CVD（化學氣相沉積法）是傳統的製備薄膜的技術，其中PECVD ( Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition ) 是指等離子體增強化學氣相沉積法，有基本溫度低、沉積速率快和成膜質量好等優點。PECVD的原理是什麼？特氣櫃應用在哪？下面就讓小編來給大家介紹一下吧。
PECVD：是藉助微波或射頻等使含有薄膜成分原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子體化學活性很強，很容易發生反應，在基片上沉積出所期望的薄膜，其中，特氣系統保證了含有薄膜成分原子的氣體的穩定輸送和純度要求。
為了使化學反應能在較低的溫度下進行，利用等離子體的活性來促進反應的化學氣相沉積法，因此被稱為等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)。使用PECVD技術，在襯底溫度保持為350℃左右就可以得到的良好SiOx或SiNx薄膜，就是一個很好的例子，可以作為集成電路最後的鈍化保護層，提高集成電路的可靠性。
沉積氮化矽膜(Si3N4)，便是SiNx薄膜的一種，由矽烷和氮反應形成的，而矽烷（SiH4）是一種在室溫下能著火、在空氣或滷素氣體中能爆炸性燃燒的劇毒性特種氣體，特氣櫃的存在就是為了保證矽烷這類氣體的安全使用。
全自動特氣櫃（GC）配有PLC面板，配合觸控螢幕進行系統顯示和設定，實現設備安全有效的運行；特氣櫃的櫃體採用防腐蝕塗層，且板材厚底不低於2.5mm，同時配有防爆觀察窗，可以隨時觀察櫃內變化；特氣櫃的報警偵測警報功能齊全，並在櫃門關閉情況下，特氣櫃內部都處於負壓狀態，可第一時間發現矽烷這類特種氣體的洩漏並阻止洩漏氣體擴散，避免事故的發生。
全自動特氣櫃（GC）擁有SIME 2認證，品質上值得信賴，基本功能有自動吹掃、自動切換以及緊急情況下的自動安全切斷（當設定報警信號被觸發時），其內部PLC程式設計的安全聯鎖功能、高純閥件的合理選擇和布局，既滿足了等離子體增強CVD(PECVD)在生產過程中對含有薄膜成分原子的氣體的高純度連續穩定供給的要求，也保證了生產安全和員工人身安全。
PECVD雖然擁有眾多優點，但是因科技和經濟的限制，還存在設備投資大、生產過程中會產生對人體有害的物質等缺點。以上，就是關於PECVD的簡單介紹和特氣櫃在其中的應用，感謝您的閱讀！