跳票數年,英特爾10nm終現身:SuperFin重新定義電晶體架構,節點內...

2020-11-30 36kr

編者按:本文來自微信公眾號「機器之能」(ID:almosthuman2017),作者:微胖、徐丹,36氪經授權發布。

SuperFin是英特爾10nm最大的亮點,它是FinFET結構的升級版。英特爾將增強型FinFET晶體、Super MIM(金屬-絕緣體-金屬)電容器相結合,打造了全新的SuperFin,能夠提供增強的外延源極/漏極、改進的柵極工藝,額外的柵極間距。 

英特爾表示,這是該公司有史以來最為強大的單節點內性能增強,10nm工藝可以實現節點內超過15%的性能提升,帶來的性能提升可與全節點轉換相媲美。」換言之,在SuperFin技術的加持下,英特爾推出的10nm工藝效能可以等同於7nm。 

有時,好事如同正義,雖會遲到,但還是會來。 

本周二,英特爾的頂級工程師們罕見揭開「跳票」已久的Tiger Lake 10nm CPU微架構面紗,後者將出現在9月2日發布的產品中。設計師們為這款即將面世的Tiger Lake感到驕傲,不過仍被禁止討論處理器性能。 

這款被稱為英特爾第11代CPU的處理器,將與Xe Graphics 配對使用,並惠及伺服器到遊戲的所有生態成員。英特爾首席架構師拉賈·科杜裡(Raja Koduri)表示,他們還將採用 SuperFin 技術。 

英特爾的處理器設計方法。

自從不得不推遲7納米製造工藝之後,英特爾也不斷經歷著掙扎。今年早些時候,英特爾財務長喬治 · 戴維斯(George Davis)在摩根史坦利 3 月的會議上對投資者承認,公司已經落後於競爭對手臺積電,要追趕上至少需要 2 年時間。 

本月,原首席工程官 Venkata Renduchintala辭職。更早的時候,著名晶片架構師吉姆·凱勒因個人原因離開英特爾。 

事實上,英特爾盯緊7nm,也與10nm製程多次延期有關,希冀藉此彌補10nm延期所造成的時間損失。如今看來,還是10 nm 最先守得雲開見月明,未來幾年,10nm 也將代表英特爾最佳工藝水平。

一 英特爾的掙扎:多次跳票的10nm 

早在 2013 年,英特爾就設想通過 2.7 倍密度的 SAQP、COAG、Cobolt 互連,以及 EMIB 和 Foveros 等新的封裝技術,讓 10nm 晶片成功接過 14nm 晶片接力棒。 

然而,在將10納米技術推向市場時遭遇延誤,並一再跳票。 

最初,10nm工藝安排在2016年下半年,但是,2015年初,英特爾就推遲相關製造設備的安裝部署。當年7月,公司承認大規模量產推遲到2017年下半年,並臨時增加 Kaby Lake(七代酷睿),號稱工藝優化升級為14nm+。 

隨後,Intel規劃了基本完整的10nm產品線,包括面向低功耗桌面和移動市場的Cannon Lake、針對高端桌面和伺服器的Ice Lake、配合新工藝升級架構的的Tiger Lake。 

2017年初CES大展上,Intel首次展示了配備Cannon Lake處理器的筆記本,並保證會在當年晚些時候發布,但 Ice Lake、Tiger Lake都推遲到了2018年。Intel不得不又增加Coffee Lake(八代酷睿),工藝再次優化為14nm++。

