ROHM開發出第4代SiC MOSFET實現了業界先進的低導通電阻

2021-01-08 電子發燒友
打開APP
ROHM開發出第4代SiC MOSFET實現了業界先進的低導通電阻

ROHM 發表於 2021-01-07 11:48:12

ROHM開發出「1200V 第４代SiC MOSFET」，非常適用於包括主機逆變器在內的車載動力總成系統和工業設備的電源。第4代SiC MOSFET實現了業界先進的低導通電阻，針對下一代電動汽車（xEV）高效且小型輕量化的電動系統、第４代SiC MOSFET起到核心驅動作用的主機逆變器系統的小型化和高效化、充電時間隨著電動汽車（EV）電池容量的增加而縮短、電池電壓提高（800V）等趨勢，該產品被寄予厚望。目前，第４代SiC MOSFET可以以裸晶片的形式提供樣品。

*2020年6月17日羅姆調查

＜1200V 第4世代SiC MOSFET的亮點＞

・進一步改進了ROHM自有的雙溝槽結構，與以往產品相比，在不犧牲短路耐受時間的前提下，成功地將單位面積的導通電阻降低了約40％。

・通過大幅降低寄生電容，使開關損耗比以往產品降低約50％。

・通過實現上述亮點，可減小逆變器和電源等各種功率轉換應用的尺寸並降低功耗。

改進了自有的溝槽結構，實現業界先進的低導通電阻

ROHM於2015年世界上第一家成功地實現了溝槽結構SiC MOSFET的量產，並一直致力於提高SiC功率元器件的性能。一直以來，業界存在降低導通電阻會導致短路耐受時間變短（二者之間存在此消彼長的關係）的問題，但此次開發的第四代SiC MOSFET，通過進一步改進自有的雙溝槽結構，與以往產品相比，無需犧牲短路耐受時間，即可成功地將單位面積的導通電阻降低約40％。

大幅降低寄生電容，使開關損耗降低50％

通常，MOSFET的各種寄生電容具有隨著導通電阻的降低和電流的提高而增加的趨勢，隨著寄生電容的增加，開關損耗也會增加，這限制了SiC本來具備的高速開關優勢。此次推出的第4代SiC MOSFET產品，通過大幅降低柵漏電容（CGD），成功地使SiC MOSFET開關損耗比以往產品降低約50％。

