有限且不斷縮小的電路板空間、緊張的設計周期、嚴格的電磁幹擾(EMI)規範(例如CISPR 32和CISPR 25)等相關限制因素,不斷提高著取得具有高效率和良好熱性能電源的難度。在整個設計周期中,基本上電源設計通常是處於設計過程的最後階段,設計人員需要努力地將複雜的電源擠進更緊湊的空間,而這使問題變得更加複雜,也非常令人沮喪。UpUednc
為了按時完成設計,設計者只能在性能方面做出妥協,把問題丟給測試和驗證環節去處理。而簡單、高性能和解決方案尺寸這三項考慮因素通常相互衝突,尤其是當設計期限接近時,就只能優先考慮一、兩個而放棄第三個。如此看來,犧牲一些性能已經變得司空見慣了,但其實不應該是這樣的。UpUednc
本文首先概述在複雜的電子系統中電源所帶來的嚴重問題:即EMI,通常簡稱為噪聲。電源會產生EMI,必須加以解決,那麼問題的根源是什麼?通常有何解決措施?本文並將介紹減少EMI的策略,提出一種解決方案來減少EMI、保持效率,並將電源放入有限的解決方案空間中。UpUednc
電磁幹擾會干擾系統性能的電磁訊號。這種幹擾透過電磁感應、靜電耦合或傳導來影響電路。它對汽車、醫療以及測試與測量設備製造商而言都是一項關鍵的設計挑戰。上面提到的許多限制和不斷提高的電源性能要求(功率密度增加、切換開關頻率更高以及電流更大等)只會擴大EMI的影響,因此極需解決方案來減少EMI。許多產業都要求必須滿足EMI標準,如果在設計初期不加以考慮,那麼將會嚴重影響產品的上市時間。UpUednc
EMI是電子系統中的幹擾源與接收器(即電子系統中的一些組件)耦合時所產生的問題。EMI按其耦合介質可歸類為:傳導或輻射。UpUednc
傳導EMI(低頻,450kHz至30MHz):傳導EMI透過寄生阻抗以及電源和接地連接,以傳導方式耦合到組件。噪聲透過傳導傳輸到另一個組件或電路。傳導EMI可以進一步分為共模噪聲和差模噪聲。UpUednc
共模噪聲透過寄生電容和高dV/dt (C × dV/dt)進行傳導。它透過寄生電容沿著任意訊號(正或負)到GND的路徑傳輸,如圖1所示。UpUednc
差模噪聲透過寄生電感(磁耦合)和高di/dt (L × di/dt)進行傳導。UpUednc
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圖1:差模和共模噪聲。UpUednc
輻射EMI(高頻,30MHz 至1GHz):輻射EMI是透過磁場能量以無線方式傳輸到待測組件的噪聲。在切換開關電源中,該噪聲是高di/dt與寄生電感耦合的結果。輻射噪聲會影響鄰近的組件。UpUednc
解決電源中EMI相關問題的典型方法是什麼?首先,確定EMI就是一個問題。這看似很顯而易見,但是確定其具體情況可能非常耗時,因為它需要使用EMI測試室(並非隨處都有),以便對電源產生的電磁能量進行量化,並確定該電磁能量是否符合系統的EMI標準要求。UpUednc
假設經過測試,電源會帶來EMI問題,那麼設計人員將面臨透過多種傳統的校正策略來減少EMI的過程,其中包括:UpUednc
以上所有制約措施都可以減少噪聲,但是它們也都存在缺陷。最大限度地減少電源設計中的噪聲通常能夠徹底解決問題,但卻很難實現。ADI的Silent Switcher和Silent Switcher 2穩壓器在穩壓器端實現了低噪聲,從而無需額外的濾波、屏蔽或大量布局迭代。由於不必採用昂貴的反制措施,加快了產品上市時間並節省大量的成本。UpUednc
為了減少EMI,必須確定電源電路中的熱迴路(高di/dt迴路)並減少其影響。熱迴路如圖2所示。在標準降壓轉換器的一個周期內,當M1關閉而M2打開時,交流(AC)電流沿著藍色迴路流動。在M1打開而M2關閉的關閉周期中,電流則沿著綠色迴路流動。產生最高EMI的迴路並非完全直覺可見,它既不是藍色迴路也不是綠色迴路,而是傳導全切換開關交流電流(從零切換到IPEAK,然後再切換回零)的紫色迴路。該迴路稱為熱迴路,因為它的AC和EMI能量最大。UpUednc
導致電磁噪聲和切換開關振鈴的是切換開關穩壓器熱迴路中的高di/dt和寄生電感。要減少EMI並改進功能,需要儘量減少紫色迴路的輻射效應。熱迴路的電磁輻射騷擾隨其面積的增加而增加,因此,如果可能的話,請將熱迴路的PC面積減小到零,並使用零阻抗理想電容便可以解決該問題。UpUednc
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圖2:降壓轉換器的熱迴路。UpUednc
雖然不可能完全消除熱迴路區域,但是我們可以將熱迴路分成極性相反的兩個迴路。如此可以有效地形成局部磁場,這些磁場在距IC任意位置都可以有效地相互抵消。這就是Silent Switcher穩壓器背後的概念。UpUednc
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圖3: Silent Switcher穩壓器中的磁場抵消。UpUednc
改善EMI的另一種方法是縮短熱迴路中的導線。這可以透過放棄將晶片連接至封裝接腳的傳統鍵合線方法來實現。在封裝中倒裝矽晶片,並添加銅柱。透過縮短內部FET到封裝接腳和輸入電容的距離,可以進一步縮小熱迴路的範圍。UpUednc
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圖4: LT8610鍵合線的拆解示意圖。UpUednc
