多晶矽鑄錠通常分為加熱、熔料、高溫穩定、結晶、退火、冷卻等六個階段。本文介紹加熱和熔料兩個過程。
（一）加熱準備
裝好料後，再對爐內進行一遍檢查，即可開爐。一般來說，要先對爐子進行抽真空。真空泵逐級打開後，開始通電加溫。抽真空的過程雖然很簡單，通常是先打開初級泵（機械、旋片或滑閥泵），從大氣抽到2000 Pa以下後，然後再打開羅茨泵，抽真空到10 Pa左右；對於經過清洗的潔淨塊料，抽真空的順序只要按照上述步驟進行即可。大約在真空度小於1000 Pa時，就可以打開加熱電源。
在矽料加熱時，可以根據經驗採用恆定功率加熱，考慮到矽料的熱傳導性不佳，而RDS3.0 爐型採用的是四周加熱方式，熔化時，是從四周開始熔化，這時，由於測溫點在坩堝中部，因此，四周可能已經熔化併到了很高的溫度，但中間的溫度並不高，因此，如果採用溫度設定的控制方式，可能功率會加得很大。功率大，容易導致坩堝四壁的溫度上升，而坩堝由於是採用石英材質的，一旦溫度超過1600 ℃以上，將很容易與矽發生反應，造成坩堝侵蝕；如果溫度再上升到1700 ℃，則坩堝會與矽發生劇烈反應，導致矽液飛濺，坩堝熔穿。嚴重時，矽液甚至會濺到爐頂，導致石墨件和保溫層損壞。因此，通常熔化階段應當採用功率控制的方式，根據理論計算和經驗值，使加熱功率按照一定的設定值進行，這樣可以保證坩堝溫度不會過高。
對於RDS4.0型的爐體，由於採用底部和頂部加熱方式，情形會好一些，但如果功率過大，也同樣會在坩堝底部發生溫度過高的情形，只不過，由於頂部和底部都有紅外測溫，因此，溫度不會過高。但如果紅外堵塞或者失控，那麼，溫度過高的危險性也是同樣存在的。
無論是哪種爐型，加熱體都在外面，因此，矽料內部和外部的溫差是始終存在的，這就是為什麼在升溫一段時間，要進行一下保溫，目的是讓外部的熱傳到裡面去，避免內外溫差過大，導致熔化時容易出現意外。這就是為什麼在熔矽的過程中，加熱曲線上會有保溫的過程。
（二）矽料熔化
矽料在熔化時，由於需要吸收大量的熱量，因此，在熔點附近，溫度上升會很慢。要注意，通常，矽的熔點是1414℃，但在熔化時，矽的溫度通常要高出1420 ℃，才有可能使矽順利熔化。否則，矽料可能發生熔化後，由於周圍的矽還是固體，又開始凝固的現象，這就是為什麼有時溫度會出現上下反覆的情況；因為，矽料在熔化時，有時局部在熔化後，溫度會超出熔點很多，但周圍可能還有沒有熔化的矽塊；當熔化的矽液流到矽塊下面後，矽塊又露出來，導致紅外測溫儀顯示的溫度又低於熔點。
這樣的現象往往持續幾個小時，持續的時間與加熱器功率有關。有時，當絕大部分矽料熔化時，還有一些較大的矽塊未熔化，一旦這些矽塊漂到測溫儀的視場中，則會發生紅外測溫儀顯示的溫度突然下降的現象，嚴重時甚至會使紅外顯示溫度低於矽液溫度50 ℃以上。此時，不要誤解為矽液又凝固了，可能只是暫時的現象而已。
解決熔化不完全的方法就是一直加大功率到矽液完全熔化為止。通常，將矽液升溫到1490 ℃，然後保持一段時間，待從紅外測溫儀看到矽液表面變得清澈以後，再開始降溫。待矽液全部熔化後，即進入真空熔煉的過程了。