電晶體小型化遇瓶頸,3D技術崛起

2020-12-01 電子發燒友

電晶體小型化遇瓶頸，3D技術崛起

科工力量 發表於 2020-11-17 16:41:16

從臺積電到阿斯麥爾（ASML），一段時間以來美國頻頻藉助各種手段，將商業問題政治化，打壓中國的半導體行業。但《日本經濟新聞》在10月21日的一篇評論裡指出，隨著半導體技術的革新，以及中國科技的發展，未來半導體技術的大趨勢，其實有利於中國。

《日經》：半導體科技發展趨勢，有利於中國 原日本半導體巨頭爾必達社長，現中國晶片製造商紫光集團的高級副總裁坂本幸雄，在文中對中國半導體行業的前景尤為樂觀：「當今世界，後來者擁有更好的機會，趕上現在的領導者。」 他還在文中援引一名中國商界人士的話說：「中國科技行業的領袖們現在感謝川普，因為他幫助他們下定決心，自主開發技術。」 文章指出，歷史上技術範式的改變，常常能為行業的新參與者創造機會。如今，坂本幸雄也從當今半導體行業的技術趨勢中，看出了這種趨勢。

電晶體小型化遇瓶頸，3D技術崛起長期以來，半導體行業都受制於「摩爾定律」，即集成電路晶片上可以容納的電晶體數目，大約每24個月便會增加一倍。但實際上，大約2005年前後，晶片表面電晶體和電路尺寸的縮小化之路遇到了瓶頸。當時，電晶體的尺寸已縮小至30納米左右，而這一尺寸，是由一種叫做「柵極」（gate）的中央電極來衡量的。 隨後，電晶體的小型化之路趨向緩慢。《日經》稱，從32納米到近期的10納米，雖然晶片製造商一直在標榜晶片製程的縮小。但從2005年前後，這些數字不再是柵極的實際尺寸了。如今，所謂的「10納米」或「7納米」，只是晶片製造商的一種品牌標籤。 例如，東京大學的平本俊郎教授就向《日經》表示，去年臺積電製造的7納米晶片，實際的柵極尺寸為18納米左右。而這，已經與過去柵極尺寸也為32納米的32納米晶片，有了明顯的偏差。

臺積電生產的晶片 官方圖 由於電晶體小型化的難度，以及成本都在不斷上升，因此各大晶片製造商目前已轉向一種三維技術，即利用傳統晶圓表面上方的空間，將更多電晶體裝載到晶片上。如今最先進的NAND快閃記憶體晶片，即在最底層的晶圓裸片上，堆疊了96至128層的集成電路。 隨著層數的增加和晶片的增厚，電晶體的小型化過程在快閃記憶體領域發生了逆轉。業內專家介紹稱，如今快閃記憶體晶片的典型電晶體尺寸大約在22至 32納米範圍內，比幾年前快閃記憶體晶片中使用的14納米電晶體要大。 而這種晶片製造技術從電晶體小型化到三維技術的重要轉變，可能會影響業界對晶片製造過程中最困難的部分——光刻技術的態度。 光蝕刻法是一種工藝，在矽晶圓的光敏表面上，通過一個稱為光掩膜的玻璃板將光投射到矽晶圓上，在玻璃掩膜上可以畫出電路計劃的圖像。這就像傳統的照片顯影過程，在透明膠片上捕捉到的圖像，通過投射光線穿過負片，對準感光紙，將其印在紙上。 隨著電路進一步小型化，這一過程需要短波光，來獲得更好的解析度。最先進的微型化技術需要超紫外或極紫外（EUV）光譜範圍的不可見光。

從光刻機中「解放」《日經》稱，如今阿斯麥爾是光刻機產業內的壟斷企業，一臺EUV光刻機的售價大約在1.2億至1.7億美元之間。然而，晶片製造商購買的阿斯麥爾光刻機，實際上只能應用於整個晶片製造過程的極小部分，也只能帶來適度的微型化效果。

阿斯麥爾光刻機 阿斯麥爾官方圖 如今，EUV光刻機只能用於製造邏輯晶片，如電腦的微型處理器，智慧型手機的系統晶片，以及遊戲和人工智慧領域的圖形處理器等。由於由於電路組成的複雜性，邏輯晶片尚不能完全使用三維技術。 對晶片製造商來說，只為製造這些晶片就使用EUV光刻機，成本和難度可能並不那麼合理。 實際上，如果一家晶片製造商要使用EUV光刻機，它還需要使用許多其他工藝，來優化EUV光刻技術，這就意味著廠商要投入大量資金，來購買各種先進設備。而裝備越先進，供應商就越少，美國的禁令也就越有效。 但是，如今快閃記憶體晶片的製造過程已經可以跳過EUV光刻機。 並且，如果能跳過EUV光刻機的限制，那麼晶片製造商的選擇就更多了。《日經》稱，日本佳能和尼康，如今也能生產非EUV光刻機。迄今為止，美國並未禁止這兩家廠商對中國晶片製造商出貨。 另一方面，包括華為在內，一些中國公司也一直在努力開發自己的光刻機。紫光集團旗下的長江存儲也在今年宣布成功研發128層QLC3DNAND快閃記憶體(型號：X2-6070)，並已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產品上通過驗證。 《日經》認為，當前美國方面似乎將限制中國的重點放在EUV光刻機上，但中國正在積累三維晶片製造技術，這最終將應用於先進的邏輯晶片，幫助中國避免依賴基於EUV光刻機的晶片微型化。 並且，從長遠來看中國有能力提高晶片所有相關領域的技術，如材料、光學、化學、晶圓製造過程控制、表面檢測和功能測試等。 不少專業人士，也看好中國在晶片製造領域的潛能。曾在中芯國際擔任首席技術官的生駒俊明表示，基於他在中國的經驗，他認為中國有足夠數量的有能力的科學家和工程師來開發自己的晶片製造設備和晶片設計軟體。 東京科學大學教授若林秀樹表示，開發晶片製造設備和材料的整個供應鏈不是一朝一夕就能完成的。但他表示，「中國有可能在10至20年內成為這一領域的主導國家，因為它在所有科學和工程領域都擁有大量人才。」 對中國這樣的追趕者而言，技術趨勢也是一個優勢。信息技術分析機構高德納公司（Gatner）研究副總裁薩繆爾·王（Samuel Wang）表示：「新技術，如新材料、3D、人工智慧輔助晶片設計和基於雲技術的製造協作，都將為新興企業創造新的機會。」

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