近日，低K電介質技術的領導者應用材料公司宣布推出Applied Producer® BLOk™ II PECVD系統。這個全新的系統能夠提供先進的阻擋層低K電介質技術，用於亞45納米技術節點製造速度更快、功耗更小的邏輯晶片。通過超低K介電質（如應用材料的Black Diamond®薄膜）的應用，BLOk II 阻擋薄膜最高可降低互連電介質疊合層的有效K值10%，從而加速了信號傳輸速度。Producer系統的單矽片處理結構使得至關重要的預清洗可以在同一系統中進行，其結果使電遷移抵禦能力高於相匹敵阻擋層技術30%，從而確保了可靠的粘合度並提高了器件可靠性。
應用材料公司資深副總裁兼薄膜事業部總經理Farhad Moghadam博士表示：「在持續推動互連技術延伸的材料創新方面，應用材料公司站在了最前沿。最佳互連性能的關鍵是薄膜的整合，也就是控制銅和低K電介質界面的能力，從而確保最終可靠性和封裝後的成品率。我們獨特的Producer BLOk系統提供了創新的界面工程工藝（具有專利的在同一系統中進行銅氧化物去除步驟）實現了良好的薄膜粘合度和很高的電性可靠度。目前市場上沒有任何其他的系統可以媲美如此傑出的界面性能。」
BLOk II系統和Black Diamond薄膜的整合性能已經在應用材料公司的Maydan技術中心得到了驗證，Applied Centura® Enabler®刻蝕系統對這些疊合層成功進行了刻蝕，而且優化了選擇性和刻蝕率，控制了不良側蝕。這一先進經驗將使客戶更快更好的將BLOk II技術整合到他們新一代低K薄膜疊合層中。
應用材料公司的BLOk II薄膜能夠提供無與倫比的超薄阻擋層和非常低的介電值，目前正被全球多個客戶用於32納米的開發。應用材料公司有超過250臺BLOk反應腔用於生產，通過已被驗證的製造工藝，它們可以平穩升級到BLOk II技術水平。