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深圳先進院等研發出新型柔性鐵電場效應電晶體
近日,中國科學院深圳先進技術研究院醫工所納米調控與生物力學研究中心在柔性鐵電場效應電晶體領域取得新進展,相關成果以Highly robust flexible ferroelectric field effect transistors operable at high temperature with low-power consumption
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我國首個ZnO納米棒場效應電晶體研製成功
我國首個ZnO納米棒場效應電晶體研製成功
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中國科大製備出二維黑磷場效應電晶體
近日,我校微尺度物質科學國家室實驗室和物理學院陳仙輝教授課題組在二維類石墨烯場效應電晶體研究中取得重要進展。研究組與復旦大學張遠波教授、封東來教授和吳驊教授課題組通力合作,成功製備出具有幾個納米厚度的二維黑磷場效應電晶體。
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科學家創造全球首個分子電晶體
在貝爾實驗室展示首個半導體電晶體後62年,來自美國耶魯大學和韓國光州科技學院的研究人員們成功實現了又一項突破,打造出了全球首個可以正常工作的分子電晶體。研究者們表示,他們的這項研究成果已經發表在12月24日號的《自然》雜誌上。
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單原子層溝道的鰭式場效應電晶體的研發可提高器件性能
電晶體是一種固體半導體器件(包括二極體、三極體、場效應管、晶閘管等,有時特指雙極型器件),具有檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調製等多種功能。電晶體作為一種可變電流開關,能夠基於輸入電壓控制輸出電流。
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有機場效應電晶體是什麼_有機場效應電晶體介紹
目前無機場效應電晶體已經接近小型化的自然極限,而且價格較高,在製備大表面積器件時還存在諸多問題。因此,人們自然地想到利用有機材料作為FET的活性材料。自1986年報導第一個有機場效應電晶體(OFET)以來,OFET研究得到快速發展,並取得重大突破。
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世界上首個縱向氧化鎵電晶體研製成功!
技術2011年,NICT 開創性地演示了首個單晶體 Ga2O3 電晶體,從而引發了密集的國際科研活動,對於這種新型氧化物半導體的科學與工程展開研究【4】。過去幾年來,Ga2O3 電晶體的開發集中於研究橫向幾何結構。
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物理學家發明量子隧道效應電晶體
騰訊科學訊 據美國物理學家組織網近日報導,瑞士科學家表示,到2017年,利用量子隧道效應研製出的隧道場效應電晶體有望將計算機和手機的能耗減少到目前的百分之一。瑞士洛桑理工大學的科學家阿德裡安·約內斯庫在為英國《自然》雜誌撰寫的一篇文章中提出了上述看法,該文章是《自然》雜誌有關矽的特別報導的一部分。
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單原子層溝道的鰭式場效應電晶體問世
過去幾十年來,微電子技術產業沿摩爾定律取得了突飛猛進的發展,按照摩爾定律的預測,集成電路可容納電晶體數目大約每兩年增加一倍。目前集成電路中可實現的最小加工尺寸為3-5納米。當前,隨著集成電路特徵尺寸逼近工藝和物理極限,進一步縮小電晶體器件特徵尺寸極具挑戰。 圖1:單原子層溝道的鰭式場效應電晶體。
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85後科學家製造出世界上最薄的鰭式電晶體,突破半導體工藝
韓拯和合作者首次利用二維原子晶體替代矽基場效應鰭式電晶體的道溝材料,在實驗室規模演示了目前世界上溝道寬度最小的鰭式場效應電晶體,將溝道材料寬度減小至 0.6 納米。同時,獲得了最小間距為 50 納米的單原子層溝道鰭片陣列。
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85後科學家製造出世界上最薄的鰭式電晶體,突破半導體工藝
韓拯和合作者首次利用二維原子晶體替代矽基場效應鰭式電晶體的道溝材料,在實驗室規模演示了目前世界上溝道寬度最小的鰭式場效應電晶體,將溝道材料寬度減小至 0.6 納米。同時,獲得了最小間距為 50 納米的單原子層溝道鰭片陣列。此外,他帶領的研究團隊首次報導的二維本徵鐵磁半導體自旋場效應器件,為繼續尋找室溫本徵二維鐵磁半導體提供了指導意義。
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科學網—美科學家研製出新型隧穿場效應電晶體
據美國物理學家組織網3月27日(北京時間)報導,美國聖母大學和賓夕法尼亞州立大學的科學家們表示,他們借用量子隧穿效應,研製出了性能可與目前的電晶體相媲美的隧穿場效應電晶體
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金屬氧化物半導體場效應電晶體應用
打開APP 金屬氧化物半導體場效應電晶體應用 蓋世汽車 發表於 2019-09-09 15:05:46 據外媒報導,當地時間7月24日,日本半導體製造商羅姆(ROHM)宣布推出超級緊湊,尺寸為1.6 x1.6毫米的RV4xxx系列MOSFET(金屬氧化物半導體場效應電晶體)產品,可提供優越的安裝可靠性。
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山西大學85後科學家製造出世界上最薄的鰭式電晶體,突破半導體工藝...
