計算機入門 發表於 2020-11-10 11:07:27
1.速度
內存條的速度一般用存取一次數據的時間（單位一般用ns）來作為性能指標，時間越短，速度就越快。普通內存速度只能達到70ns～80ns，EDO內存速度可達到60ns，而SDRAM內存速度則已達到7ns。
注意：內存條的生產廠家非常多，目前還沒有形成一個統一的標註規範，所以內存的性能指標不可簡單地從內存晶片標註上讀出來，但可了解其速度如何，如－70或－60等數字，就表示此內存晶片的速度為70ns或60ns。
2.容量
內存條容量大小有多種規格，早期的30線內存條有256K、1M、4M、8M多種容量，72線的EDO內存則多為4M、8M、16M，而168線的SDRAM內存大多為16M、32M、64M、128MB容量，甚至更高。圖5-1是一款獨特的64MB內存條。
3.奇偶校驗
為檢驗存取數據是否準確無誤，內存條中每8位容量能配備1位做為奇偶校驗位，並配合主板的奇偶校驗電路對存取的數據進行正確校驗。不過，而在實際使用中有無奇偶校驗位，對系統性能並沒有什麼影響，所以目前大多數內存條上已不再加裝校驗晶片。
註：計算機是以二進位進行計數的，表現為0和1，當機器向內存寫入數據時，實際上就是存入代碼01，奇偶校驗則將單元中存入的代碼的個數進行奇偶統計，並將統計的結果保存在奇偶校驗位中，當計算機提取內存的數據時，奇偶校驗則將統計的結果和實際讀出的數據進行比較看是否一致，從而確保了內存數據的正確性。
4.內存的電壓
FPM內存和EDO內存均使用5V電壓，而SDRAM則使用3.3V電壓，在使用中注意主板上的跳線不能設錯。
5.內存主頻
內存主頻代表著該內存所能達到的最高工作效率。內存主頻是以MHz（兆赫茲）為單位來計量的。內存主頻越高，在一定程度上代表著內存所能達到的速度越快。
6.存取時間TAC（AccessTimeCLK）
TAC僅僅代表訪問數據所需要的時間。存取時間用-6、-5標識（-6表示60ns，-5表示50ns）。
7.CL（CASLatency）
CL（CASLatency）為CAS（ColumnAddressStrobe，列地址控制器）的延遲時間。它是內存性能的一個重要指標，它是內存縱向地址脈衝的反應時間。
8.SPD晶片
SPD（SerialPresenceDetect，串行存在探測）是一個EEPROM晶片，裡面保存了該內存條的相關資料，如容量、晶片的廠商、工作速度、是否具備ECC校驗等參數。在開機時由主板BIOS程序從SPD晶片中的資料並以此設定內存的工作參數，使之以最佳狀態工作，更好地確保系統穩定的工作。
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