2018年4月,公司宣布由於良品率問題,10nm工藝大規模量產將推遲到2019年。 

2019年初,英特爾在CES上正式公布10nm 製程落地並披露更多相關細節。 

對於長達數年的「跳票「,英特爾給出的解釋包括設想太自信、團隊之間目標不明確、管理混亂以至於計劃一拖再拖。事實上,也與英特爾IDM模式有關。 

英特爾是為數不多的IDM垂直整合型半導體公司。自己設計晶片架構、自己製造晶片、自己封裝晶片,其它晶片廠商幾乎做不到。 

這種模式的好處很明顯,英特爾能夠自主根據不同工藝開發不同的CPU架構。因為全自主,新工藝開發的架構可以最大化利用特定工藝優勢,達到更好的匹配與契合。 

但不足之處在於,將架構與工藝捆綁起來制約了靈活性。比如10nm延期之後,英特爾無法使用14nm工藝去生產10nm製程架構就是典型的例子。 

如今,英特爾10nm 終見曙光,彼時的三星、臺積電早就有10nm,並已開始量產7nm。當然,各家工藝技術不同,沒有直接可比性。 

英特爾表示,自家 14nm、10nm、7nm 分別相當於臺積電的 10nm,7nm、5nm。至少從字面看,英特爾在10nm製程節點已經做到與臺積電7nm製程同樣的電晶體集成數量,但是,性能究竟如何,仍然是用戶和市場說了算。

二 節點內超過15%的性能提升,SuperFin重新定義FinFET 

姍姍來遲的10nmCPU也沒有讓市場空等,10nm CPU創新性的使用了Super Fin工藝。

幾年前,英特爾首應用了22nm FinFET工藝,可以說是晶圓製造歷史上的一次重要革命。 

FinFET是晶圓製造工藝的一種,稱為鰭式場效應電晶體(Fin Field-Effect Transistor),其中的Fin在構造上與魚鰭非常相似,所以稱為「鰭式」,而FET的全名是「場效電晶體」 。 

FinFET的變革性意義在於將傳統電晶體的2D結構變為3D架構。傳統電晶體結構是平面的,所以只能在閘門的一側控制電路的接通與斷開。但是在FinFET架構中,閘門被設計成類似魚鰭的叉狀3D架構,可於電路的兩側控制電路的接通與斷開。這種叉狀3D架構不僅能改善電路控制和減少漏電流,同時讓電晶體的閘長大幅度縮減。

但FinFET工藝製造及其複雜,在英特爾的改良應用之下,臺積電、三星等廠商才後續跟上。不過隨著製程的發展,FinFET也需要改良。 

昨日英特爾的披露的下一代Willow Cove CPU升級了FinFET,它將增強型FinFET晶體、Super MIM(金屬-絕緣體-金屬)電容器相結合,打造了全新的SuperFin,能夠提供增強的外延源極/漏極、改進的柵極工藝,額外的柵極間距。

英特爾官方顯示,與FinFET相比,SuperFin架構性能主要優勢體現在如下方面: 

  • 1、增強源極和漏極上晶體結構的外延長度,從而增加應變並減小電阻,以允許更多電流通過通道。

  • 2、改進柵極工藝,以實現更高的通道遷移率,從而使電荷載流子更快地移動。

  • 3、提供額外的柵極間距選項,可為需要最高性能的晶片功能提供更高的驅動電流。

  • 4、使用新型薄壁阻隔將過孔電阻降低了30%,從而提升了互連性能表現。

  • 5、與行業標準相比,在同等的佔位面積內電容增加了5倍,從而減少了電壓下降,顯著提高了產品性能。

該技術的實現主要得益於一類新型的高K電介質材料,它可以堆疊在厚度僅為幾埃米(也就是零點幾納米)的超薄層中,從而形成重複的「超晶格」結構。這也是Intel獨有的技術。 

「這是該公司有史以來最為強大的單節點內性能增強,10nm工藝可以實現節點內超過15%的性能提升,帶來的性能提升可與全節點轉換相媲美。」換言之,在SuperFin技術的加持下,英特爾推出的10nm工藝效能可以等同於7nm。

英特爾稱,10nm SuperFin電晶體技術將在代號Tiger Lake的下一代移動酷睿處理器中首發,現已投產,OEM筆記本將在今年晚些時候的假日購物季上市。

三 發布遊戲專用GPU架構,與英偉達、AMD一較高下? 

