中國攻克3mm工藝關鍵技術，復旦成功驗證GAA電晶體
2020-12-17 IT168這則消息來自復旦大學微電子學院，該校的周鵬團隊針對具有重大需求的3-5納米節點電晶體技術，驗證了雙層溝道厚度分別為0.6 /1.2納米的圍柵多橋溝道電晶體，實現了高驅動電流和低洩漏電流的融合統一，為高性能低功耗電子器件的發展提供了新的技術途徑，相關的成功將會在第66屆IEDM國際電子器件大會上在線發表。
很多人可能好奇，GAA電晶體是什麼？簡單來說，對於目前以矽基材料為基礎研發的晶片，當製作工藝達到5nm以下時就會出現許多的問題，比如隧穿效應等。其中的原因就是傳統的電晶體在5nm以下已經難以為繼，此時就需要製作一種新的電晶體來替換傳統的電晶體，讓晶片工藝可以繼續升級，而這種電晶體就是GAA電晶體，對比傳統的電晶體擁有更好的柵控能力和漏電控制。
報導中說，此次周鵬團隊設計並製造出來的超薄圍柵雙橋溝道電晶體在驅動電流方面比普通的MoS2電晶體相比提升超過400%，在室溫下可以達到理想的亞閾值擺幅（60mV/dec），漏電流降低了兩個數量級。
目前，三星和臺積電都已經將GAA電晶體作為未來的主要研究方向，而負擔大學能夠突破這項關鍵的技術，意味著我們正在逐步掌握先進位程的設計與製作技術，很快，阻擋我們製作先進處理器的門檻可能就只剩下EUV光刻機了。
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