【原創】堅持創新驅動!國星光電布局第三代半導體與微顯示
摘要10月16日下午,主題為「第三代半導體與微顯示的2020第一屆國星之光論壇在國星光電總部舉行。
10月16日下午,主題為「第三代半導體與微顯示的2020第一屆國星之光論壇在國星光電總部舉行。
除廣晟公司、國星光電領導外,中國科學院院士、南昌大學副校長、國家矽基LED工程技術研究中心主任江風益等院校、省/地方/企業研究院專家,以及廣東省科技廳和佛山市政府領導也出席了本次論壇。
論壇現場
國星光電董事長王廣軍在致辭中提及,一直以來,國星光電積極探索、開拓創新,打造LED全產業鏈有競爭力的產品布局,近五年研發投入總計超過5億元。而現階段第三代半導體與微顯示發展受到政府的高度重視,已成為未來半導體產業發展的「新寵。
國星光電舉辦本次論壇,聚焦「第三代半導體與微顯示產業的新機遇、新挑戰,一方面在全球經濟面臨大變局及疫情挑戰下,希望能為中國第三代半導體與微顯示產業提供發展的動力;另一方面為國星光電在這一領域的發展「把脈、問診,同時為LED產業未來發展提供新方向。
國星光電黨委書記、董事長王廣軍致辭
確實,為解決「卡脖子問題,半導體及集成電路產業發展被寄予厚望,而作為全國製造業重要基地,廣東省政府更是作出了一系列部署,目標在2025年將珠三角地區建設成為具有國際影響力的半導體及集成電路產業集聚區。
成立於1969年的國星光電,紮根佛山市已超五十年,並已成長為全國乃至全球LED封裝行業龍頭企業。2019年國星光電實現營收為40.69億元,在白光器件、顯示器件等領域市場規模均位居行業前列。
論壇上,佛山市副市長趙海、廣東省科學技術廳二級巡視員何棣華對國星光電的努力與貢獻給予了高度的評價。趙海還表示,目前佛山市已進入推動產業轉型升級的攻堅階段,希望國星光電把握第三代半導體與微顯示的發展機遇。
高工新型顯示了解到,國星光電已較早開展Micro LED集成與應用、第三代半導體封裝與應用等領域布局,並於今年6月發布了第一代Micro LED產品nStarⅠ2.7英寸顯示模組。
同時在上半年,由國星光電牽頭的「廣東省半導體微顯示企業重點實驗室(以下簡稱「實驗室)獲批,主要用於攻克Micro LED的行業共性技術難題。論壇同日,實驗室和由國星光電研發中心升級而成的國星光電研究院舉行了揭牌儀式,並向11位專家學者頒發實驗室學術委員會成員聘書。
廣東省半導體微顯示企業重點實驗室第一次學術委員會成員及名單
論壇上學術委員會成員中,國家半導體照明工程研發及產業聯盟秘書長阮軍、中山大學教授/廣東省第三代半導體GaN材料與器件工程技術研究中心主任劉揚、國星光電RGB事業部副總經理秦快、江風益院士先後做了專題分享。
阮軍介紹到,第三代半導體以氮化鎵、碳化矽等寬禁帶化合物半導體為代表,具備高光效、高功率、高電壓、高頻率、高工作溫度等特性,可支撐戰略性新興產業發展。他表示,「第三代半導體將是中國半導體產業崛起的突破口。
劉揚則從產業化角度出發,稱氮化鎵和碳化矽電力電子器件的產業發展才剛剛開始,需要產學研整個產業鏈條的共同努力。
秦快對LED顯示發展及LED顯示封裝技術演進進行了介紹。針對現有的SMD、IMD、COB三大Mini LED顯示封裝技術路線,秦快指出,技術各有所長,關鍵是要服務企業,講究時間成本、機遇成本等,「價格不能讓客戶接受,產品價值就會大大下降。
秦快表示,國星光電目前已擁有多技術路線方案的儲備,但是商業化會比較慎重。目前重點推廣的具備產業化優勢的IMD方案,出貨量已位居行業前列。
江風益院士主要分享了矽基氮化鎵在Micro LED上的應用。他指出,Micro LED有兩大瓶頸,一是巨量轉移,二是紅光。大尺寸紅光已經成熟,但是進入Micro LED後,效率會大幅下降,而第二代半導體材料磷化鎵質地很脆,產品合格率很難提升。江風益表示,氮化鎵亮度高、效率高且方向性好,做紅光可以解決Micro LED遇到的困難。
此外,江風益院士建議,Micro LED產業發展要逐步推進,不能「一步到位。
論壇最後,在國星光電副總裁李程主持下,江風益院士、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟理事長吳玲、廣東省科學院半導體產業技術研究院院長陳志濤、TCL科技集團副總裁/工業研究院院長閆曉林,以及國星光電總裁王森圍繞第三代半導體、Micro LED進行了一場圓桌對話。
圓桌會議
吳玲認為,第三代半導體與微顯示的前景是毋庸置疑的,但是挑戰也很大,其中最大問題在於材料,需要全產業鏈緊密合作。江風益也認為,進入Micro LED以後,傳統上中下遊明顯區分的概念會變得模糊,需要產業鏈企業深度融合。
王森則表達了對LED產業發展的信心,並表示國星光電一方面會做好自身的工作,另一方面也會實時跟蹤可能的機會點,以支持公司下一步的發展。