MIT用「銀-矽-銅合金」模擬突觸,造出記憶力超強的晶片

2020-07-25 量子位

伊瓢 發自 凹非寺
量子位 報導 | 公眾號 QbitAI

MIT又在AI晶片領域做出了新的突破。

他們用銀矽銅合金造出了憶阻器,來模擬人腦中的突觸。

用這種技術造出來的晶片,每個晶片只有紙屑那麼大,而每平方毫米卻有數萬個憶阻器,能夠「記憶」圖像的高清細節。

真是邊緣計算的福音。研發團隊還說,這項技術最終能讓手機等便攜設備擁有超算一樣的性能,甚至不怎麼費電、不需要聯網。

真可謂超算一指尖,滿滿想像力。

這項研究發在了《自然-納米技術》上。

MIT用「銀-矽-銅合金」模擬突觸,造出記憶力超強的晶片

憶阻器:扮演突觸的電晶體

這項新技術的關鍵,在於憶阻器。

憶阻器是一種特別的電晶體,研究人員用它來模擬人神經系統中的突觸,也就是兩個神經元之間連接的部分,負責把一個神經元的信號傳導到下一個神經元中去。

傳統的電晶體只能在0和1之間變換,但憶阻器可並不只有這兩種狀態,它提供的值是梯度變化的,因此,收到的信號越強,憶阻器的值也就越大。

這種設定看起來十分美好,單個電晶體的值不再是僅有二元的狀態,能夠梯度變化,也就是一個頂過去N個,效率大大提升。

然而,已有的憶阻器並不是一種特別成熟的技術。

憶阻器本身有正極和負極,中間有介質。如果一極接電,那麼就會有離子穿越介質,跑到另一極去。

已有的憶阻器裡,如果電壓比較大,導電通道也比較大,那麼上述離子穿越的過程效果是比較好的。

但是如果電流不夠大,導電通道也不夠大,那效果就不夠好了。

因此,為了讓憶阻器這種厲害的電晶體發揮作用,MIT的研究者們設計了另一種製造憶阻器的方法。

銀+矽+銅,憶阻器+1

那,要怎麼才能造出更好的憶阻器呢?

研究者們想到了用合金的方式。

他們用矽來做憶阻器的負極,用銀來做憶阻器的正極,然後加入少量的銅。

銅既可以與銀結合,也可以與矽結合,就像一座橋梁,連接了銀和矽兩端。

單個的憶阻器就造好了,然後他們在一平方毫米的矽片上放了上萬個憶阻器,組成了一個晶片。

MIT用「銀-矽-銅合金」模擬突觸,造出記憶力超強的晶片

圖像處理能力

晶片造好之後,他們就用美國隊長的圖片來做測試。

MIT用「銀-矽-銅合金」模擬突觸,造出記憶力超強的晶片

圖片中的一個像素相當於晶片裡的一個憶阻器,根據每個像素的顏色調整每個憶阻器的電導。

第三行是這次新憶阻器晶片的結果,晶片可以「記住」圖像,使其重複出現。

此外,還可以運行特定的程序,針對圖片做銳化、模糊等各種各種處理方式。

MIT用「銀-矽-銅合金」模擬突觸,造出記憶力超強的晶片

MIT出品

這項研究,來自MIT的Jeehwan Kim教授的實驗室。

MIT用「銀-矽-銅合金」模擬突觸,造出記憶力超強的晶片

Kim教授2015年進入MIT機械工程系擔任助理教授,此前在IBM做了不少關於太陽能薄膜電池、石墨烯等相關的研究,曾被IBM授予「Master Inventor」頭銜,甚至因為石墨烯的研究曾經獲得過美國能源部150萬美元的獎金。

論文的三位共同一作均是這個實驗室的博士後/博士生:

MIT用「銀-矽-銅合金」模擬突觸,造出記憶力超強的晶片

Hanwool Yeon,是這個實驗室的博士後,首爾大學材料科學博士,主要研究半導體和柔性電子器件及可穿戴設備。

MIT用「銀-矽-銅合金」模擬突觸,造出記憶力超強的晶片

Peng Lin,也是這個實驗室的博士後,麻薩諸塞大學電氣與計算機工程博士,他在這篇論文的主角憶阻器方面研究了多年。

MIT用「銀-矽-銅合金」模擬突觸,造出記憶力超強的晶片

Chanyeol Choi,MIT EECS的博士生,也曾經在高通擔任硬體工程師。

論文傳送門

Alloying conducting channels for reliable neuromorphic computing

連結:https://www.nature.com/articles/s41565-020-0694-5

參考連結:

https://techcrunch.com/2020/06/08/mits-tiny-artificial-brain-chip-could-bring-supercomputer-smarts-to-mobile-devices/

http://news.mit.edu/2020/thousands-artificial-brain-synapses-single-chip-0608

— 完 —

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