了解MOS管的開通/關斷原理

2020-11-26 電子發燒友

了解MOS管的開通/關斷原理

發表於 2020-04-04 16:36:00

了解MOS管的開通/關斷原理你就會發現,使用PMOS做上管、NMOS做下管比較方便。使用PMOS做下管、NMOS做上管的電路設計複雜,一般情況下意義不大,所以很少採用。

下面先了解MOS管的開通/關斷原理,請看下圖:

NMOS管的主迴路電流方向為D→S,導通條件為VGS有一定的壓差,一般為5~10V(G電位比S電位高);而PMOS管的主迴路電流方向為S→D,導通條件為VGS有一定的壓差,一般為-5~-10V(S電位比G電位高),下面以導通壓差6V為例。

NMOS管

使用NMOS當下管,S極直接接地(為固定值),只需將G極電壓固定值6V即可導通;若使用NMOS當上管,D極接正電源,而S極的電壓不固定,無法確定控制NMOS導通的G極電壓,因為S極對地的電壓有兩種狀態,MOS管截止時為低電平,導通時接近高電平VCC。當然NMOS也是可以當上管的,只是控制電路複雜,這種情況必須使用隔離電源控制,使用一個PMOS管就能解決的事情一般不會這麼幹,明顯增加電路難度。

PMOS管

使用PMOS當上管,S極直接接電源VCC,

S極電壓固定,只需G極電壓比S極低6V即可導通

,使用方便;同理若使用PMOS當下管,D極接地,S極的電壓不固定(0V或VCC),無法確定控制極G極的電壓,使用較麻煩,需採用隔離電壓設計。

打開APP閱讀更多精彩內容

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容圖片侵權或者其他問題,請聯繫本站作侵刪。 侵權投訴

相關焦點

  • mos管如何並聯使用?
    因此,從原理上講,由於N溝道功率型MOS管的飽和壓降VDs或導通電阻RDSon具有正的溫度特性,是很適合併聯的。   2、開啟電壓VGS(th):在同一驅動脈衝作用下,開啟電壓VGS(th)的不同,會引起MOS管的開通時刻不同,進而會引起先開通的MOS管首先流過整個迴路的電流,如果此時電流偏大,不加以限制,則對MOS管的安全工作造成威脅;   3、開通、關斷延遲時間Td(on)、td(off);開通上升、關斷下降時間tr、tf:同樣,在同一驅動脈衝作用下,td(on)、td(off
  • MOS管工作原理圖詳解-MOS管工作原理電路圖及結構分析-KIA MOS管
    MOS管工作原理圖電源開關電路詳解這是該裝置的核心,在介紹該部分工作原理之前,先簡單解釋一下MOS的工作原理圖。它一般有耗盡型和增強型兩種。本文使用的為增強型MOSMOS管,其內部結構見mos管工作原理圖。它可分為NPN型PNP型。
  • 功率MOS管燒毀的原因(米勒效應)
    (由截止到導通的過渡過程)、導通狀態、關斷過程(由導通到截止的過渡過程)、截止狀態。 Mos主要損耗也對應這幾個狀態,開關損耗(開通過程和關斷過程),導通損耗,截止損耗(漏電流引起的,這個忽略不計),還有雪崩能量損耗。只要把這些損耗控制在mos承受規格之內,mos即會正常工作,超出承受範圍,即發生損壞。而開關損耗往往大於導通狀態損耗,不同mos這個差距可能很大。
  • 功率MOS管燒毀的原因(米勒效應)!
    :開通過程(由截止到導通的過渡過程)、導通狀態、關斷過程(由導通到截止的過渡過程)、截止狀態。Mos主要損耗也對應這幾個狀態,開關損耗(開通過程和關斷過程),導通損耗,截止損耗(漏電流引起的,這個忽略不計),還有雪崩能量損耗。只要把這些損耗控制在mos承受規格之內,mos即會正常工作,超出承受範圍,即發生損壞。而開關損耗往往大於導通狀態損耗(不同mos這個差距可能很大。
  • 詳解mos管原理及幾種常見失效分析
    本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/201710/368826.htm  mos管—工作原理  mos管的工作原理(以N溝道增強型mos場效應管)它是利用VGS來控制「感應電荷」的多少,以改變由這些「感應電荷」形成的導電溝道的狀況,然後達到控制漏極電流的目的。
  • MOSFET開通時間和關斷時間定義
    MOS管定期導通和關斷 mos管是金屬(metal)-氧化物(oxid)-半導體(semiconductor)場效應電晶體,或者稱是金屬-絕緣體(insulator)-半導體。MOS管的source和drain是可以對調的,他們都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下,這個兩個區是一樣的,即使兩端對調也不會影響器件的性能。
  • 詳細講解MOS管的米勒效應
    米勒平臺形成的基本原理MOSFET的柵極驅動過程,可以簡單的理解為驅動源對MOSFET的輸入電容(主要是柵源極電容Cgs)的充放電過程;當Cgs達到門檻電壓之後, MOSFET就會進入開通狀態;當MOSFET開通後,Vds開始下降,Id開始上升,此時MOSFET進入飽和區;但由於米勒效應,Vgs會持續一段時間不再上升