除SuperFin架構,英特爾也披露了「混合結合(Hybrid bonding)」這一先進封裝技術。 

如今異構已經成了未來晶片發展的一種趨勢,越來越多的硬體甚至IP將會集成到一塊晶片當中。英特爾提出的封裝技術實際上就相當於一種分解設計,化繁為簡,晶片分為CPU、GPU、IO等,再分別更新或驗證,這樣就可以避免CPU和GPU糾纏一起出現bug的問題。 

要達到這種設計效果,其中的互聯就變得尤為重要,「混合結合」解決的就是分解設計中的互聯問題,能夠加速實現10微米及以下的凸點間距,提供更高的互連密度、帶寬和更低的功率。

據透露,使用「混合結合(Hybrid bonding)」技術的測試晶片已在2020年第二季度流片。 

英特爾的這些技術都在下一代酷睿處理器Tiger Lake中體現。據英特爾透露,Tiger Lake將由英特爾全新的Willow Cove架構提供動力,Willow Cove就是基於10nm的SuperFin技術。

英特爾指出,Tiger Lake將在關鍵計算矢量方面提供智能性能和突破性進展。它是英特爾第一個採用全新 Xe-LP微架構的SoC架構,可以對CPU、AI加速器進行優化,在AI性能、圖形性能上有所提升。 

Xe-LP是Intel面向PC和移動計算平臺的最高效架構,擁有多達96個EU,並採用了包括異步計算在內的新架構設計,以提供更大的動態範圍和頻率提升。Xe-LP之外,英特爾還推出了其他兩款架構版本,Xe-HP和Xe-HPG。 

據介紹 Xe-HP面向數據中心市場,是業界首個多區塊(multi-tiled)、高度可擴展的高性能架構,可提供數據中心級、機架級媒體性能,GPU可擴展性和AI優化。它涵蓋了從一個區塊(tile)到兩個和四個區塊的動態範圍的計算,其功能類似於多核GPU,有望在2021年發布。 

Xe-HPG專門針對遊戲而設計,添加了基於GDDR6的新內存子系統以提高性價比,新增了遊戲及時調整和遊戲銳化兩個新功能,同樣預計同樣在2021年發布。值得注意的是,這可能代表著英特爾將首次圍繞遊戲所需的GPU,意味著英特爾打算在這個領域AMD、英偉達一較高下。

所以現在Xe GPU的架構就變成了Xe LP、Xe HPG、Xe HP及Xe HPC四大金剛了,未來會覆蓋核顯到HPC超算在內的多個場景。

除了Tiger Lake之外,英特爾還在本次發布會中提到了另外一款產品——Alder Lake。據介紹,該產品是英特爾的下一代採用混合架構的客戶端產品。Alder Lake將結合英特爾即將推出的兩種架構——Golden Cove和Gracemont,並將進行優化,以提供出色的效能功耗比。 

軟體oneAPI Gold版本將於今年晚些時候推出,為開發人員提供在標量、矢量、距陣和空間體系結構上保證產品級別的質量和性能的解決方案。

四 10nm能拯救英特爾嗎? 

英特爾晶片製造工藝的擠牙膏很大程度上拖累了晶片上市進程。英特爾表示正在嘗試改變其晶片設計與製造的結合方式,暗示它可以使用外部製造商(例如合同晶片製造商臺積電)來製造其晶片。

Koduri將此新策略稱為「系統彈性設計」。此前有消息傳出英特爾已經在臺積電下了不少訂單,不過,是GPU訂單。

從Super Fin工藝的推出來看,英特爾還是會把CPU製造緊緊的抓在自己手裡,並且作為一大核心優勢。

從目前披露出的性能看,英特爾的10nm Super Fin架構的確在技術上前進了不小的一步。但有業內人士認為,相比它的競爭對手們,英特爾還是遲了,即便在SuperFin的加持下,10nm也只能是達到7nm的技術水平。

最大的不確定性在於,英特爾目前的技術進展還處於「PPT階段」,市場上還沒有任何英特爾10nm產品的消息。

那麼,在Super Fin加持的英特爾10nm是否能如期上市,上市表現究竟會如何?還得等市場驗證。

參考資料

https://venturebeat.com/2020/08/13/intels-chip-architects-promise-innovations-despite-setbacks/

