FinFET技術物理極限是5nm,臺積電採用GAA技術成功突破2nm

GAA全稱Gate All Around，中文名字叫做環繞式柵極，隨著電晶體到達5nm，FinFET已經達到了物理極限，如果再生產3nm或2nm，FinFET技術已經無法滿足電晶體的製造要求了，GAA技術的誕生解決了這個問題，其原理就是增加閘極與電子通道的接觸面積，可以增加控制效果減少漏電流，通過這個技術能夠對晶片核心的電晶體進行重新設計和改造，使其更小更快。

7月13日，據媒體報導，臺積電在2nm製程工藝上面取得重大突破，已成功找到路徑將切入GAA技術。這樣的成績著實非常不容易，個人認為主要有以下兩個原因：

第一是臺積電維持晶片代工的霸主地位

多年來，臺積電一直是晶片代工的領頭羊， 無論是晶片代工的質量還是生產的效率都是最好的。蘋果手機晶片代工，以前一直是臺積電和三星兩家一起，現在基本上全部交給臺積電一家了，可見蘋果對於臺積電是多麼的認可。如果臺積電想要繼續保持其霸主地位，那技術領域的優勢是不可缺少的，因此臺積電投入巨額的資金研發新工藝，終於在2nm製程工藝取得了重大突破。面對三星在3nm製程工藝的技術突破，臺積電可謂更勝一籌。

第二是對抗三星減少客戶流失

有消息稱，高通驍龍下一代旗艦晶片驍龍875G，將會使用三星的5nm製程工藝來生產製造，這對於臺積電而言猶如晴天霹靂。為什麼高通會選擇三星，我覺得說明三星的5nm製程工藝已經非常成熟了，和臺積電相比差距已經很小了，還有就是三星的價格也比臺積電更加便宜。臺積電深知這其中的緣由，對付三星只有研發更加先進的技術，讓客戶繼續選擇自己。