我國首個ZnO納米棒場效應電晶體研製成功

2021-01-09 科學網
我國首個ZnO納米棒場效應電晶體研製成功 填補了國內在新型寬禁帶多功能半導體材料領域的空白

圖為器件照片

圖為測試結果 

近日，中科院微電子所依靠獨立開發的全新技術，成功研製出國內首個ZnO納米棒場效應電晶體。

 

ZnO是一種新型寬禁帶多功能半導體材料。ZnO納米材料(納米線、納米棒、納米帶、納米環等等)具有較常規體材料更為優越的性能，在傳感、光、電等諸多領域有著廣闊的應用前景，引起了國際學術界的極大關注。目前，國內的研究集中在材料生長和二極體器件製備方面。

 

中科院微電子所張海英研究員領導的課題組，使用中國科技大學提供的材料，獨立開發出一套全新的「由下至上」的納米器件設計和製備方法，採用常規的接觸式光學光刻技術，以ZnO納米棒作為溝道，與柵氧、背面柵金屬形成金屬—氧化物—半導體結構的場效應電晶體，獲得了滿意的器件測試結果，標誌著國內首個背柵ZnO納米棒場效應電晶體的研製成功，填補了國內在該領域的空白。

 

場效應電晶體研製的成功為新型納米器件及其應用開闢了全新的研究領域，課題組將繼續深入合作，協助材料生長方製備出直徑更細的納米線，進一步完善器件工藝，提高器件性能，為實用化解決關鍵技術問題。

 

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