【1月5日訊】導語，相信大家都知道，自從華為、中興事件發生以後，也讓大家再次注意到晶片、作業系統這兩大核心技術的重要性，尤其是在晶片製造領域，我國一直都處於落後局面，雖然我國在晶片設計、晶片封測都可以達到目前頂尖的5nm工藝水準，但唯獨晶片製造依舊還停留在14nm工藝水準，如果要在「純國產化」的狀態下，則只能夠實現28nm製程工藝，之所以在晶片製造工藝技術上依舊無法取得突破，也是因為目前14nm、7nm、5nm晶片產品都採用了FINFET電晶體工藝，也叫做鰭式場效應電晶體工藝；
但隨著臺積電、三星這兩大晶片代工廠商在宣布未來新一代3nm製程工藝技術時，就出現了技術分歧，臺積電認為3nm製程工藝可以繼續採用FINFET電晶體工藝，而三星則認為3nm晶片要採用GAA電晶體，原本的FinFET電晶體已經無法滿足性能需求，當然針對目前分歧，由於3nm晶片產品還沒有正式量產，所以也無法進一步得到驗證，究竟是FinFET電晶體好，還是GAA電晶體更好；
但就目前業內普遍認為，在3nm製程工藝以下，全新的GAA電晶體會更好，但目前美國也正式將10nm及其以下製程工藝技術，列為禁止出口到中國的技術之一，所以我們想要進軍高端晶片製造領域，那麼我們唯有艱苦奮鬥、自力更生。
就在近日，國內知名高校復旦大學正式對外發布了一條好消息，那就是復旦大學微電子學院的周鵬團隊，已經掌握了雙層溝道厚度分別為0．6 ／1．2nm的圍柵多橋溝道電晶體（GAA，Gate All Around）技術，目前該項研究成果已經在第66屆IEDM國際電子器件大會上在線發表，這意味著我國已經開始掌握GAA電晶體技術，這也意味著，未來我們也可以不再依賴國外技術，甚至還可以將國產GAA技術出口轉讓，畢竟這是3nm晶片最為關鍵的電晶體技術；雖然我們目前國產晶片製造技術，想要達到3nm技術，還有這很長的路要走，畢竟母親中芯國際的7nm工藝才剛剛風險試產，而未來想要突破5nm、3nm甚至是更加高端晶片製程工藝，還是需要ASML的高端EUV光刻機設備支持，但如今中芯已經被列入實體清單，國產高端5nm\3nm晶片可能會遙遙無期了；
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