度較大，技術能力仍與國外企業具有較大差距。NfIEETC-電子工程專輯

晶片軟體原創的設計工具缺乏。EDA（Electronics Design Automation）軟體被譽 為集成電路的「搖籃」、命門，是晶片設計最重要的軟體設計工具。利用EDA 工具， 工程師將晶片的電路設計、性能分析、設計出 IC 版圖的整個過程交由計算機處理 完成。但就是這一如此重要的產業，不管是國內還是全球的市場份額主要都由三大 巨頭 Synopsys（新思科技）、Cadence（楷登電子）和 Mentor（明導）壟斷。三 大EDA 企業佔據全球 60%以上的市場，各家在部分領域又掌握絕對優勢。而在中 國市場，國產 EDA 只佔一成份額，國內 EDA 廠商的生存空間十分受限。市場調 研機構 Euromonitor 數據顯示，2018 年 Synopsys、Cadence 和 Mentor 全球的市 場份額分別為 32%、22%和 10%。NfIEETC-電子工程專輯

國內 EDA 設計軟體廠商主要有華大九天、杭州廣立微、蘇州芯禾、濟南槪倫、天 津藍海微等企業。與國際巨頭能提供整套 EDA 工具不同，國內 EDA 企業產品不 全，只在局部形成一定突破。作為國內最大的EDA 公司，華大九天也只能提供1/3左右的 EDA 工具。2018 年國內 EDA 銷售額約 5 億美元（約合人民幣 33 億元）。 其中，國產 EDA 工具銷售額 3.4 億元，只佔了國內市場的 10%。而 Synopsys、 Cadence 去年的年銷售額分別達 30 億美元和 21 億美元，差距甚大。NfIEETC-電子工程專輯

EDA 設計軟體具備壁壘高，投入期長，生態圈缺失，產業鏈支持薄弱，人才缺失 等問題，一個 EDA 工具從技術開發到能夠被市場接受基本上需要五六年的時間。 EDA 是晶片設計和製造的紐帶和橋梁，需要製造和設計的支持，只有不斷應用和 迭代，產品才能不斷進步。發展 EDA 產業最關鍵的還是要靠人，不管是基礎人才 還是高端人才，都是國內目前匱乏的。國內EDA設計公司平均每年工資上漲10%， 但是和國外同行比仍差 20%~30%，而與部分網際網路企業差 50%。企業還在生死 線上掙扎時，根本無暇顧及人才培養。 解決 EDA 的國產化問題，除了政府加大支持，要做好持續大投入的準備，並出臺 一些人才激勵的政策，從國外吸引優秀的人才回來。NfIEETC-電子工程專輯

模擬晶片設計能力較低。相較數字集成電路設計，模擬集成電路設計與半導體 器件的物理材料性質有著更大的關聯。模擬晶片的設計除了電路設計之外，更 多需要對材料物理性質的理解。不同模擬器件的設計需要設計電氣、材料參數、 材料加工等多方面的能力，同時不同應用場景所用的晶片要求不同，使得模擬 晶片設計需要多種類跨學科的知識。我國模擬晶片產業發展交往，導致模擬芯 片設計能力不足。NfIEETC-電子工程專輯

我們認為要想解決這些問題，可以參考海思半導體的成功發展路徑：

1、大客戶支持：海思半導體能夠成功最核心的競爭力在於華為母公司的訂單支 持。華為技術 2018 年半導體晶片總採購額高達 211 億美元，這給海思半導體 提供了巨大的優先市場，可以說沒有母公司華為的大力支持就沒有海思半導體 今天的成功。華為能夠如此大規模的採購，一方面是對子公司的全力支持，同 時也是基於其強大的經營實力。NfIEETC-電子工程專輯

2、高強度研發投入：華為是一家業務多元化同時營收規模快速增長的企業，同 時還一直保持著高強度的研發投入，2018 年華為營業收入 7200 億元，研發投 入 1015 億元，近十年研發投入超過 4850 億元，超過中國 BAT 等網際網路公司 研發投入總和。對於半導體行業，持續高強度的研發投入是企業發展的必須。 如果對比海外半導體龍頭的研發投入，華為是唯一能夠跟上國外龍頭企業的中 國企業，這也是國內大部分半導體企業一直在成長但是卻與國外企業差距越來 越大的核心原因。NfIEETC-電子工程專輯

