半導體元器件的製造除了人們熟知的「設計→製造→封裝→測試」四大環節以外，中間的整體環節其實很複雜，可分為前段製程和後段製程。
半導體元器件的製備首先要有最基本的材料——矽晶圓，通過在矽晶圓上製作電路與電子元件（如電晶體、電容體、邏輯閘等），為上述各製程中所需技術最複雜且資金投入最多的過程。由於晶片是高精度的產品，因此對製造環境有很高的要求，其所需製造環境為為一溫度、溼度與含塵均需控制的無塵室。此外，一枚晶片所需處理步驟可達數百道，而且使用的加工機臺先進且昂貴，動輒數千萬一臺，雖然詳細的處理程序是隨著產品種類與所使用的技術有關；不過其基本處理步驟通常是晶圓先經過適當的清洗之後，接著進行氧化及沈積，最後進行微影、蝕刻及離子植入等反覆步驟，以完成晶圓上電路的加工與製作。
下面是主要的製程：
一、矽晶圓材料
晶圓是製作矽半導體IC所用之矽晶片，狀似圓形，故稱晶圓。材料是矽，晶片廠家用的矽晶片即為矽晶體，因為整片的矽晶片是單一完整的晶體，故又稱為單晶體。但在整體固態晶體內，眾多小晶體的方向不相，則為復晶體（或多晶體）。生成單晶體或多晶體與晶體生長時的溫度，速率與雜質都有關係。
二、光學顯影
光學顯影是在光阻上經過曝光和顯影的程序，把光罩上的圖形轉換到光阻 下面的薄膜層或矽晶上。光學顯影主要包含了光阻塗布、烘烤、光罩對準、 曝光和顯影等程序。小尺寸之顯像解析度，更在 IC 製程的進步上，扮演著 最關鍵的角色。由於光學上的需要，此段製程之照明採用偏黃色的可見光。因此俗稱此區為 黃光區。
三、蝕刻技術
蝕刻技術（EtchingTechnology）是將材料使用化學反應物理撞擊作用而移除的技術。可以分為：溼蝕刻（wetetching）：溼蝕刻所使用的是化學溶液，在經過化學反應之後達到蝕刻的目的；幹蝕刻（dryetching）：幹蝕刻則是利用一種電漿蝕刻（plasmaetching）。電漿蝕刻中蝕刻的作用，可能是電漿中離子撞擊晶片表面所產生的物理作用，或者是電漿中活性自由基（Radical）與晶片表面原子間的化學反應，甚至也可能是以上兩者的複合作用。現在主要應用等離子體刻蝕技術。
四、CVD化學氣相沉積
化學氣相沉積（CVD）是指化學氣體或蒸汽在基質表面反應合成塗層或納米材料的方法，是半導體工業中應用最為廣泛的用來沉積多種材料的技術，包括大範圍的絕緣材料，大多數金屬材料和金屬合金材料。從理論上來說，它是很簡單的：兩種或兩種以上的氣態原材料導入到一個反應室內，然後他們相互之間發生化學反應，形成一種新的材料，沉積到晶片表面上。
五、物理氣相沉積（PVD）
這主要是一種物理製程而非化學製程。此技術一般使用氬等鈍氣，藉由在高真空中將氬離子加速以撞擊濺鍍靶材後，可將靶材原子一個個濺擊出來，並使被濺擊出來的材質（通常為鋁、鈦或其合金）如雪片般沉積在晶圓表面。
六、離子植入（IonImplant）
離子植入技術可將摻質以離子型態植入半導體組件的特定區域上，以獲得精確的電子特性。這些離子必須先被加速至具有足夠能量與速度，以穿透（植入）薄膜，到達預定的植入深度。離子植入製程可對植入區內的摻質濃度加以精密控制。基本上，此摻質濃度（劑量）系由離子束電流（離子束內之總離子數）與掃瞄率（晶圓通過離子束之次數）來控制，而離子植入之深度則由離子束能量之大小來決定。
七、化學機械研磨
晶圓製造中，隨著製程技術的升級、導線與柵極尺寸的縮小，光刻（Lithography）技術對晶圓表面的平坦程度（Non－uniformity）的要求越來越高，IBM公司於1985年發展CMOS產品引入，並在1990年成功應用於64MB的DRAM生產中。1995年以後，CMP技術得到了快速發展，大量應用於半導體產業。化學機械研磨亦稱為化學機械拋光，其原理是化學腐蝕作用和機械去除作用相結合的加工技術，是機械加工中唯一可以實現表面全局平坦化的技術。
八、光罩檢測
光罩是高精密度的石英平板，是用來製作晶圓上電子電路圖像，以利集成電路的製作。光罩必須是完美無缺，才能呈現完整的電路圖像，否則不完整的圖像會被複製到晶圓上。光罩檢測機臺則是結合影像掃描技術與先進的影像處理技術，捕捉圖像上的缺失。
九、清洗技術
清洗技術在晶片製造中非常重要。清洗的目的是去除金屬雜質、有機物汙染、微塵與自然氧化物；降低表面粗糙度；因此幾乎所有製程之前或後都需要清洗。份量約佔所有製程步驟的30％。
十、晶片切割
晶片切割之目的為將前製程加工完成之晶圓上一顆顆之晶粒（die）切割分離。舉例來說：以0．2微米製程技術生產，每片八寸晶圓上可製作近六百顆以上的64M微量。欲進行晶片切割，首先必須進行晶圓黏片，而後再送至晶片切割機上進行切割。切割完後之晶粒井然有序排列於膠帶上，而框架的支撐避免了膠帶的皺摺與晶粒之相互碰撞。
十一、焊線
IC構裝製程（Packaging）則是利用塑膠或陶瓷包裝晶粒與配線以成集成電路（IntegratedCircuit；簡稱IC），此製程的目的是為了製造出所生產的電路的保護層，避免電路受到機械性刮傷或是高溫破壞。最後整個集成電路的周圍會向外拉出腳架（Pin），稱之為打線，作為與外界電路板連接之用。
十二、封膠
封膠之主要目的為防止溼氣由外部侵入、以機械方式支持導線、內部產生熱量之去除及提供能夠手持之形體。其過程為將導線架置於框架上並預熱，再將框架置於壓模機上的構裝模上，再以樹脂充填並待硬化。
十三、剪切／成形
剪切之目的為將導線架上構裝完成之晶粒獨立分開，並把不需要的連接用材料及部份凸出之樹脂切除（dejunk）。成形之目的則是將外引腳壓成各種預先設計好之形狀，以便於裝置於電路版上使用。剪切與成形主要由一部衝壓機配上多套不同製程之模具，加上進料及出料機構所組成。
十四、測試和檢驗
這些測試和檢驗就是保證封裝好晶片的質量，保證其良率。