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圖5:帶有銅柱的倒裝晶片。UpUednc
圖6顯示了使用Silent Switcher穩壓器的一個典型應用,可透過兩個輸入電壓接腳上的對稱輸入電容來識別。布局在該方案中非常重要,因為Silent Switcher技術要求儘可能將這些輸入電容對稱布置,以便發揮場相互抵消的優勢。否則,將喪失Silent Switcher技術的優勢。當然,問題是如何確保在設計及整個生產過程中的正確布局。答案就是Silent Switcher 2穩壓器。UpUednc
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圖6:典型的Silent Switcher應用原理圖及其在PCB上的外觀。UpUednc
Silent Switcher 2穩壓器能夠進一步減少EMI。透過將電容(VIN電容、INTVCC和升壓電容)整合到LQFN封裝中,消除了EMI性能對PCB布局的敏感性,從而可以放置到儘可能靠近接腳的位置。所有熱迴路和接地層都在內部,從而將EMI降至最低,並使解決方案的總佔板面積更小。UpUednc
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圖7:Silent Switcher應用與Silent Switcher 2應用方塊圖。UpUednc
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圖8:去封的LT8640S Silent Switcher 2穩壓器。UpUednc
Silent Switcher 2技術還可以改善熱性能。LQFN倒裝晶片封裝上的多個大尺寸接地裸露焊墊有助於封裝透過PCB散熱。消除高電阻鍵合線還可以提高轉換效率。在進行EMI性能測試時,LT8640S 能滿足CISPR 25 Class 5峰值限制要求,並且具有較大的裕量。UpUednc
藉助開發Silent Switcher產品組合所獲得的知識和經驗,並配合使用現有的廣泛µModule產品組合,可使電源產品易於設計,同時滿足電源的某些重要指針要求,包括熱性能、可靠性、精度、效率和良好的EMI性能。UpUednc
圖9所示的LTM8053整合可實現磁場抵消的兩個輸入電容以及電源所需的其他一些被動組件。所有這些都透過一個 6.25mm × 9mm × 3.32mm BGA封裝實現,讓客戶可以專心地完成電路板的其他部分設計。UpUednc
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圖9:LTM8053 Silent Switcher外露晶片及EMI結果。UpUednc
典型的高速ADC需要許多電壓軌,其中一些電壓軌噪聲必須非常低才能實現ADC數據表中的最高性能。為了在高效率、小尺寸板空間和低噪聲之間達成平衡,普遍接受的解決方案是將切換開關電源與LDO後置穩壓器結合使用,如圖10所示。切換開關穩壓器能夠以更高效率實現更高的降壓比,但噪聲相對也較大。低噪聲LDO後置穩壓器效率相對較低,但它可以抑制切換開關穩壓器產生的大部分傳導噪聲。儘可能減小LDO後置穩壓器的降壓比有助於提高效率。這種組合能產生乾淨的電源,從而使ADC以最高性能運行。但問題在於,多個穩壓器會使布局變得更為複雜,並且LDO後置穩壓器在較高負載下,可能會衍生相關散熱問題。UpUednc
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圖10:為 AD9625 ADC供電的典型電源設計。UpUednc
圖10所示的設計顯然需要進行一些權衡取捨。在這種情況下,低噪聲是優先考慮事項,因此效率和電路板空間必須做些讓步,但,也許不必如此。最新一代的Silent Switcher µModule組件將低噪聲切換開關穩壓器設計與µModule封裝相結合,其能夠同時實現易設計、高效率、小尺寸和低噪聲的目標。這些穩壓器不僅儘可能地減少了電路板的佔用空間,而且實現了可擴展性,其可使用一個µModule穩壓器為多個電壓軌供電更進一步節省了空間和時間。圖11顯示了使用LTM8065 Silent Switcher µModule穩壓器為ADC供電的電源樹替代方案。UpUednc
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圖11:使用Silent Switcher µModule穩壓器為AD9625供電,可節省空間的解決方案。UpUednc
這些設計都已經過相互測試比較。ADI在最近發表的一篇文章對使用圖10和圖11所示電源設計的ADC性能進行了測試和比較。測試包括以下三種配置:UpUednc
測得的SFDR和SNRFS結果顯示,LTM8065可用於直接為ADC供電,並不會影響ADC的性能。這個建置方案的核心優勢是能大幅減少組件數量,從而提高了效率,不但可簡化生產,並同時能減少電路板的佔位空間。UpUednc
總之,隨著更多系統級設計需要滿足更加嚴格的規範,儘可能充分利用模塊化電源設計變得至關重要,尤其是在電源設計專業經驗有限的情況下。由於許多分眾市場要求系統設計必須符合最新的EMI規範要求,因此將Silent Switcher技術運用於小尺寸設計,同時藉助µModule穩壓器簡單易用的特性將可大幅縮短產品上市時間,同時還可以節省電路板空間。UpUednc