本周二，英特爾搶了一回頭條，因為晶片巨頭邏輯技術部門副主席Kaizad Mistry宣布，他們已經有能力在1平方毫米中塞下1億個電晶體，「絕對是行業歷史上史無前例的。」對，這也可以算是個「裡程碑」式的進步。
在同等面積內塞入更多電晶體意味著電路設計能得到有效瘦身，不但能降低晶片製造成本，還意味著在同等體積上，晶片能獲得更多功能。
這條「裡程碑」式的新聞誕生於英特爾首屆「技術與製造日」活動，在這次活動上，我們不但得以一窺晶片巨頭的晶片布局和封裝技術，還聽到了一個振奮人心的論斷——摩爾定律未死，至少對英特爾是這樣的。
「1平方毫米中塞下1億個電晶體」只是個文藝的說法，用專業名詞來講，這就是我們早就耳聞無數次的10nm。
什麼？這也叫裡程碑？搭載驍龍835（10nm）的GalaxyS8都快上市了拜託。不過，英特爾還真不服氣，它認為現在友商口中的所謂10nm已經是用過了美圖秀秀的磨皮版，掩蓋了柵極間距、電晶體密度等關鍵指標，自家14nm工藝足以媲美那些所謂的10nm了。
今年一月份在總結英特爾10nm晶片路線圖時，晶片巨頭還沒有公開電晶體的具體尺寸。不過本周，最終數據終於出爐了，英特爾的10nm節點將鰭片間距做到了34nm，而最小金屬間距則做到了36nm（這兩個數據在14nm節點時分別為42nm和52nm）。
在這次活動上，MarkBohr（工藝架構與整合資深研究員）直接換了個打法，英特爾不想再和三星、臺積電玩「數字」遊戲了，以後英特爾要用密度度量法來定義工藝節點。
如果採用這種標準來計算，英特爾最近幾年都是兩倍兩倍的提升電晶體密度。舉例來說，22nm進化為14nm的時候，電晶體密度提升了2.5倍，14nm進化為10nm時，密度則又提升了2.7倍。最重要的是，10nm晶片在運算速度和功耗上有了較大進步（Bohr更看重後者的表現）。
不過，英特爾這種度量方法到底能不能在整個業界推行現在還是個未知數。
EETimes採訪了多位業內人士，一位不具名的臺積電發言人表示：「英特爾怎麼算的算數讓我有些暈。舉例來說，它們第一代14nmBroadwell晶片每平方毫米有1840萬個電晶體，但換了新的度量方式，電晶體怎麼突然變成3750萬了？英特爾是在玩文字遊戲吧？」
因此，英特爾口中的1億個電晶體還是可以挑出些刺的。不過，晶片巨頭依然強調每次技術節點升級就能讓同等面積下電晶體數量翻番的概念，英特爾將這種升級策略稱之為「超標度」。
英特爾的RuthBrain表示，在14nm晶片上，公司開始使用名為自對準雙重曝光工藝（SADP）的技術。SADP是多重成像技術的一種，通過該技術晶片就能繼續用193nm沉浸式光刻技術生產了。
Brain認為其他公司的多重曝光技術更加簡單，光刻時會發生些許偏離。需要注意的是，這項技術的關鍵是光刻機在每次曝光時都找準同一地點，一旦出現偏差，晶片表現和良率都將受到影響，而SADP技術能迴避這一問題。
在10nm晶片上，英特爾又用上了自對準四重曝光工藝（SAQP），未來該技術將繼續用在晶片巨頭的7nm晶片中。
當然，未來極紫外光刻技術（EUV）可能也會進入晶片製造領域，原本的193nm紫外光將縮小到13.5nm。
在介紹新的技術突破時，工程師總喜歡輕描淡寫期間遇到的困難。「摩爾定律有趣的地方就在於它的實現看起來命中注定，但其中的艱難很難用言語來描述，想不斷突破必須有創新。」Mistry說道。
Mistry表示，眼下FinFET電晶體還是業內標杆，但2011年可能就會過時。「在晶片行業，每前進一步都非常困難，但一旦做成了，就變成了理所當然，這就是摩爾定律的魔力。」
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