3、充分利用 FAB 產業紅利：不同於美國，歐洲，日本和韓國這些半導體行業 先進的國家，中國，包括臺灣地區的半導體產業模式有著著根本的不同。歐洲， 日本和韓國都是以 IDM 企業為主，Fabless 產業比例基本為零；只有美國是 IDM 模式和 Fabless 模式均衡發展，並且都佔據全球較高的份額；而中國和臺灣則 正好相反，Fabless 佔據份額很高，而 IDM 佔比明顯偏低。我們認為這主要源 於中國和臺灣的半導體發展時點最晚，並且主要得益於全球 Fabless 模式向臺 灣和大陸轉移的產業趨勢，這就導致中國已經錯失了早期 IDM 模式發展的黃金 階段，只能從相對容易的 Fabless 開始介入半導體行業。因此，我們認為至少 在未來相當長一段時間內，中國半導體產業仍然更適合 Fabless 模式發展，而 IDM 模式需要國內相關上遊設備，材料以及晶圓代工廠的逐步摸索合作，這會 是一個相對漫長的過程。NfIEETC-電子工程專輯

4、布局國內優勢下遊產業：過去 40 年改革開放發展中，國內企業在家電、電 腦、安防監控、伺服器、路由器、無線通信設備以及智慧型手機等產品的製造能 力全球首屈一指。下遊系統產品端的巨大需求將成為未來國內電子產業自主可控、創新升級的核心優勢。未來在產業鏈國產化配套需求趨勢下，國內終端產 品使用國產晶片，在應用端提供試錯改進提升的機會，同時通過上遊國產配套 降低採購成本促進下遊整機產品形成核心競爭力，這將是是國內晶片產業的有 效突破機會。NfIEETC-電子工程專輯

集成電路製造環節現狀、問題及應對措施

集成電路(IC，integrated circuit)製造是將設計成型的集成電路圖實現的過程，在 矽片等襯底材料基礎上，通過高尖端設備，經過氧化、光刻、擴散、外延、測試等 半導體製造工藝，把構成具有一定功能的電路所需的半導體、電阻、電容等元件及 它們之間的連接導線全部集成在一小塊矽片上，製備出具備特定功能的集成電路， 又稱晶片。NfIEETC-電子工程專輯

集成電路，按其功能、結構的不同，可以分為模擬集成電路、數字集成電路和數/ 模混合集成電路三大類。模擬集成電路用來產生、放大和處理各種幅度隨時間變化 的模擬信號（例如半導體收音機的音頻信號、錄放機的磁帶信號等），其輸入信號 和輸出信號成比例關係。數字集成電路則是用來產生、放大和處理各種數位訊號（例 如 5G 手機、數位相機、電腦 CPU、數位電視的邏輯控制和重放的音頻信號和視頻 信號）。NfIEETC-電子工程專輯

集成電路製造環節現狀

隨著半導體產業的發展，投資規模越來越大，產業分工越來越明確。產業龍頭公司 逐步從早期的垂直整合生產(IDM，integrated device manufacturer)轉向專業化分 工，出現專業化的晶片設計公司(Fabless)，專業的晶片製造公司(Foundry)以及專業 的封裝測試公司。我們從技術能力、規模等角度分析目前全球晶片製造領域的格局。NfIEETC-電子工程專輯

全球 IC 製造領域格局。目前全球 IC 代工製造領頭企業為中國臺灣的臺積電，2018 年收入為 303.89 億美元，佔全球前十大 IC 製造規模收入比例超過 50%。中國大陸 企業在前十位的分別有中芯國際和華虹半導體，2018 年收入分別為 33.78 億美元和 9.45 億美元，佔全球前十大 IC 製造規模收入比例分別為 5.64%和 1.58%。NfIEETC-電子工程專輯

