大家都知道，中國的光刻機大企業是上海微電子，它也是國內唯一可以生產製造晶片光刻機的生產廠家，如今可以生產製造90nm的可以用以晶片製造的光刻機，在中低端市場上量還非常大。
上海微電子在二零零二年進入了光刻機的行業，而ASML在1984年進到該行業後，可以說早已晚了二十年，因而從技術上上海微電子如今也完成了90nm，ASML完成了5nm的晶片光刻機
那為何上海微電子從二零零二年開始進到，到現在早已18年了？為何還滯留在90nm呢？事實上，一個坎都還沒越過去，只要越過去，就能立即進來嗎？10納米技術。這一浸潤式光刻技術。
光刻機的關鍵是燈源，光刻機的工藝能力在於燈源的光波長，現階段應用的主要是三種燈源，最開始是水銀燈燈源，在365-436nm中間，以後發展趨勢到DUV燈源，光波長在248-193中間，EUV燈源為13.5nm。
光刻機發展為193nm光波長的燈源時，之後的將進入了157nm，技術水平大，接著，臺積電技術工程師明確提出了一個念頭。為什麼不用水製造物質，只是使光在水中映射，這相當於光波長減短，出現了侵潤式光刻機技術性，換句話說，ArF+immersion儘管為193nm，卻等同於134nm燈源。
從上邊的圖能夠 看得出，90nm、65/55nm的晶片是應用193nm的ArF燈源光的光刻機開展的光刻，即處於當今的上海微電子的電平。
可是，在完成侵潤式技術性以後，假如193nm的燈源與134nm等效電路，則可以完成45/40、28nm、22/20、14/16、10nm那樣的連接點的晶片光刻。
僅有進到下一階段的10nm之上的晶片時，EUV光刻工藝才算是必需的，10nm之上都應用193nm的燈源，從而組成侵潤式技術就可以。
因此 ，上海微電子只必須超越侵潤式光刻機技術這一坎，才可以使得技術更進一步。