1nm電晶體誕生 驚嘆「突破物理極限」

2020-11-26 TechWeb

【環球時報綜合報導】現代生活已經離不開電子晶片，而晶片上的電晶體體積越小，處理器的性能提升得越多。美國勞倫斯伯克利國家實驗室教授阿里·加維領導的一個研究小組近日利用新型材料研製出全球最小電晶體，其電晶體製程僅有1納米，被媒體驚嘆為「突破物理極限」。

據印度NDTV新聞網8日報導，按照傳統的晶片製造工藝，7納米堪稱物理極限，一旦電晶體大小低於這一數字，它們就會產生所謂「量子隧穿」效應，為晶片製造帶來巨大挑戰。而美國研究團隊沒有使用傳統的矽材料，而是利用碳納米管和一種被稱為二硫化鉬的半導體材料製作出了雛形裝置。其中一名研究學者穆恩·金說：「矽電晶體正在接近它們的規模限制，我們的研究對超越矽電晶體技術規模限制的可行性提供了新的認識。」

美國《國際財經時報》7日稱，這個全球最小電晶體打破了之前人們一直認為的「電晶體最小尺寸不可逾越」的障礙。美國《麻省理工科技評論》雜誌7日稱，至少在理論上，這個新發現意味著當前電子零部件的體積還有較大的縮減空間。目前使用的主流晶片製程為14納米，明年整個業界就將開始向10納米製程發展。相比之下，一根頭髮的直徑約為8萬-10萬納米。但該雜誌也承認，新的研究結果只是一種理論證明，距離切實可行的產品還有很長的路。「把這些數以十億計的納米電晶體安置在一塊晶片上，量產難度可能會非常高，價格也可能極其昂貴」。▲ （羅 俊）

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