電晶體（transistor）是一種固體半導體器件（包括二極體、三極體、場效應管、晶閘管等，有時特指雙極型器件），具有檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調製等多種功能。電晶體作為一種可變電流開關，能夠基於輸入電壓控制輸出電流。與普通機械開關（如Relay、switch）不同，電晶體利用電信號來控制自身的開合，所以開關速度可以非常快，實驗室中的切換速度可達100GHz以上。
電力電晶體按英文Giant Transistor——GTR，是一種耐高電壓、大電流的雙極結型電晶體（Bipolar Junction Transistor—BJT），所以有時也稱為Power BJT；但其驅動電路複雜，驅動功率大；GTR和普通雙極結型電晶體的工作原理是一樣的。
電力場效應管又名電力場效應電晶體分為結型和絕緣柵型，通常主要指絕緣柵型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET），簡稱電力MOSFET（Power MOSFET），結型電力場效應電晶體一般稱作靜電感應電晶體（Static Induction Transistor——SIT）。
絕緣柵雙極電晶體（Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT）綜合了電力電晶體（Giant Transistor—GTR）和電力場效應電晶體（Power MOSFET）的優點，具有良好的特性，應用領域很廣泛；IGBT也是三端器件：柵極，集電極和發射極。
1、電晶體特性圖示儀是利用信號曲線在螢光屏通過螢光屏上標尺度來直接讀取被測電晶體的各項參數的。
2、電晶體串聯反饋式穩壓電源中的調整管起調整管壓降來保證輸出電壓穩定作用。
3、使用圖示儀觀察電晶體輸出特性曲線時，在垂直偏轉板上應施加正比於IC的電壓。
4、信號從電晶體發射極引出的放大電路稱為射極輸出器。
5、由電晶體組成的共發射極、共基極、共集電極三种放大電路中，電壓放大倍數最小的是共集電極電路。
6、電晶體特性圖示儀(JT-1)示波管X偏轉板上施加的電壓波形是正弦半波。
7、電力電晶體是電流控制型器件。
8、電力電晶體GTR有2個PN結。
9、斬波器中的電力電晶體，工作在開關狀態。
10、絕緣柵雙級電晶體屬於電壓控制元件。
11、逆變電路輸出頻率較高時，電路中的開關元件應採用絕緣柵雙極電晶體。
12、逆變電路輸出頻率較高時，電路中的開關元件應採用電力場效應管。
13、逆變器中的電力電晶體工作在開關狀態。
14、在電力電子裝置中，電力電晶體一般工作在開關狀態。
15、用電晶體作為電子器件製作的計算機屬於第二代。
16、絕緣柵雙極電晶體的導通與關斷是由柵極電壓來控制。
17、絕緣柵雙極電晶體具有電力電晶體和電力場效應管的優點。
18、用電晶體圖示儀觀察共發射極放大電路的輸入特性時，X軸作用開關置於基極電壓，Y軸作用開關置於基極電流。
19、在大容量三相逆變器中，開關元件一般不採用絕緣柵雙極電晶體。
20、以電力電晶體組成的斬波器適於中容量的場合。
21、JT-1型電晶體特性圖示儀測試臺上的「測試選擇」開關是用於改變被測管的類型和被測管的接地形式。
22、JSS-4A型電晶體h參數測試儀的電源為低內阻穩壓電源。
23、JT-1型電晶體圖示儀輸出集電極電壓的峰值是200伏。
24、在斬波器中，作為主開關器件若用晶閘管代替電力電晶體，則會增加損耗。
25、絕緣柵雙極電晶體的開關速度明顯高於電力電晶體。
26、JT-1型電晶體圖示儀「基極階梯信號」中的串聯電阻的作用是將輸入電壓變化轉變為電流變化。
27、電力電晶體的缺點是易受二次擊穿而損壞。
28、電力電晶體不必有專門的強迫換流電路。
29、絕緣柵雙極電晶體不必有專門的強迫換流電路。
30、JSS-4A型電晶體h參數測試議中的直流放大電路採用了功率放大器。
31、要使絕緣柵雙極電晶體導通，應在柵極加正電壓。
32、絕緣柵雙極電晶體屬於電壓控制元件。
33、電力電晶體GTR內部電流是由電子和空穴形成的。
34、電力晶閘管GTR內部電流是由有電子但無空穴形成的。
35、絕緣柵雙極電晶體的開關速度比電力場效應管的低。
36、電力電晶體的開關頻率低於電力場效應管。
37、電力晶閘管的開關頻率稍高於電力場效應管的開關頻率。
38、用電晶體圖示儀觀察顯示3AG1E的輸出特性時，基極階梯信號和集電極掃描信號的極性開關都撥向「-」。
39、JT-1型電晶體圖示儀「集電極掃描信號」中，功耗限制電阻的作用是限制集電極功耗，保護被測電晶體。
40、絕緣柵雙極電晶體的開關速度低於電力場效應管。
41、用電晶體圖示儀觀察三極體正向特性時，應將X軸作用開關置於基極電壓，Y軸作用開關置於基極電流。
42、電力電晶體在使用時，要防止二次擊穿。
43、絕緣柵雙極電晶體內部為4層結構。
44、斬波器中的絕緣柵雙極電晶體工作在開關狀態。