Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出行業首款採用了DFN0806-3微型封裝的小信號雙極型電晶體。這些器件的佔位面積為0.48mm2,離板厚度僅0.4mm,面積比採用了DFN1006、SOT883和SOT1123封裝的同類型器件少20%。
本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/153425.htm這些電晶體尺寸小,加上卓越的400mW功耗,有利於智慧型手機和平板電腦等受空間限制的可攜式產品的設計。Diodes破天荒推出兩對採用了DFN0806-3封裝的NPN (MMBT3904FA和BC847BFA) 及PNP (MMBT3906FA和BC857BFA) 電晶體,隨後將推出在同樣封裝的預偏置 (數字) 電晶體。
NPN MMBT3904FA及PNP MMBT3906FA電晶體的VCE額定值為40V,能夠處理200mA連續電流,以及支持500mA脈衝峰值電流。NPN BC847BFA 和 PNP BC857BFA器件的額定值則為45V,並可處理100mA連續電流及200mA脈衝電流。
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