IGBT是國際上公認的電力電子技術第三次革命具代表性的產品。作為工業控制及自動化領域的核心元器件，被稱為能量轉換的CPU，屬於我國「02專項」重點扶持項目。
IGBT即Insulated Gate Bipolar（絕緣柵雙極電晶體），屬於電壓控制器件，是由BJT和MOSFET組成的複合功率半導體器件，是半導體領域裡分立器件中特別重要的一個分支。能夠根據工業裝置中的信號指令來調節電路中的電壓、電流、頻率、相位等，以實現精準調控的目的，廣泛應用於電機節能、軌道交通、智能電網、航空航天、家用電器、汽車電子、新能源發電、新能源汽車等領域。
中國是最大的功率半導體消費國，2018年市場需求規模達到138億美元（iHS數據），增速為9.5%，佔全球需求比例高達35%。iHS預計未來中國功率半導體將繼續保持較高速度增長，2021年市場規模有望達到159億美元，年化增速達4.8%。
根據中國產業信息網的數據，2018年中國IGBT市場規模為161.9億元，同比增長22.19%，增速顯著高於全球平均水平。根據Trendforce預測，國內IGBT行業規模在2025年將增至522億元，期間CAGR高達19.1%。
發展國產化IGBT晶片，打破國際技術封鎖，是保障國家基礎戰略產業發展的需要。在新能源、節能環保「十二五」規劃等一系列國家政策措施的支持下，國內IGBT 的發展亦獲得巨大的推動力，市場持續快速增長。
根據iHS的統計，中國功率半導體市場中前三大產品是電源管理IC、MOSFET、IGBT，三者市場規模佔2018年中國功率半導體市場規模比例分別為60.98%，20.21%與13.92%。
IGBT結合了BJT和MOSFET的優點，既有MOSFET的開關速度快、輸入阻抗高、控制功率小、驅動電路簡單、開關損耗小的優點，又有BJT導通電壓低、通態電流大、損耗小的優點，在高壓、大電流、高速等方面是其他功率器件不能比擬的，因而是電力電子領域較為理想的開關器件，是未來應用發展的主要方向。
從20 世紀80 年代至今，IGBT 晶片經歷了5-6 代產品升級，從平面穿通型（PT）到溝槽型電場—截止型（FS-Trench），各方面指標都得到了不斷的優化。晶片面積縮小為最初的四分之一，工藝線寬從5微米降到0.5微米，通態飽和壓降從3伏降到1伏，關斷時間也更快，從0.5微秒降到0.15微秒，功率損耗也更低，斷態電壓也從600V 提高到了6500V 以上。
根據中國產業信息網的數據，全球前五大IGBT廠商的市場份額合計達74%，同時，從400V及以下的常規IGBT市場到4500V以上的高端IGBT市場，海外廠商的IGBT產品的市場優勢地位均十分明顯。
從低、中、高壓IGBT市場來看，大部分的廠商都提供600-1300V中壓範圍內的IGBT分立和模塊解決方案，只有少數廠商專門從事低壓分立IGBT市場，目前，全球IGBT市場主要由英飛凌、三菱電機、富士電機、安森美和ABB等海外廠商佔據，他們的產品覆蓋整個低中高壓市場，是市場的主流玩家。
各個廠商擁有在不同產品線擁有自身的優勢。儘管英飛凌等廠商研發和生產的IGBT產品範圍非常齊全，但是並非他們在所有市場都有主導地位。例如在600V-1700V的市場英飛凌是市場第一大供應商，但是在2500-300V以及4500V以上的市場上三菱則處於優勢地位。
目前國內功率半導體企業僅在二極體、晶閘管領域開始廣泛替代，而在MOSFET、IGBT與國外企業存在較大差距。
在國內IGBT市場，海外廠商同樣佔據50%以上的市場份額，國產替代的空間十分廣闊。根據IHS 數據，國內MOSFET器件僅英飛凌、安森美兩家企業就佔據45.3%的市場份額，前五廠商中僅有華潤微一家中國公司（若不計入安世半導體份額）；IGBT方面，全球前十大IGBT模塊供應商佔據77.7%的份額，當中僅有斯達半導一家國內企業進入排名，佔據2%的市場份額。根據ASMC披露，我國90%以上IGBT產品需要進口。
從我國IGBT企業目前的競爭局面來看，製造和封測模組環節競爭力較強，以上海先進半導體（積塔半導體）、華虹半導體、華潤微電子為主導的晶圓代工製造企業已經具備了8-12寸IGBT晶片生產的技術，並積極推進國產製造端的升級。但是在晶片設計端相對薄弱，只有中車時代電氣、比亞迪、斯達半導、士蘭微等少數幾家公司具備競爭力。
IGBT產業鏈可以分為四部分，晶片設計、晶片製造、模塊設計及製造封測，其中晶片設計和模塊設計以及工藝設計都有非常高的技術壁壘，需要非常專業化的研發團隊和長時間的技術積累。
近幾年中國IGBT產業在國家政策推動和市場牽引下得到迅速發展，產業鏈逐步完善。與集成電路，功率半導體也同樣存在IDM和fabless兩種經營模式，目前，我國採取兩種經營模式的廠商都有。IDM的企業有中車時代電氣、比亞迪微電子、士蘭微、華微電子、華潤微、臺基股份、揚傑科技、斯達半導等。設計公司有中科君芯、達新半導體、紫光微電子、無錫新潔能、芯派科技，製造公司有華虹宏力、上海先進、中芯國際、方正微電子、華潤上華，模組公司有芯能半導體、西安永電、宏微科技、威海新佳、銀茂微電子等。
IGBT在新能源汽車領域中發揮著至關重要的作用，是新能源汽車電機控制器、車載空調、充電樁等設備的核心元器件。
新能源汽車工作時電流範圍在-100A到+150A之間，如此巨大的電流需要被電控單元精準控制，以實現汽車的制動，而當中最核心的零部件就是IGBT。在電動汽車中，電機驅動系統佔整車成本的15-20%，而IGBT又在電機驅動系統中佔比50%左右，即IGBT佔整車成本的7-10%，是除電池外最貴的零部件之一。
新能源汽車中的功率半導體價值量提升十分顯著，根據英飛凌的數據，新能源中汽車功率半導體器件的價值量約為傳統燃油車的5倍以上。其中，IGBT約佔新能源汽車電控系統成本的37%，是電控系統中最核心的電子器件之一，因此，未來新能源汽車市場的快速增長，有望帶動以IGBT為代表的功率半導體器件的價值量顯著提升，從而有力推動IGBT市場的發展。
根據中汽協數據，2019年我國新能源汽車滲透率為4.7%，仍處於非常低的狀態,如果2025年達到滲透率25%的目標，未來幾年年複合增長率達到30%，成長空間廣闊。
從國產替代的進程來看，中車時代電氣在高鐵IGBT等重點領域具備了紮實的實力，其他公司的產品主要是從工控、光伏和風電等領域先行替代，在新能源汽車等高端領域的替代進程相對較慢。
在傳統工業控制及電源行業支撐下，隨著變頻器進入新能源領域的拉動，電焊機市場的持續升溫，IGBT 下遊的新能源汽車、變頻家電、新能源發電等領域發展迅速，未來IGBT 市場將繼續保持穩定增長勢頭。在產業政策和市場需求的驅動下，IGBT國產化進程加速啟動。