電子束曝光原理_電子束曝光結構

2020-11-28 電子發燒友

電子束曝光原理_電子束曝光結構

網絡整理 發表於 2020-11-27 15:21:39

  電子束曝光原理

  電子束曝光(electron beam lithography)指使用電子束在表面上製造圖樣的工藝,是光刻技術的延伸應用。

  光刻技術的精度受到光子在波長尺度上的散射影響。使用的光波長越短,光刻能夠達到的精度越高。根據德布羅意的物質波理論,電子是一種波長極短的波。這樣,電子束曝光的精度可以達到納米量級,從而為製作納米線提供了很有用的工具。電子束曝光需要的時間長是它的一個主要缺點。為了解決這個問題,納米壓印術應運而生。

  電子束曝光在半導體工業中被廣泛使用於研究下一代超大規模集成電路。

  電子束曝光結構

  電子束曝光的基本結構,從上往下依次為:電子槍、電子槍準直系統、電磁透鏡、消像散器、偏轉器、物鏡、光闌(Aperture)、電子探測器、工作檯(stage)以及真空泵(離子泵、分子泵、機械泵)。

  電子槍:高解析度的熱場發射,配有高壓,電子束的能量通常在10~100KeV。

  電子槍準直系統:對電子槍發出的電子束進行較直。

  電磁透鏡:與光學透鏡類似,聚焦電子束。

  消像散器:調節聚焦像散,減少誤差。

  光闌:改變電子束流。

責任編輯:YYX

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