技術水平格局。集成電路的技術水平核心指標是特徵尺寸，特徵尺寸是指半導體器 件中的最小尺寸。特徵尺寸越小，晶片的集成度越高，性能越好，功耗越低，公司 的製造水平越高。從競爭格局現狀來看，目前國內 IC 製造能力與國際先進比較， 製造能力落後 5-6 年，製程能力相差 2 代到 2.5 代。NfIEETC-電子工程專輯

隨著進入 7nm 以及更高製程周期，領頭企業與追趕企業的差距在逐步擴大。例如， 隨著工藝難度的提升，開發難度不斷增大，投入資金要求越來越大，格羅方德以及聯電短期內已經放棄往 7nm 製程的升級。NfIEETC-電子工程專輯

提升晶片製造能力的應對措施

隨著下遊終端產品例如智慧型手機要求的性能越來越高，高端晶片如華為海思麒麟 990 晶片、蘋果 A12 系列晶片、高通驍龍855 系列晶片等都採用7nm 製程，兩家 具備高端製程能力的公司如三星、英特爾等公司由於自身產業鏈因素，高端製程主 要用於自身產品生產。目前大部分高端晶片特別是 7nm 製程及以上的晶片製造， 目前大部分市場主要由臺積電佔據。NfIEETC-電子工程專輯

國內兩家晶片製造公司中芯國際、華虹半導體都已經進入 14nm 製程的風險量產階 段，但其核心量產製程僅在28nm，意味著能夠生產市場上60%的晶片。國內企業 與國際先進水平企業仍然存在較大差距，並且未來在進入更高階製程過程中面臨的 壓力越來越大。NfIEETC-電子工程專輯

應對措施方面，我們建議國內企業在積極做好14nm 量產準備的同時，在設備、制 造工藝、人才等方面及早做好儲備，加大國際頂尖人才的引進。目前國家半導體產 業政策環境相對較好，先進位程方面國際領先企業已經成熟量產，說明設備、材料 等產業鏈配套環節已經成熟。國內企業需要追趕的核心要素是培養人才，引進人才， 例如中芯國際在2017年10月份引進臺積電及三星前技術核心梁孟松後只用了一年 半左右時間，就在 2018 年上半年就實現 14nmFinFET 工藝正式的量產，目前的良品 率達到 95%以上，所以引進國際頂尖人才實現產業升級是核心環節。NfIEETC-電子工程專輯

半導體封測行業現狀、問題及應對措施

半導體封測目前屬於國內半導體產業鏈中有望率先實現全面國產替代的領域，並且 當前全球封測市場份額的重心繼續向國內轉移。根據中國半導體行業協會統計， 2018 年中國集成電路產業封測業銷售額達333 億美元，而全球封測行業2018 年 約560 億美元，中國封測行業佔全球市場份額約達 59%。NfIEETC-電子工程專輯

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從封測行業企業競爭格局看，雖然全球目前排名前 2 的公司為日月光和安靠，但中 國企業在國際上已擁有較強競爭力。2018 年長電科技、華天科技、通富微電三家 企業在全球市場市佔率達 17%，且在封裝技術能力較為全面，掌握了全球較為領 先的先進封裝技術，未來有望進一步搶佔更多市場份額。NfIEETC-電子工程專輯

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從技術發展趨勢，目前國際先進封裝技術發展趨勢主要有 FC BGA(倒裝晶片球柵 格陣列的封裝格式)、WLCSP(晶圓級封裝)、FO-WLP(晶圓級扇出封裝)、Sip(系統 級封裝)等技術。這些先進封裝技術主要應用在手機、可穿戴設備等小型化高附加 值電子設備中。NfIEETC-電子工程專輯

目前中國龍頭企業如長電科技、華天科技已擁有此類先進封裝技術，其技術水平雖有所落後國際龍頭企業，但差距較小，預計未來 5~8 年，有望實現全面趕超。NfIEETC-電子工程專輯

建議國內企業加強精細化運營，優化內部管理流程，積極提升服務能力，在服務全 球頂級客戶方面做好全面準備。在此基礎上，力爭國內封裝測試產業鏈，達到全球 一流水平。NfIEETC-電子工程專輯

責編：Yvonne GengNfIEETC-電子工程專輯