相關焦點

  • 跳票數年,英特爾10nm終現身:重新定義電晶體架構,節點內性能提升超...
    2018年4月,公司宣布由於良品率問題,10nm工藝大規模量產將推遲到2019年。2019年初,英特爾在CES上正式公布10nm 製程落地並披露更多相關細節。對於長達數年的「跳票「,英特爾給出的解釋包括設想太自信、團隊之間目標不明確、管理混亂以至於計劃一拖再拖。事實上,也與英特爾IDM模式有關。
  • 跳票數年,英特爾10nm終現身
    一、英特爾的掙扎:多次跳票的10nm 早在2013年,英特爾就設想通過2.7倍密度的SAQP、COAG、Cobolt互連,以及EMIB和Foveros等新的封裝技術,讓10nm晶片成功接過14nm晶片接力棒。
  • 英特爾推出全新10nm電晶體,重新定義FinFET
    13 日,處理器龍頭英特爾(intel)在「架構日」正式發表與展示新型電晶體技術,這項定名為「SuperFin」的技術以 10 nm製程為基礎,預計能降低通孔電阻 30%,以提高互連效能。
  • 英特爾最新一代10nm重新定義電晶體,Tiger Lake架構性能提升20%
    【新智元導讀】英特爾在今年的架構日上介紹了在六大技術支柱方面的最新進展,全新的10nm SF工藝可媲美節點轉化,還有Willow Cove與Tiger Lake CPU架構,Xe顯卡等讓人大飽眼福。此前,英特爾宣布7nm工藝延期,讓業界紛紛猜疑美國主導的半導體時代將要走向終結!然而就在今天,英特爾拋出了一枚重磅炸彈,回應了外界的質疑。
  • 英特爾全新電晶體技術重新定義FinFET
    在英特爾2020年架構日新聞發布會上,英特爾首席架構師Raja Koduri攜手多位英特爾院士和架構師,詳細介紹了英特爾在創新的六大技術支柱方面所取得的進展。英特爾推出了10納米SuperFin技術,這是該公司有史以來最為強大的單節點內性能增強,帶來的性能提升可與全節點轉換相媲美。
  • 英特爾新一代電晶體將「大變身」,打臉臺積電的製程命名「水分太高」
    ,2019 年推出的 10nm 製程,裡面的電晶體密度超過 100 億個,較上一代 14nm 的 44.67 億個電晶體整整增加 2.3 倍。從 10nm 到 10nm SuperFin 的性能表現也是增加 20%,同樣也相當於一個節點的提升。 製程命名邏輯 在半導體製程上,最重要的單元是電晶體,每一顆 IC 設計最低層元件就是電晶體。
  • 震驚Intel在1平方毫米中塞下1億電晶體
    「1平方毫米中塞下1億個電晶體」只是個文藝的說法,用專業名詞來講,這就是我們早就耳聞無數次的10nm。  什麼?這也叫裡程碑?搭載驍龍835(10nm)的GalaxyS8都快上市了拜託。不過,英特爾還真不服氣,它認為現在友商口中的所謂10nm已經是用過了美圖秀秀的磨皮版,掩蓋了柵極間距、電晶體密度等關鍵指標,自家14nm工藝足以媲美那些所謂的10nm了。
  • FinFET逐漸失效不可避免,英特爾研發全新設計的電晶體GAA-FET
    FinFET工藝先拔頭籌,英特爾最早於2011年推出了商業化的FinFET工藝技術,顯著提高了性能並降低了功耗,之後臺積電採用FinFET技術亦取得了巨大的成功,隨後FinFET大放異彩,成為全球主流晶圓廠的首選。
  • 英特爾Comet Lake與10nm產品細節曝光
    英特爾在2018年年底公布未來六代架構,用於高性能酷睿的架構分別是Sunny Cove、Willow Cove、Golden Cove;針對超低功耗奔騰/賽揚(Atom凌動)的架構則是Tremont、Gracement、Next-mont,這六代架構分別對應2019年、2021年、
  • 以數據為中心的智能架構 看英特爾如何多維定義