編輯：hfy

打開APP閱讀更多精彩內容

聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容圖片侵權或者其他問題，請聯繫本站作侵刪。 侵權投訴

相關焦點

  • ROHM開發出業界先進的第4代低導通電阻SiC MOSFET
    ROHM開發出業界先進的第4代低導通電阻SiC MOSFET 全球知名半導體製造商ROHM(總部位於日本京都市)開發出「1200V 第 4 代SiC MOSFET※1」，非常適用於包括主機逆變器在內的車載動力總成系統和工業設備的電源
  • ROHM開發出實現超低導通電阻的第五代Pch MOSFET
    本系列產品作為ROHM擁有豐碩市場業績的Pch MOSFET產品,採用了第五代新微米工藝,實現了業界超低的單位面積導通電阻*3。-40V耐壓產品的導通電阻較以往產品降低62%、-60V耐壓產的導通電阻較以往產品降低52%,有助於實現設備的節能性和小型化。 此外,通過優化元件結構並採用有利於改善電場集中問題的新設計,進一步提高了產品品質,並使普遍認為相互矛盾的產品可靠性和低導通電阻兩者同時得到兼顧,從而有助於追求高品質的工業設備長期穩定運行。
  • 每周新品速遞|ROHM開發出第五代Pch MOSFET
    JAE推出USB4認證的Type-C插座連接器 5.順絡推出車載耦合電感——ACPR1208S系列產品 6.ROHM開發出實現超低導通電阻的第五代Pch MOSFET 7.意法半導體推出低壓專用柵極驅動器IC，改進無刷電機控制設計 以下是本周（2020年12
  • 750V SiC FET首發,比650V SiC MOSFET更高效低損
    dXXEETC-電子工程專輯RDS(on)依舊沒有敵手據介紹，儘管提高了額定電壓，但是第四代器件採用的更高電池密度降低了單位面積的導通電阻（RDS(on)），因而能夠以各種封裝提供業界RDS(on)最低的產品。
  • 4H-SiC MOSFET性能新紀錄!
    0.3μm溝道、2.5μm柵漏間距實現了7.7mΩ-cm2導通電阻和450V擊穿電壓。研究成果發表在IEEE Transactions OnElectron Devices。在功率集成電路應用中，由於SiC具有3MV/cm擊穿臨界電場，比矽大一個數量級，SiC器件正在尋求取代成熟的矽技術。SiC基器件面臨的一個挑戰是如何同時實現低導通電阻與高擊穿電壓。
  • 紐約州立大學理工學院創下4H-SiC MOSFET性能新紀錄
    美國紐約州立大學理工學院（SUNY Poly）在4H-碳化矽（SiC）橫向金屬氧化物半導體場效應電晶體（MOSFET）的性能創下了新的紀錄。0.3μm溝道、2.5μm柵漏間距實現了7.7mΩ-cm2導通電阻和450V擊穿電壓。
  • Vishay的TrenchFET Gen III P溝道功率MOSFET具有極低導通電阻
    日前推出的Vishay Siliconix MOSFET是為在可攜式電子產品中節省空間及提高效率而設計的，佔位面積只有2mm x 2mm，在-4.5V和-10V柵極驅動下的導通電阻是-12V、-20V和-30V(12V VGS和20V VGS)器件中最低的。
  • 入了解SiC MOSFET實現建議和解決方案示例
    ) MOSFET 與同等的矽 IGBT 相比具有許多優勢，包括更快的開關速度、更高的電流密度和更低的導通電阻。本文將提供此類見解，以及實現建議和解決方案示例。 為何使用 SiC MOSFET 要充分認識 SiC MOSFET 的功能，一種有用的方法就是將它們與同等的矽器件進行比較。SiC 器件可以阻斷的電壓是矽器件的 10 倍，具有更高的電流密度，能夠以 10 倍的更快速度在導通和關斷狀態之間轉換，並且具有更低的導通電阻。
  • ROHM推出SiC MOSFET 「SCT3xxxxxHR系列」又增10個機型
    在需求不斷擴大的車載市場，ROHM也及時確立車載品質，並於2012年開始供應車載充電器用的SiC肖特基勢壘二極體(SBD)※4)、於2017年開始供應車載充電器和DC/DC轉換器用的SiC MOSFET。
  • 意法半導體第二代SiC功率MOSFET實現更高轉換效率
    功率MosFET，具有單位面積極低的導通電阻（RDSon）和優良的開關性能，開關損耗在結溫範圍內幾乎沒有變化。　　在電動汽車牽引電機或充電站等汽車應用中，以及在太陽能發電機和電機驅動等工業應用中，使用SiC MOSFET可使設計者獲得各種好處，包括：　　●減小功率級的尺寸和重量　　●實現更高的功率密度　　●減小功率電路無源元件的尺寸和成本　　●實現更高的系統效率　　●減輕熱設計限制，消除或減少散熱器的尺寸和成本
  • Vishay推出業內最低導通電阻的-30 V P溝道MOSFET
    器件採用PowerPAK SO－8單體封裝，柵極電荷與導通電阻乘積優值係數達到同類產品最佳水平賓夕法尼亞、MALVERN —2020年8月17日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc．宣布，首度推出－30 V p溝道功率MOSFET－－－SiRA99DP，10 V條件下導通電阻降至1．7 mW。
  • SiC優點那麼多,SiC FET的兩大殺手鐧是什麼?
    近日United SiC公司推出了全新的SiC Fet系列產品——UF3SC，首次在業界實現了小於10mΩ的RDS(on)的特性，將SiC功率器件產品的性能推到了新的高度。21ic特此就此全新產品與United SiC亞太區的FAE經理Richard Chen先生進行了深入的溝通。
  • Vishay推出具有業內最低RDS(on)的P溝道MOSFET
    （NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出具有業內最低導通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP，擴充其TrenchFET® P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix Si7157DP在-10V和-4.5V電壓下的導通電阻分別低至0.0016Ω和0.0020Ω，可提高移動電子設備的效率。
  • Vishay推出新型第三代TrenchFET功率MOSFET系列的首款器件
    Vishay推出新型第三代 TrenchFET® 功率 MOSFET 系列的首款器件。該器件具有破紀錄的導通電阻性能和導通電阻與柵極電荷乘積指標。
  • 三分鐘讀懂超級結MOSFET
    平面式MOSFET通常具有高單位晶片面積漏源導通電阻，並伴隨相對更高的漏源電阻。使用高單元密度和大管芯尺寸可實現較低的RDS(on)值。但大單元密度和管芯尺寸還伴隨高柵極和輸出電荷，這會增加開關損耗和成本。另外還存在對於總矽片電阻能夠達到多低的限制。
  • MOSFET企業尚陽通科技電動工具表現優異
    尚陽通的TTMOS™ 產品系列專為該領域而生，採用了先進的溝槽柵器件結構和製造原理，涵蓋-30V~200V、2A~300A，多種封裝形式，非常易於客戶選擇。 據介紹，尚陽通在TTMOS™開發上已經歷了兩代產品。第一代產品採用電容平緩技術，優化了器件EMI特性，助力降低電路設計難度，為系統應用提供了更加充分的設計裕量，提高了可靠性。
  • SiC材料的進擊路 從國產工規級碳化矽(SiC)MOSFET的發布談起
    世界經理人經授權轉載9月4日，一則 「我國將把大力發展第三代半導體產業寫入『十四五』規劃」的消息引爆市場，引起第三代半導體概念股集體衝高漲停，場面十分壯觀。不可置否，政策是最大的商機。2020年，新基建產業站在了風口上。在以5G、物聯網、工業網際網路等為代表的新基建主要領域中，第三代半導體承擔著重要角色。
  • CISSOID宣布推出用於電動汽車的三相碳化矽(SiC)MOSFET智能功率模塊
    這個全新的可擴展平臺同時優化了功率開關的電氣、機械和散熱設計及其臨界控制，對於電動汽車（EV）整車廠和願意快速採用基於碳化矽的逆變器以實現更高效、更簡潔電機驅動的電動機製造商而言，該平臺可以幫助他們加快產品上市時間。