我國碳基半導體技術取得關鍵性突破最新概念股梳理

2020-11-23 雲財經

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我國碳基半導體技術取得關鍵性突破,最新概念股梳理。

5月26日,北京元芯碳基集成電路研究院宣布,由該院中國科學院院士北京大學教授彭練矛和張志勇教授帶領的團隊,經過多年研究與實踐,解決了長期困擾碳基半導體材料製備的瓶頸,如材料的純度、密度與面積問題。

因碳基材質特點,在一些高輻射、高溫度的極端環境裡,採用碳基技術製造出的機器人將更好的代替人類執行危險係數更高的任務。

我國「十三五」材料科技創新專項規劃指出重點發展領域,石墨烯碳材料技術方面,關注單層薄層石墨烯粉體、柔性電子器件大面積製備技術,石墨烯粉體高效分散與高催化活性納米碳基材料與應用技術。

德爾未來(002631)控股子公司廈門烯成已覆蓋石墨烯產業鏈上下遊,與諾貝爾獎獲得者組建合資公司,拓展石墨烯智能穿戴領域。

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  • 石墨烯概念發力走高 我國碳基半導體材料製備獲重大突破
    採用矽以外的材料做集成電路,包括鍺、砷化鉀、石墨烯和碳,一直是國外半導體前沿的技術。碳基半導體具有成本更低、功耗更小、效率更高的優勢,更適合在不同領域的應用而成為更好的半導體材料選項。碳基技術也是西方發達國家一直研發預備替代矽基的新技術。與國外矽基技術製造出來的晶片相比,我國碳基技術製造出來的晶片在處理大數據時不僅速度更快,而且至少節約30%的功耗。
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  • 新一代碳基晶片概念股有哪些?新一代碳基晶片概念股一覽
    新一代碳基晶片概念股有哪些?新一代碳基晶片概念股一覽。在晶片半導體領域,相比美國而言,我們一直處於弱勢的地位,所以最近華為晶片斷供事件給了我們一個警示,想要晶片不受制於人就要大力發展,好消息目前我國的相關公司都在加大研究投入,以下是新一代碳基晶片概念股一覽。
  • 碳基半導體概念股發展迅速 有哪些值得我們關注?
    隨著碳基半導體的相關技術發展,未來我國可能製造晶片可能就不需要光刻機等設備了,再也不用被美國等發達國家進行技術封鎖,所以投資者也認為這個行業大有可為。德國納公司在動力電池關鍵正極材料方面取得重大突破,自主智慧財產權的磷酸鐵鋰納米正極材料的中試生產已提供給國內鋰電池廠家試用。德方納米公司發明並建立了一套新的液相合成技術和納米磷酸鐵鋰正極材料生產工藝路線。該產品生產的動力電池已通過「國家863計劃電動車動力電池實驗室」的檢測。
  • 晶片領域半導體材料獲大突破,概念股全梳理,龍頭已出爐...
    本次彭練矛團隊在《科學》雜誌發表的成果,標誌著碳管電子學領域、以及碳基半導體工業化的共同難題被攻克。這將極大地提升了我國在世界半導體行業的話語權。「我們的碳基半導體研究是代表世界領先水平的。」彭練矛院士表示。
  • 碳基半導體取得重大突破!我國晶片產業能否打破國外技術封鎖?
    從航空航天到金融保險從衛生醫療到家用家電,晶片幾乎在每個行業都有所應用,可是由於我國晶片技術起步較晚,和國外的技術封鎖,導致我國所使用的晶片大多依賴進口,而當今世界絕大多數晶片都是採用矽基材料的集成電路,像矽以外材料做成的集成電路包括鍺,砷化鉀,石墨烯和碳,一直都是半導體領域的前沿科技
  • 碳基晶片概念股有哪些?相關概念股一覽
    據報導,北京元芯碳基集成電路研究院昨日舉辦媒體發布會,該院表示,經過多年研究與實踐,解決了長期困擾碳基半導體材料製備的瓶頸,在碳基半導體材料製備獲重大突破,早盤多隻概念股漲停。
  • 碳基晶片獲突破,性能提升千倍,我國碳基晶片能否實現借道超車?
    我國正是因為沒有光刻機才在晶片領域受到美國影響比較大。如果我國要想在半導體領域取得突破性進展,就必須攻克光刻機,但這難度非常大,短時間內幾乎是不可能完成的。同時,我國在傳統半導體領域落後的情況下,但在碳基晶片上,我國已取得了重大突破,具備國際領先水平,這也是我國晶片發展的重要方向,也將藉助碳基晶片超車。最重要的是,我國發現碳基晶片可藉助華為光電技術,為製造碳基晶片已具備成熟條件。
  • 北大突破碳基晶片量產關鍵技術!我國晶片可望「換道超車」
    戍天九思原創第329期 2020年5月22日,《科學》雜誌發表了一篇題為《用於高性能電子學的高密度半導體碳納米管平行陣列》的論文,介紹了北京大學電子學系彭練矛院士和張志勇教授團隊最新研發的多次提純和維度限制自組裝方法。
  • 碳基半導體,更好的半導體材料
    採用矽以外的材料做集成電路,包括鍺、砷化鉀、石墨烯和碳,一直是國外半導體前沿的技術。優勢相對於矽基,碳基半導體具有成本更低、功耗更小、效率更高的優勢,更適合在不同領域的應用而成為更好的半導體材料選項。世界最初的碳基集成電路乃IBM開發的在單一碳納米管分子上構建的完整電子集成電路。而據說我國的碳基半導體起步方面和國外幾乎同步。
  • 我國碳基晶片獲最大突破,性能比矽基大幅提升!也是未來發展方向
    同時,我國在傳統半導體領域落後的情況下,但在碳基晶片上,我國已取得了重大突破,具備國際領先水平,這也是我國晶片發展的重要方向,也將藉助碳基晶片超車。最重要的是,我國發現碳基晶片可藉助華為光電技術,為製造碳基晶片已具備成熟條件。
  • 我國碳基晶片獲最大突破,性能比矽基大幅提升!也是未來發展方向
    我國正式因為沒有光刻機才在晶片領域受到美國影響比較大。如果我國要想在半導體領域取得突破性進展,就必須攻克光刻機,但這難度非常大,短時間內幾乎是不可能完成的。同時,晶片最先進的工藝製程是5nm,也將到達摩爾定律的上限,如果要想繼續提升工藝,在2nm、1nm時,摩爾定律將徹底失效,無法做到更小。碳基晶片和目前的矽基晶片相比,存在什麼優勢呢?
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