韓拯和合作者首次利用二維原子晶體替代矽基場效應鰭式電晶體的道溝材料,在實驗室規模演示了目前世界上溝道寬度最小的鰭式場效應電晶體,將溝道材料寬度減小至 0.6 納米。同時,獲得了最小間距為 50 納米的單原子層溝道鰭片陣列。
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中科院研發出2納米晶片?大家還是太樂觀了
我查最近關於2納米晶片的報導,所有正規媒體都說是中科院研究出了新型電晶體,而大部分的自媒體都說研發出了2納米晶片。這幾字之差,意思相差巨大。但是半導體工藝進入32納米以下後,很多傳統物理定律都逐漸失效,量子效應成為了製程前進的攔路虎,科學家在過去發明了各種各樣的增強技術來對抗小尺度帶來的不確定性。其中包括現在流行的FinFET技術,採用的是鰭式場效應電晶體,我們簡單的理解是採用加高院牆的方式來控制漏電流。
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場效應電晶體的特點
什麼是場效應電晶體?場效應電晶體(Field-effecttransistor,縮寫:FET)是一種通過電場效應控制電流的電子元器件。場效應電晶體依靠電場去控制導電溝道形狀,因此能控制半導體材料中某種類型載流子的溝道的導電性。
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場效應電晶體的功能應用
1.結型場效應電晶體的特性和功能特點結型場效應電晶體是利用溝道兩邊的耗盡層寬窄,改變溝道導電特性來控制漏極電流實現放大功能的,如下圖所示。提示說明:下圖為N溝道結型場效應電晶體的輸出特性曲線。當場效應電晶體的柵極電壓Ugs取不同的電壓值時,漏極電流Id將隨之改變;當Id=0時,Ugs 的值為場效應電晶體的夾斷電壓Up;當Ugs=0時,Id的值為場效應電晶體的飽和漏極電流ldss。在Ugs一定時,反映Id與Ugs之間的關係曲線為場效應電晶體的輸出特性曲線,分為3個區:飽和區、擊穿區和非飽和區。
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場效應電晶體放大器
場效應電晶體放大器是電壓控制器件,具有輸入阻抗高、噪聲低的優點,被廣泛應用在電子電路中,特別是具有上述要求前級根據場效應管兩大類型--結型場效應管和絕緣柵場效應管可構成相應的場效應管放大器。以下以結型管為例給出三種基本組態放大器的等效電路和性能指標計算表達式,見表5.2-7。圖為場效應管具有與電晶體類似的正向受控作用,它也可構成共源極、共漏極、共柵極三種基本放大器。
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功率場效應電晶體(MOSFET)原理
功率場效應管(Power MOSFET)也叫電力場效應電晶體,是一種單極型的電壓控制器件,不但有自關斷能力,而且有驅動功率小,開關速度高、無二次擊穿、安全工作區寬等特點。由於其易於驅動和開關頻率可高達500kHz,特別適於高頻化電力電子裝置,如應用於DC/DC變換、開關電源、可攜式電子設備、航空航天以及汽車等電子電器設備中。
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功率場效應電晶體的工作特性
功率場效應電晶體 功率MOS場效應電晶體,即MOSFET,其原意是:MOS(MetalOxideSemiconductor金屬氧化物半導體),FET(FieldEffectTransistor場效應電晶體),即以金屬層(M)的柵極隔著氧化層(O)利用電場的效應來控制半導體(S)的場效應電晶體。