今天有多家媒體報導了中國科研人員實現了3nm半導體工藝的突破性進展，香港《南華早報》稱中科院微電子所團隊的殷華湘等人研究出了3nm電晶體，相當於人類DNA鏈條寬度，這種電晶體解決了玻爾茲曼熱力學的限制。
在中國半導體晶片正在被美國卡脖子的今天，國內科研人員實現3nm電晶體技術具有重要意義，南華早報在文章中也提到了該技術的意義——過去我們只能看著別人競賽，現在可以參與這場競賽了。
不過這個技術具體如何呢？找了下，南華早報的新聞源是中科院微電子所的通告，官方介紹的內容如下：
現有矽基電晶體受玻爾茲曼熱力學限制，室溫下亞閾值擺幅SS≥60mV/dec，阻礙了工作電壓的繼續降低。當集成電路技術進入5納米及以下節點，隨著集成度的持續增加，在維持器件性能的同時面臨功耗急劇增加的嚴重挑戰。
先導中心殷華湘研究員的團隊在主流後HKMG FinFET集成工藝的基礎上，通過材料工藝優化和多柵器件電容匹配設計，結合高質量低界面態的3納米鉿鋯金屬氧化物薄膜，研製成功性能優異的NC-FinFET器件，實現了SS和閾值電壓回滯分別為34.5mV/dec和9mV的500納米柵長NC-FinFET器件，以及SS和閾值電壓回滯分別為53mV/dec和40mV的20納米柵長NC-FinFET器件。
其中，500納米柵長NC-FinFET器件的驅動電流比常規HfO2基FinFET器件（非NC-FinFET）提升了260%且電流開關比（Ion/Ioff）大於1x106，標誌著微電子所在新型NC-FinFET器件的研製方面取得了重要進展。
上述最新研究結果發表在國際微電子器件領域的頂級期刊《IEEE Electron Device Letters》上（DOI: 10.1109/LED.2019.2891364），並迅速受到國際多家研發機構的高度關注。
該項集成電路先導工藝的創新研究得到國家科技重大專項02專項和國家重點研發計劃等項目的資助。
圖1 （a）負電容FinFET基本結構；（b-c）三維器件溝道結構與鐵電HZO膜層結構；（d-e）器件I-V與SS特性；（f）最新器件性能國際綜合對比（SS與回滯電壓越小越好）
官方通報裡用詞要嚴謹的多，提到的3nm實際上說的是3nm氧化物薄膜的厚度，沒有確定說是3nm工藝，不過這個技術也確實是用於5nm節點之後的工藝中。
不過這個所謂的負電容技術還是學術研究，南華報導中提到了殷華湘表示該技術具備應用實力，但是殷華湘也提到了這個技術距離商業化應用還有數年時間，團隊還在致力於解決材料及質量控制等問題。
簡單來說，這次的國產突破3nm工藝報導依然是一項重要的學術進展，但在半導體工藝上這樣的例子太多了，除非能很快量產並且具備更好的性能或者更低的成本，否則這些工藝很難取代現在的半導體技術。