  • MOS管自舉電路工作原理及升壓自舉電路結構圖
    假定那個開關(三極體或者mos管)已經斷開了很長時間,所有的元件都處於理想狀態,電容電壓等於輸入電壓。下面要分充電和放電兩個部分來說明這個電路。MOS管自舉電容工作原理:自舉電容,內部高端MOS需要得到高出IC的VCC的電壓,通過自舉電路升壓得到,比VCC高的電壓,否則,高端MOS無法驅動。
  • mos管開關電路圖大全(八款mos管開關電路設計原理圖詳解)
    mos管開關電路圖大全(八款mos管開關電路設計原理圖詳解)
  • MOS管,IGBT,以及三極體他們有什麼區別?正向單流柵極IGBT驅動電路...
    MOS管,IGBT,以及三極體他們有什麼區別?   mos管、igbt、三極體比較,mos開關速度最快,三極體最慢,而igbt內部是靠mos管先開通驅動三極體開通(這個原理決定了它的開關速度比mos慢,比三極體快,和幾代技術無關)。mos管的最大劣勢是隨著耐壓升高,內阻迅速增大(不是線性增大),所以高壓下內阻很大,不能做大功率應用。
  • MOS管開關時的米勒效應--通俗易懂篇
    米勒效應指在MOS管開通過程會產生米勒平臺,原理如下。理論上驅動電路在G級和S級之間加足夠大的電容可以消除米勒效應。但此時開關時間會拖的很長。一般推薦值加0.1Ciess的電容值是有好處的。下圖中粗黑線中那個平緩部分就是米勒平臺。
  • MOS管中用P-MOS做上管、N-MOS做下管
    了解了MOS管的開通/關斷原理會發現,使用PMOS做上管、NMOS做下管比較方便。
  • 乾貨| 這樣講你就懂了:MOS管開關時的米勒效應
    米勒效應指在MOS管開通過程會產生米勒平臺,原理如下。理論上驅動電路在G級和S級之間加足夠大的電容可以消除米勒效應。但此時開關時間會拖的很長。一般推薦值加0.1Ciess的電容值是有好處的。下圖中粗黑線中那個平緩部分就是米勒平臺。
  • MOS管當開關控制時,為什麼一般用PMOS做上管NMOS做下管?
    了解MOS管的開通/關斷原理你就會發現,使用PMOS做上管、NMOS做下管比較方便。使用PMOS做下管、NMOS做上管的電路設計複雜,一般情況下意義不大,所以很少採用。下面先了解MOS管的開通/關斷原理,請看下圖:NMOS管的主迴路電流方向為D→S,導通條件為VGS有一定的壓差,一般為5~10V(G電位比S電位高);而PMOS管的主迴路電流方向為S→D,導通條件為VGS有一定的壓差,一般為-5~-10V(S電位比G電位高),下面以導通壓差6V為例。
  • 三極體比MOS管開關功能略勝一籌?
    我們在做電路設計中三極體和mos管做開關用時候有什麼區別 工作性質:本文引用地址:http://2、成本問題:三極體便宜,mos管貴。3、功耗問題:三極體損耗大。4、驅動能力:mos管常用來電源開關,以及大電流地方開關電路。實際上就是三極體比較便宜,用起來方便,常用在數字電路開關控制。
  • 反激式轉換器工作原理以及反激開關MOSFET源極流出的電流波形轉折...
    ,均產生比較大的電壓和電流變化,而且可以看到MOSFET在開通和關斷的瞬間,產生一些震蕩和電流尖峰。圖5為反激變換器工作在DCM工作模式時,開關管分別工作在(a)開通瞬間、 (b)開通階段、 (c)關斷瞬間和(d)關斷階段時,所對應的等效分析電路,Rds為開關管的漏源極等效電阻。
  • mos管開關電路_pwm驅動mos管開關電路圖分享
    打開APP mos管開關電路_pwm驅動mos管開關電路圖分享 發表於 2018-01-04 13:41:14 MOS管開關電路是利用一種電路,是利用MOS管柵極(g)控制MOS管源極(s)和漏極(d)通斷的原理構造的電路。
  • 三極體和MOS管有啥區別?
    2、成本問題:三極體便宜,mos管貴。3、功耗問題:三極體損耗大。4、驅動能力:mos管常用來電源開關,以及大電流地方開關電路。三極體比較便宜,用起來方便,常用在數字電路開關控制。MOS管用於高頻高速電路,大電流場合,以及對基極或漏極控制電流比較敏感的地方。
  • MOS管在電動車窗開關上的應用
    而mos管在電動車窗的關鍵部位——開關,佔據了非常重要的位置。電動車窗開關分為功率型和信號型兩種,功率型為開關直接控制車窗電動機,信號型為開關先向汽車車身控制模塊(Body Control module,BCM)提供信號,再由BCM驅動電動車窗。
  • 小科普|功率MOSFET的開通和關斷過程
    首先簡單介紹常規的基於柵極電荷的特性,理解MOSFET的開通和關斷的過程,然後從漏極導通特性、也就是放大特性曲線,來理解其開通關斷的過程,以及MOSFET在開關過程中所處的狀態。1、MOSFET開通和關斷過程的寄生參數示意圖如圖1所示,開通過程如圖2所示。