12nm工藝 紫光國芯發布GDDR6控制器晶片:速率可達16Gbps

不經意間，中國的晶片公司又闖入了一個新領域，日前西安紫光國芯宣布推出12nm工藝的GDDR6存儲控制器和物理接口IP（GDDR6 MC/PHY IP）。

紫光國芯之前做過DDR內存晶片，還有就是NAND快閃記憶體，推出顯存相關的IP晶片還是第一次，而且水準不低，製程工藝使用的是GF格芯的12nm LP低功耗工藝，做的也是GDDR6存儲控制器和物理接口IP（GDDR6 MC/PHY IP），大家可以理解為GDDR6顯存的主控晶片。

根據紫光國芯介紹，這個GDDR6 MC/PHY IP包括一個可配置的內存控制器（MC），其完全符合DFI3.1和AMBA AXI4.0標準，並允許設計工程師生成具有優化延遲和帶寬的GDDR6控制器以滿足高性能應用的要求，如顯卡，遊戲機和AI計算等。

該IP針對功耗和性能進行了優化設計，西安紫光國芯的GDDR6物理接口（PHY）提供了高達12Gbps/13Gbps/14Gbps/16Gbps的數據速率，同時兼容JEDEC250和DFI3.1標準。

物理接口（PHY）部分還嵌入了高性能鎖相環以滿足嚴格的時序規範。

與主流GDDR6存儲顆粒集成，經過流片測試驗證，該IP的性能在12Gbps/14Gbps/16Gbps數據率時滿足設計規格要求。且當數據率為16Gbps時，平均每個DQ的最大功耗小於4mW/Gbps。

目前，紫光國芯的GDDR6 MC/PHY IP已經在格芯的12LP工藝平臺上架。