    以數據為中心的雲轉型    事實上,英特爾已經將以數據為中心業務的總體潛在市場規模由2021年的1600億美元調整為2022年的2000億美元。用孫納頤的話說,這將是「英特爾歷史上最為重大的機遇所在」。既然目標錨定了,那麼就沒有理由不去推動全面轉型,首當其衝的自然是基礎架構。
  • 10nm技術節點大戰:臺積電vs.三星
    就像2015年發生的iPhone 6晶片門事件,每個蘋果(Apple)產品的消費者一拿到手機時,都迫不及待地想要知道自己的手機採用的是臺積電(TSMC,16nm)或是三星(SAMSUNG,14nm)的晶片。
  • 10nm光刻技術!英特爾繼續逼近矽原子極限
    Intel今年已經開始量產14nm工藝,下一代工藝將是10nm,Intel原本計劃在2015年底開始投產10nm工藝。隨著半導體工藝進入10nm內,新一代EUV光刻設備也愈加重要,這還要看荷蘭ASML公司的研發進度了。
  • 詳解英特爾十一代酷睿四大核心亮點
    > 全新的10nm SuperFin電晶體技術奠定基礎處理器性能的提升,歸根到底是如何在單位面積內集成更多的電晶體,以及如何更高效的實現電晶體排布。因此,底層電晶體技術的進步,將對處理器性能提升帶來質的飛躍。而Tiger Lake之所以能夠有效整合Willow Cove微架構、銳炬Xe核顯,以及眾多IO單元,並使之高效工作,全新的10nm SuperFin電晶體技術功不可沒。
  • 英特爾甩出六大新技術雪恥!兩款GPU已在路上
    芯東西(公眾號:aichip001) 文 | 韋世瑋 芯東西8月14日消息,昨日晚間,英特爾在2020年架構日上推出10nm SuperFin電晶體技術,將實現其有史以來最強大的單節點內性能增強
  • FinFET工藝之後 電晶體技術何去何從?
    >FinFET工藝之後 電晶體技術何去何從?  在近期內,從先進的晶片工藝路線圖中看已經相當清楚。晶片會基於今天的FinFET工藝技術或者另一種FDSOI工藝的平面技術,有望可縮小到10nm節點。但是到7nm及以下時,目前的CMOS工藝路線圖已經不十分清晰。  半導體業已經探索了一些下一代電晶體技術的候選者。例如在7nm時,採用高遷移率的FinFET,及用III-V族元素作溝道材料來提高電荷的遷移率。
  • 都0202年了,英特爾十代CPU還是14nm製程?
    2014年,英特爾發布了第一代14nm處理器。到了2019年,他們才推出10nm處理器。也就是說,至10nm處理器發布,英特爾的14nm足足用了5年。 對於10nm拖了5年才上市,英特爾執行長鮑勃·斯旺,在採訪時也給出了原因。他表示,英特爾一直把目標放在更好、更大的密度上,以保持其在業務上的領先地位。與上一代的14nm電晶體相比,10nm晶片的密度提高了2.7倍。這一激進的做法,才導致10nm延遲上市。
  • 英特爾Finfet電晶體架構未到瓜熟蒂落時
    自從Intel正式對外公布22nm製程節點將啟用Finfet垂直型電晶體結構,吸引了眾人的注意之後,臺積電,GlobalFoundries等晶片 代工廠最近紛紛表態稱晶片代工市場在未來一段時間內
  • 英特爾10nm酷睿鑄就3499元輕薄「水桶機」
    Ice Lake處理器是英特爾首款採用10nm工藝的處理器,專為移動端打造,為輕薄本帶來了更為優異的能耗比,大幅度提升了性能與續航,更有AI加持,代表了英特爾最新最強的工藝水準,Ice Lake處理器的這些特性使其可以同時兼顧辦公與娛樂
  • 探秘:英特爾22nm tri-gate電晶體技術
    如先前外界所預料的那樣,本周三Intel舉辦了一次新聞發布會,會上Intel高管Mark Bohr宣布Intel在22nm製程處理器中全面啟用tri-gate電晶體技術,他並表示tri-gate電晶體技術的啟用可以極大地減小電晶體的工作電壓(51CTO推薦閱讀:首個3D電晶體 英特爾技術實現重大突破)。