上期我們介紹了NMOS當作為放大器時的等效電路是什麼？包括大信號模型和小信號模型，模型中當V_DS>V_GS-V_TH時，我們把NMOS當成一個理想的壓控電流源，實際上由於溝道長度的變化會隨著V_DS略微改變，如果考慮這個因素就需要溝道長度修正模型
本期內容
溝道長度修正原理回顧溝道長度修正電路模型——————————————————————————————————
1、溝道長度修正原理回顧
在MOSFET理解與應用：Lec 4—MOS管工作在哪個區，看這個你就懂了中我們講過，當V_DS>V_GS-V_TH時，溝道中出現夾斷效應，溝道的長度對略微減小。很多場景我們可以忽略這個長度的變化，但是當精度要求比較高的時候，我們就需要把溝道長度的變化考慮進來。看下面式子
因為溝道的有效長度L會隨著V_DS的增大而略微減小，所以I_D會隨著V_DS的增大而略微增大。我們可以用下面式子來表示I_D
這裡如果不考慮溝道長度變化，V_A為無窮大，考慮溝道長度變化時，V_A為有限值。I_D隨V_DS的變化的伏安特性曲線為：
Fig. 12、溝道長度修正電路模型
其中，r_0為GS兩端的等效電阻，等於V_A除以流過MOS管溝道的總電流，從表達式可以看成通過MOS管的電流越大，等效的電阻就越小，對MOS管的影響就越大（理想壓控電流源r_0為無窮大）。更新我們的大信號模型和小信號模型為：
Fig. 2
Fig. 3舉例：
總結，通過大信號模型工作狀態V_GS，V_DS計算出來，判斷MOS管是否工作在飽和區，然後將g_m和r_0計算出來帶入到小信號模型中，計算放大倍數，輸入輸出阻抗等參數。到此為止，MOS管的放大電路模型將介紹完了，從下期開始詳細介紹具體的放大電路。
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往期連接：
MOSFET理解與應用：Lec 6—放大器電路模型I
MOSFET理解與應用：Lec 7—放大器電路模型II